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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第325页 > NUD3124LT1G
NUD3124
汽车感性负载
司机
这MicroIntegrationt部分提供了一个单一的组件解决方案
切换感性负载,如继电器,螺线管和小DC
如果电动机没有一个续流二极管的需要。它接受逻辑
电平的输入,从而允许它由大量的各种设备的驱动
包括逻辑门电路,逆变器和微控制器。
特点
http://onsemi.com
标记DIAGRAMS
3
1
2
SOT23
CASE 318
21风格
JW6 MG
G
提供直流继电器线圈和敏感之间强大的接口
逻辑
能够驱动继电器线圈额定功率高达150 mA的12伏特
替换3或4分立元件的成本更低
内部稳压器无需为续流二极管
会见负载突降和其他汽车规格
无铅包可用
JW6 =具体设备守则
M
=日期代码
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
典型应用
汽车和工业环境
驾驶窗,锁,门,继电器天线
好处
6
1
SC74
CASE 318F
风格7
JW6 MG
G
减少PCB空间
标准化驱动继电器的宽范围
简化电路设计和PCB布局
符合汽车要求
JW6 =具体设备守则
M
=日期代码
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
订购信息
设备
NUD3124LT1
NUD3124LT1G
NUD3124DMT1
NUD3124DMT1G
SOT23
SOT23
(无铅)
SC74
SC74
(无铅)
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
内部电路图
漏极(3)
漏(6)
漏极(3)
门(1)
10 k
100 K
门(2)
10 k
100 K
10 k
100 K
门(5)
源(2)
CASE 318
源(1)
资料来源( 4 )
CASE 318F
半导体元件工业有限责任公司, 2005年
1
2005年11月 - 10牧师
出版订单号:
NUD3124/D
NUD3124
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编)
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
E
Z
漏极至源极电压 - 连续
(T
J
= 125°C)
栅极 - 源极电压 - 连续
(T
J
= 125°C)
漏电流 - 连续
(T
J
= 125°C)
单脉冲漏极 - 源极雪崩能量
(对于80继电器的线圈/电感负载
W
或更高版本)
(T
J
初步= 85°C )
峰值功耗,漏极 - 源极(注1及2 )
(T
J
初步= 85°C )
抛负载脉冲抑制,漏 - 源极(注3和4 )
(抑制波形: V
s
= 45 V ,R
来源
= 0.5
W,
T = 200毫秒)
(对于80继电器的线圈/电感负载
W
或更高版本)
(T
J
初步= 85°C )
电感式开关瞬态1 ,漏 - 源
(波形,R
来源
= 10
W,
T为2.0毫秒)
(对于80继电器的线圈/电感负载
W
或更高版本)
(T
J
初步= 85°C )
电感式开关瞬态2 ,漏 - 源
(波形,R
来源
= 4.0
W,
T = 50
女士)
(对于80继电器的线圈/电感负载
W
或更高版本)
(T
J
初步= 85°C )
反向电池, 10分钟(漏 - 源)
(对于80继电器的线圈/电感负载
W
或更多)
双电压跳开始, 10分钟(漏 - 源)
人体模型( HBM )
根据EIA / JESD22 / A114规格
等级
价值
28
12
150
250
单位
V
V
mA
mJ
P
PK
E
LD1
20
80
W
V
E
LD2
100
V
E
LD3
300
V
REV -BAT
双伏
ESD
14
28
2,000
V
V
V
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值(不正常的操作条件),并同时无效。如果超出这些限制,设备功能操作不暗示,
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
1.非重复性电流脉冲方波, 1.0毫秒的时间。
2.对于不同的方波脉冲持续时间,见图2 。
3.非重复性负载突降抑制按照图3脉冲。
4.对于继电器的线圈/电感负载高于80
W,
参见图4 。
热特性
符号
T
A
T
J
T
英镑
P
D
P
D
R
qJA
