NUF4000MU
4通道EMI滤波器
集成ESD保护
该NUF4000MU是一个四信道（ Q- R-C ）裨式EMI滤波器
阵列集成的ESD保护。其典型的组件值
R = 100
W
且C = 15 pF的交付105兆赫的截止频率，并
阻带衰减大于
30
分贝从800兆赫到5.0千兆赫。
这种性能使该器件非常适合与并行接口
数据速率高达70 Mbps的应用中，无线干扰
必须最小化。指定的衰减范围是非常有效的
在尽量减少2G / 3G ， GPS，蓝牙和干扰
WLAN信号。
该NUF4000MU是在低调的8引脚1.2x1.8mm提供
UDFN8表面贴装封装。
特点/优势
http://onsemi.com
记号
图
40 M
G
8
1
UDFN8
CASE 517AD
40
M
G
1
±8.0
kV ESD保护每个通道（ IEC61000-4-2第4级，
=具体设备守则
=装配和日期代码
= Pb-Free包装
接触放电）
100 R / C值
W
和15 pF的提供卓越的性能S21
105兆赫f特性
3dB
和
30
分贝的阻带衰减
从800兆赫至5.0千兆赫
在UDFN封装提供集成的EMI / ESD系统解决方案
卓越的成本，系统可靠性和节省空间
这是一个Pb - Free设备
应用
订购信息
设备
NUF4000MUT2G
包
UDFN8
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
EMI滤波LCD和相机数据线
EMI滤波和保护I / O端口和键盘
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
0
5
10
15
S21 （ dB）的
滤波器+ ESD
n
R=100
W
C
d
= 15 pF的
d
= 15 pF的
请参考表1引脚说明
滤波器+ ESD
n
20
25
30
35
40
45
1E+6
10E+6
100E+6
频率（Hz）
1E+9
10E+9
图1.电气原理图
图2.典型插入损耗曲线
半导体元件工业有限责任公司， 2009年
2009年8月
第3版
1
出版订单号：
NUF4000MU/D
NUF4000MU
1
4
8
5
（底视图）
图3.引脚图
表1.引脚功能说明
滤波器
滤波器1
滤波器2
过滤器3
滤波器4
地垫
器件引脚
1&8
2&7
3&6
4&5
GND
过滤+ ESD频道1
过滤+ ESD频道2
过滤+ ESD频道3
过滤+ ESD频道4
地
描述
最大额定值
参数
ESD放电IEC61000-4-2
工作温度范围
存储温度范围
最大的铅焊接温度的目的（从1.8的情况下为10秒）
接触放电
符号
V
PP
T
OP
T
英镑
T
L
价值
8.0
40
85
55
150
260
单位
kV
°C
°C
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大反向工作电压
击穿电压
漏电流
阻力
二极管电容
线路电容
3分贝截止频率（注1 ）
6分贝截止频率（注1 ）
1. 50
W
源和50
W
负载端接。
符号
V
RWM
V
BR
I
R
R
A
C
d
C
L
f
3dB
f
6dB
I
R
= 1.0毫安
V
RWM
= 3.3 V
I
R
= 10毫安
V
R
= 2.5 V ， F = 1.0 MHz的
V
R
= 2.5 V ， F = 1.0 MHz的
上面的这个频率，
明显的衰减发生
上面的这个频率，
明显的衰减发生
85
100
15
30
105
180
6.0
7.0
测试条件
民
典型值
最大
5.0
8.0
100
115
20
40
单位
V
V
nA
W
pF
pF
兆赫
兆赫
http://onsemi.com
2
NUF4000MU
低电容
4线EMI滤波器
ESD保护UDFN8
包
这个装置是一个4线EMI滤波器阵列，用于无线应用。
在频率得到大于-30 dB的典型衰减
从800MHz到5.0千兆赫。该NUF4000MU具有典型的截止
频率105兆赫。这UDFN包是专门设计
以增强EMI滤波低调或超薄设计电子
特别是在空间和高度的溢价。它还提供ESD
保护钳位静电放电瞬变。 ESD保护
在所有电容器提供。
特点
http://onsemi.com
1
Cd
Cd
8
2
Cd
Cd
7
3
Cd
Cd
6
