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NTP10N60

产品预览

首选设备

TMOS 7 E- FET

功率场效应晶体管

N沟道增强模式

硅栅

这种先进的TMOS E- FET的设计可承受高能量

在雪崩和减刑模式。新能源高效

设计还提供了一个漏极 - 源极二极管具有快速的恢复时间。

在电力专为低电压，高速开关应用

电源，转换器和PWM电机控制。这些设备是

特别适合于电桥电路，其中二极管的速度和

换向安全工作区域是至关重要的，并提供额外的

安全裕度对突发电压瞬变。

TMOS的新功能7

http://onsemi.com

TMOS功率场效应晶体管

10安培

600伏

RDS （ ON） = 0.75

N沟道

超低导通电阻，从而提高效率

降低栅极电荷

常用功能TMOS 7和TMOS E-场效应管

较高的雪崩能量

二极管电桥电路的特点是使用

IDSS和VDS （ ON）指定高温

最大额定值

（ TC = 25° C除非另有说明）

等级

漏源电压

漏极 - 栅极电压（ RGS = 1.0 MΩ ）

栅源电压

- 连续

- 不重复（ TP 10毫秒）

符号

VDSS

VDGR

VGS

VGSM

IDM

TJ ， TSTG

EAS

价值

600

单位

VDC

＆ QUOT ;

8.0

201

1.61

- 55 150

500

漏

- 连续

- 连续@ 100℃

- 单脉冲（ TP 10

ADC

总功耗

减免上述25℃

工作和存储温度

范围

单漏 - 源雪崩

能源 - 启动TJ = 25°C

（ VDD = 100 V， VGS = 10 VDC ，

IL = 10 A，L = 10毫亨， RG = 25

)

热阻

- 结到外壳

- 结到环境

铅的最大温度

焊接目的， 1/8“从案例

10秒

瓦

W / ℃，

°C

° C / W

TO–220AB

CASE 221A

风格5

引脚分配

门

漏

来源

漏

θJC

θJA

0.62

62.5

260

°C

订购信息

设备

NTP10N60

包

TO220AB

航运

50单位/铁

本文件包含的新产品信息。规格及信息

本文如有更改，恕不另行通知。

首选

装置被推荐用于将来使用的选择

和最佳的整体价值。

半导体元件工业有限责任公司， 2000

2000年4月 - 修订版0

出版订单号：

NTP10N60/D

NTP10N60

电气特性

（ TC = 25° C除非另有说明）

特征

开关特性

漏极至源极击穿电压

（ VGS = 0伏， ID = 0.25 MADC ）

温度系数（正）

零栅极电压集电极电流

（ VDS = 600伏， VGS = 0伏）

（ VDS = 600伏， VGS = 0伏， TJ = 125°C ）

门体漏电流（ VGS =

20伏直流电， VDS = 0 ）

基本特征（ 1 ）

栅极阈值电压

ID = 0.25 mA时， VDS = VGS

温度系数（负）

静态漏 - 源极导通电阻（ VGS = 10 VDC ， ID = 5 ADC ）

漏极 - 源极导通电压

（ VGS = 10 VDC ， ID = 10 ADC）

（ VGS = 10 VDC ， ID = 5的ADC ， TJ = 125°C ）

正向跨导（ VDS = 8伏， ID = 5 ADC ）

动态特性

输入电容

输出电容

传输电容

开关特性（ 2 ）

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

栅极电荷

(

（ VDS = 400 VDC ， ID = 10位ADC ，

VGS = 10 V直流）

（ VDD = 300伏， ID = 10位ADC ，

VGS = 10伏直流

VDC ，

RG = 9.1

)

TD （上）

TD （关闭）

源极 - 漏极二极管的特性

正向导通电压（ 1）

（ IS = 10位ADC ， VGS = 0伏）

（ IS = 10位ADC ， VGS = 0伏， TJ = 125°C ）

反向恢复时间

（ IS = 10 ADC VGS = 0伏

ADC ，

VDC ，

DIS / DT = 100 A / μs）内

反向恢复存储

收费

内部封装电感

内部排水电感

（从接触被测螺纹的标签，模具中心）

（从漏测铅0.25“从包到模具的中心）

内部源极电感

（测量从源铅0.25 “从包装到源焊盘）

（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

占空比

≤

2%.

（ 2 ）开关特性是独立的工作结温。

—

7.5

—

3.5

4.5

—

11.5

8.0

100

—

（ VDS = 25伏直流电， VGS = 0伏，

F = 1.0兆赫）

西塞

科斯

CRSS

—

1840

470

2580

660

VGS （ TH）

2.0

—

RDS （ ON）

VDS （上）

—

政府飞行服务队

3.0

—

9.0

7.9

—

姆欧

—

2.5

5.8

0.65

4.0

—

0.75

VDC

毫伏/°C的

欧姆

VDC

V（ BR ） DSS

600

—

IDSS

—

IGSS （ F）

IGSS （r）的

—

100

NADC

—

585

—

VDC

毫伏/°C的

μAdc

符号

民

典型值

最大

单位

VSD

—

TRR

QRR

—

0.85

0.75

510

165

345

4.1

1.0

—

VDC

http://onsemi.com

NTP10N60

包装尺寸

TO–220AB

CASE 221A -09

ISSUE

–T–

座位

飞机

注意事项：

1.尺寸和公差符合ANSI

Y14.5M ， 1982年。

2.控制尺寸：英寸。

3.尺寸Z定义了一个区域，在那里所有

身体和铅的凹凸

允许的。

暗淡

英寸

民

最大

0.570

0.620

0.380

0.405

0.160

0.190

0.025

0.035

0.142

0.147

0.095

0.105

0.110

0.155

0.018

0.025

0.500

0.562

0.045

0.060

0.190

0.210

0.100

0.120

0.080

0.110

0.045

0.055

0.235

0.255

0.000

0.050

0.045

–––

0.080

门

漏

来源

漏

MILLIMETERS

民

最大

14.48

15.75

9.66

10.28

4.07

4.82

0.64

0.88

3.61

3.73

2.42

2.66

2.80

3.93

0.46

0.64

12.70

14.27

1.15

1.52

4.83

5.33

2.54

3.04

2.04

2.79

1.15

1.39

5.97

6.47

0.00

1.27

1.15

–––

2.04

1 2 3

风格5 ：

PIN 1 。

http://onsemi.com

NTP10N60

E- FET是半导体元件工业， LLC的商标。

TMOS是半导体元件工业，LLC的注册商标。

安森美半导体

和

是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留修改的权利

恕不另行通知这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定的任何保证，声明或担保

目的，也不SCILLC承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任，并明确拒绝承担任何责任，

包括但不限于特殊，间接或附带损失。这可能SCILLC数据表提供“典型”参数和/或

规格可以做不同在不同的应用和实际性能可能会随时间而变化。所有的操作参数，包括“典型”必须是

验证每个客户的客户应用的技术专家。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。

SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序

旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况或

可能会出现死亡。如果买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并持有

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称， SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是一个机会均等/肯定行动雇主。

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欧洲：

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亚洲/太平洋网络C：

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