工作环境温度
最高结温
存储温度范围
总功率耗散(注5 )
降额25℃以上
总功率耗散(注5 )
降额25℃以上
热阻结到环境(注5 )
SOT23
SC74
SOT23
SC74
等级
价值
-40至125
150
-65到150
225
1.8
380
3.0
556
329
单位
°C
°C
°C
mW
毫瓦/°C的
mW
毫瓦/°C的
° C / W
5.安装在最小焊盘板。
http://onsemi.com
2
NUD3124
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编)
特征
开关特性
漏极至源极耐受电压
(I
D
= 10 mA)的
漏极至源极漏电流
(V
DS
= 12 V, V
GS
= 0 V)
(V
DS
= 12 V, V
GS
= 0 V ,T
J
= 125°C)
(V
DS
= 28 V, V
GS
= 0 V)
(V
DS
= 28 V, V
GS
= 0 V ,T
J
= 125°C)
门体漏电流
(V
GS
= 3.0 V, V
DS
= 0 V)
(V
GS
= 3.0 V, V
DS
= 0 V ,T
J
= 125°C)
(V
GS
= 5.0 V, V
DS
= 0 V)
(V
GS
= 5.0 V, V
DS
= 0 V ,T
J
= 125°C)
基本特征
栅极阈值电压
(V
GS
= V
DS
, I
D
= 1.0 mA)的
(V
GS
= V
DS
, I
D
= 1.0毫安,T
J
= 125°C)
漏极至源极导通电阻
(I
D
= 150毫安, V
GS
= 3.0 V)
(I
D
= 150毫安, V
GS
= 3.0 V,T
J
= 125°C)
(I
D
= 150毫安, V
GS
= 5.0 V)
(I
D
= 150毫安, V
GS
= 5.0 V ,T
J
= 125°C)
连续输出电流
(V
DS
= 0.25 V, V
GS
= 3.0 V)
(V
DS
= 0.25 V, V
GS
= 3.0 V,T
J
= 125°C)
正向跨导
(V
DS
= 12 V,I
D
= 150 mA)的
动态特性
输入电容
(V
DS
= 12 V, V
GS
= 0 V , F = 10千赫)
输出电容
(V
DS
= 12 V, V
GS
= 0 V , F = 10千赫)
传输电容
(V
DS
= 12 V, V
GS
= 0 V , F = 10千赫)
开关特性
传播延迟时间:
高到低传输延迟;图1中, (Ⅴ
DS
= 12 V, V
GS
= 3.0 V)
从低到高传输延迟;图1中, (Ⅴ
DS
= 12 V, V
GS
= 3.0 V)
高到低传输延迟;图1中, (Ⅴ
DS
= 12 V, V
GS
= 5.0 V)
从低到高传输延迟;图1中, (Ⅴ
DS
= 12 V, V
GS
= 5.0 V)
转换时间:
下降时间;图1中, (Ⅴ
DS
= 12 V, V
GS
= 3.0 V)
上升时间;图1中, (Ⅴ
DS
= 12 V, V
GS
= 3.0 V)
下降时间;图1中, (Ⅴ
DS
= 12 V, V
GS
= 5.0 V)
上升时间;图1中, (Ⅴ
DS
= 12 V, V
GS
= 5.0 V)
ns
t
PHL
t
PLH
t
PHL
t
PLH
890
912
324
1280
ns
t
f
t
r
t
f
t
r
2086
708
556
725
西塞
科斯
CRSS
32
21
8.0
pf
pf
pf
V
GS ( TH)
1.3
1.3
R
DS ( ON)
I
DS ( ON)
150
140
g
FS
200
500
mmho
1.4
1.7
0.8
1.1
mA
1.8
2.0
2.0
W
V
V
BRDSS
I
DSS
I
GSS
60
80
90
110
0.5
1.0
50
80
mA
28
34
38
V
mA
符号
典型值
最大
单位
http://onsemi.com
3
NUD3124
典型性能曲线
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
V
IH
V
in
50%
0V
t
PHL
90%
V
OUT
50%
10%
V
OL
t
r
t
PLH
V
OH
t
f
图1.开关波形
25
P
pk
,峰值浪涌功率( W)
20
15
10
5
0
1
10
P
W
,脉冲宽度(毫秒)
100
图2.最大非重复浪涌
功率与脉冲宽度
抛负载脉冲不抑制:
V
R
= 13.5 V额定
±10%
V
S
= 60 V额定
±10%
T = 300 ms的名义
±10%
T
R
= 1 - 10毫秒
±10%
抛负载脉冲抑制:
注:最大。电压的DUT暴露是
注意:
大约45 V.