EMI滤波和ESD保护
20个分立元件集成
符合IEC61000-4-2 （4级）
UDFN封装， 1.2× 1.8毫米
湿度敏感度等级1
ESD额定值：机器型号= C
人体模型= 3B
这是一个Pb - Free设备*
好处
4
Cd
Cd
5
（ TOP VIEW ）
8
1
UDFN8
CASE 517AD
40
M
G
记号
图
40 M
G
1
降低EMI / RFI Emmisions上数据线
薄型封装; 0.5mm的典型高度
设计友好，易于使用引脚配置，
特别是对于便携式电子产品
集成解决方案提供成本和节省空间的
mDFN
包
降低寄生电感它们提供一个更“理想”低通
滤波器响应
综合解决方案提高系统可靠性
应用
=具体设备守则
=装配和日期代码
= Pb-Free包装
引脚连接
1
4
EMI滤波和ESD保护数据线
键盘接口以及保护便携式电子产品
移动手机底部连接器接口
笔记本电脑和数码相机
在手机LCD显示接口
在手机摄像头的显示界面
设备
8
5
订购信息
包
UDFN8
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
NUF4000MUT2G
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2007年
1
2007年10月 - 修订版0
出版订单号：
NUF4000MU/D
NUF4000MU
最大额定值
参数
ESD放电IEC61000-4-2
工作温度范围
存储温度范围
最大的铅焊接温度的目的（从1.8的情况下为10秒）
接触放电
符号
V
PP
T
OP
T
英镑
T
L
价值
8.0
-40到85
-55到150
260
单位
kV
°C
°C
°C
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大反向工作电压
击穿电压
漏电流
阻力
电容（注1及2 ）
截止频率（注3 ）
符号
V
RWM
V
BR
I
R
R
A
Cd
f
3dB
I
R
= 1.0毫安
V
RWM
= 3.3 V
I
R
= 10毫安
V
R
= 2.5 V ， F = 1.0 MHz的
上面的这个频率，
明显的衰减发生
85
100
15
105
6.0
7.0
测试条件
民
典型值
最大
5.0
8.0
100
115
20
单位
V
V
nA
W
pF
兆赫
1，测量温度为25 ℃。
2.总线电容是2倍的二极管电容（镉） 。
3. 50
W
源和50
W
负载端接。
http://onsemi.com
2
NUF4000MU
包装尺寸
UDFN8 ， 1.8x1.2 ， 0.4P
CASE 517AD -01
发行
D
2X
A
B
A3
2X
0.15 C
0.10 C
8X
0.08 C
8X
L
8X
K
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任
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为了文学：
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销售代表
D2
1
8
销1
参考
E
A1
顶视图
(A3)
A
细节A
SIDE VIEW
A1
C
座位
飞机
6X
e
4
E2
5
8X
b
底部视图
0.10 C A B
0.05 C
注3
http://onsemi.com
4
细节A
0.15 C
注意事项：
1.尺寸和公差PER
ASME Y14.5M ， 1994年。
2.控制尺寸：毫米。
3.尺寸b适用于镀终端
与被测量0.15
0.20毫米航站楼。
4的共面适用于暴露
PAD以及端子。
暗淡
A
A1
A3
b
D
D2
E
E2
e
K
L
MILLIMETERS
民
喃最大
0.45
0.50
0.55
0.00
0.03
0.05
0.127 REF
0.15
0.20
0.25
1.80 BSC
0.90
1.00
1.10
1.20 BSC
0.20
0.30
0.40
0.40 BSC
0.20
---
---
0.20
0.25
0.30
NUF4000MU/D
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