V
S
= 30 V
±20%
T = 150毫秒
±20%
T
R
90%
峰值的10%;
参考= V
R
, I
R
10%
V
R
, I
R
VS
T
图3.抛负载波形定义
http://onsemi.com
4
NUD3124
140
I
DSS
,漏极漏电流(毫安)
V
S
,负载突降(伏)
14
12
10
V
DS
= 28 V
8
6
4
2
0
50
25
0
25
50
75
100
125
120
100
80
60
40
80 110
140
170
200
230
260
290
320 350
继电器线圈( W)
T
J
,结温( ° C)
图4.抛负载能力与
继电器线圈的直流电阻
图5.漏极 - 源极与漏
结温
80
BV
DSS
击穿电压( V)
I
GSS
栅极漏电流(毫安)
70
60
V
GS
= 5 V
50
40
V
GS
= 3 V
30
20
50
34.8
34.6
34.4
34.2
34.0
33.8
33.6
33.4
50
25
0
25
50
75
100
125
I
D
= 10毫安
25
0
25
50
75
100
125
T
J
,结温( ° C)
T
J
,结温( ° C)
图6.栅极 - 源极与漏
结温
图7.击穿电压与结
温度
1
0.01
V
GS
= 5 V
I
D
漏电流( A)
1
V
DS
= 0.8 V
0.1
V
GS
= 3 V
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 2 V
125
°C
I
D
漏电流( A)
0.01
0.001
1E04
85
°C
25
°C
40
°C
1E06
V
GS
= 1 V
1E04
1E05
1E06
1E08
1E10
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
1E07
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
V
DS
,漏极至源极电压( V)
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
图8.输出特性
图9.传输功能
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5
NUD3124
汽车感性负载
司机
这MicroIntegrationt部分提供了一个单一的组件解决方案
切换感性负载,如继电器,螺线管和小DC
如果电动机没有一个续流二极管的需要。它接受逻辑
电平的输入,从而允许它由大量的各种设备的驱动
包括逻辑门电路,逆变器和微控制器。
特点
http://onsemi.com
提供直流继电器线圈和敏感之间强大的接口
逻辑
能够驱动继电器线圈额定功率高达150 mA的12伏特
替换3或4分立元件的成本更低
内部稳压器无需为续流二极管
会见负载突降和其他汽车规格
无铅包装是否可用
3
1
2
SOT23
CASE 318
21风格
标记DIAGRAMS
JW6
JW6 =具体设备守则
D
=日期代码
典型应用
汽车和工业环境
驾驶窗,锁,门,继电器天线
好处
6
1
SC74
CASE 318F
风格7
JW6
减少PCB空间
标准化驱动继电器的宽范围
简化电路设计和PCB布局
符合汽车要求
内部电路图
漏极(3)
漏(6)
JW6 =具体设备守则
D
=日期代码
漏极(3)
门(1)
10 k
100 K
门(2)
10 k
100 K
10 k
100 K
门(5)
源(2)
CASE 318
源(1)
资料来源( 4 )
CASE 318F
订购信息
设备
SOT23
SOT23
(无铅)
SC74
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
NUD3124LT1
NUD3124LT1G
NUD3124DMT1
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2004年
1
2004年6月 - 8版本
出版订单号:
NUD3124/D
NUD3124
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编)
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
E
Z
漏极至源极电压 - 连续
(T
J
= 125°C)
栅极 - 源极电压 - 连续
(T
J
= 125°C)
漏电流 - 连续
(T
J
= 125°C)
单脉冲漏极 - 源极雪崩能量
(对于80继电器的线圈/电感负载
W
或更高版本)
(T
J
初步= 85°C )
峰值功耗,漏极 - 源极(注1及2 )
(T
J
初步= 85°C )
抛负载脉冲抑制,漏 - 源极(注3和4 )
(抑制波形: V
s
= 45 V ,R
来源
= 0.5
W,
T = 200毫秒)
(对于80继电器的线圈/电感负载
W
或更高版本)
(T
J
初步= 85°C )
电感式开关瞬态1 ,漏 - 源
(波形,R
来源
= 10
W,
T为2.0毫秒)
(对于80继电器的线圈/电感负载
W
或更高版本)
(T
J
初步= 85°C )
电感式开关瞬态2 ,漏 - 源
(波形,R
来源
= 4.0
W,
T = 50
女士)
(对于80继电器的线圈/电感负载
W
或更高版本)
(T
J
初步= 85°C )
反向电池, 10分钟(漏 - 源)
(对于80继电器的线圈/电感负载
W
或更多)
双电压跳开始, 10分钟(漏 - 源)
人体模型( HBM )
根据EIA / JESD22 / A114规格
等级
价值
28
12
150
250
单位
V
V
mA
mJ
P
PK
E
LD1
20
80
W
V
E
LD2
100
V
E
LD3
300
V
REV -BAT
双伏
ESD
1.
2.
3.
4.
14
28
2,000
V
V
V
非重复性电流脉冲方波, 1.0毫秒的时间。
对于不同的方波脉冲持续时间,见图2 。
非重复性负载突降抑制按照图3脉冲。
对于继电器的线圈/电感负载高于80
W,
参见图4 。
热特性
符号
T
A
T
J
T
英镑
P
D
P
D
R
qJA
工作环境温度
最高结温
存储温度范围
总功率耗散(注5 )
降额25℃以上
总功率耗散(注5 )
降额25℃以上
热阻结到环境(注5 )
SOT23
SC74
SOT23
SC74
等级
价值
-40至125
150
-65到150
225
1.8
380
3.0
556
329
单位
°C
°C
°C
mW
毫瓦/°C的
mW
毫瓦/°C的
° C / W
5.安装在最小焊盘板。
http://onsemi.com
2
NUD3124
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编)
特征
开关特性
漏极至源极耐受电压
(I
D
= 10 mA)的
漏极至源极漏电流
(V
DS
= 12 V, V
GS
= 0 V)
(V
DS
= 12 V, V
GS
= 0 V ,T
J
= 125°C)
(V
DS
= 28 V, V
GS
= 0 V)
(V
DS
= 28 V, V
GS
= 0 V ,T
J
= 125°C)
门体漏电流
(V
GS
= 3.0 V, V
DS
= 0 V)
(V
GS
= 3.0 V, V
DS
= 0 V ,T
J
= 125°C)
(V
GS
= 5.0 V, V
DS
= 0 V)
(V
GS
= 5.0 V, V
DS
= 0 V ,T
J
= 125°C)
基本特征
栅极阈值电压
(V
GS
= V
DS
, I
D
= 1.0 mA)的
(V
GS
= V
DS
, I
D
= 1.0毫安,T
J
= 125°C)
漏极至源极导通电阻
(I
D
= 150毫安, V
GS
= 3.0 V)
(I
D
= 150毫安, V
GS
= 3.0 V,T
J
= 125°C)
(I
D
= 150毫安, V
GS
= 5.0 V)
(I
D
= 150毫安, V
GS
= 5.0 V ,T
J
= 125°C)
连续输出电流
(V
DS
= 0.25 V, V
GS
= 3.0 V)
(V
DS
= 0.25 V, V
GS
= 3.0 V,T
J
= 125°C)
正向跨导
(V
DS
= 12 V,I
D
= 150 mA)的
动态特性
输入电容
(V
DS
= 12 V, V
GS
= 0 V , F = 10千赫)
输出电容
(V
DS
= 12 V, V
GS
= 0 V , F = 10千赫)
传输电容
(V
DS
= 12 V, V
GS
= 0 V , F = 10千赫)
开关特性
传播延迟时间:
高到低传输延迟;图1中, (Ⅴ
DS
= 12 V, V
GS
= 3.0 V)
从低到高传输延迟;图1中, (Ⅴ
DS
= 12 V, V
GS
= 3.0 V)
高到低传输延迟;图1中, (Ⅴ
DS
= 12 V, V
GS
= 5.0 V)
从低到高传输延迟;图1中, (Ⅴ
DS
= 12 V, V
GS
= 5.0 V)
转换时间:
下降时间;图1中, (Ⅴ
DS
= 12 V, V
GS
= 3.0 V)
上升时间;图1中, (Ⅴ
DS
= 12 V, V
GS
= 3.0 V)
下降时间;图1中, (Ⅴ
DS
= 12 V, V
GS
= 5.0 V)
上升时间;图1中, (Ⅴ
DS
= 12 V, V
GS
= 5.0 V)
ns
t
PHL
t
PLH
t
PHL
t
PLH
890
912
324
1280
ns
t
f
t
r
t
f
t
r
2086
708
556
725
西塞
科斯
CRSS
32
21
8.0
pf
pf
pf
V
GS ( TH)
1.3
1.3
R
DS ( ON)
I
DS ( ON)
150
140
g
FS
200
500
mmho
1.4
1.7
0.8
1.1
mA
1.8
2.0
2.0
W
V
V
BRDSS
I
DSS
I
GSS
60
80
90
110
0.5
1.0
50
80
mA
28
34
38
V
mA
符号
典型值
最大
单位
http://onsemi.com
3
NUD3124
典型性能曲线
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
V
IH
V
in
50%
0V
t
PHL
90%
V
OUT
50%
10%
V
OL
t
r
t
PLH
V
OH
t
f
图1.开关波形
25
P
pk
,峰值浪涌功率( W)
20
15
10
5
0
1
10
P
W
,脉冲宽度(毫秒)
100
图2.最大非重复浪涌
功率与脉冲宽度
抛负载脉冲不抑制:
V
R
= 13.5 V额定
±10%
V
S
= 60 V额定
±10%
T = 300 ms的名义
±10%
T
R
= 1 - 10毫秒
±10%
抛负载脉冲抑制:
注:最大。电压的DUT暴露是
注意:
大约45 V.
V
S
= 30 V
±20%
T = 150毫秒
±20%
T
R
90%
峰值的10%;
参考= V
R
, I
R
10%
V
R
, I
R
VS
T
图3.抛负载波形定义
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4
NUD3124
140
I
DSS
,漏极漏电流(毫安)
V
S
,负载突降(伏)
14
12
10
V
DS
= 28 V
8
6
4
2
0
50
25
0
25
50
75
100
125
120
100
80
60
40
80 110
140
170
200
230
260
290
320 350
继电器线圈( W)
T
J
,结温( ° C)
图4.抛负载能力与
继电器线圈的直流电阻
图5.漏极 - 源极与漏
结温
80
BV
DSS
击穿电压( V)
I
GSS
栅极漏电流(毫安)
70
60
V
GS
= 5 V
50
40
V
GS
= 3 V
30
20
50
34.8
34.6
34.4
34.2
34.0
33.8
33.6
33.4
50
25
0
25
50
75
100
125
I
D
= 10毫安
25
0
25
50
75
100
125
T
J
,结温( ° C)
T
J
,结温( ° C)
图6.栅极 - 源极与漏
结温
图7.击穿电压与结
温度
1
0.01
V
GS
= 5 V
I
D
漏电流( A)
1
V
DS
= 0.8 V
0.1
V
GS
= 3 V
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 2 V
125
°C
I
D
漏电流( A)
0.01
0.001
1E04
85
°C
25
°C
40
°C
1E06
V
GS
= 1 V
1E04
1E05
1E06
1E08
1E10
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
1E07
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
V
DS
,漏极至源极电压( V)
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
图8.输出特性
图9.传输功能
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5
NUD3124
汽车感性负载
司机
这MicroIntegrationt部分提供了一个单一的组件解决方案
切换感性负载,如继电器,螺线管和小DC
如果电动机没有一个续流二极管的需要。它接受逻辑
电平的输入,从而允许它由大量的各种设备的驱动
包括逻辑门电路,逆变器和微控制器。
特点
http://onsemi.com
提供直流继电器线圈和敏感之间强大的接口
逻辑
能够驱动继电器线圈额定功率高达150 mA的12伏特
替换3或4分立元件的成本更低
内部稳压器无需为续流二极管
会见负载突降和其他汽车规格
无铅包装是否可用
3
1
2
SOT23
CASE 318
21风格
标记DIAGRAMS
JW6
JW6 =具体设备守则
D
=日期代码
典型应用
汽车和工业环境
驾驶窗,锁,门,继电器天线
好处
6
1
SC74
CASE 318F
风格7
JW6
减少PCB空间
标准化驱动继电器的宽范围
简化电路设计和PCB布局
符合汽车要求
内部电路图
漏极(3)
漏(6)
JW6 =具体设备守则
D
=日期代码
漏极(3)
门(1)
10 k
100 K
门(2)
10 k
100 K
10 k
100 K
门(5)
源(2)
CASE 318
源(1)
资料来源( 4 )
CASE 318F
订购信息
设备
SOT23
SOT23
(无铅)
SC74
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
NUD3124LT1
NUD3124LT1G
NUD3124DMT1
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2004年
1
2004年6月 - 8版本
出版订单号:
NUD3124/D
NUD3124
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编)
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
E
Z
漏极至源极电压 - 连续
(T
J
= 125°C)
栅极 - 源极电压 - 连续
(T
J
= 125°C)
漏电流 - 连续
(T
J
= 125°C)
单脉冲漏极 - 源极雪崩能量
(对于80继电器的线圈/电感负载
W
或更高版本)
(T
J
初步= 85°C )
峰值功耗,漏极 - 源极(注1及2 )
(T
J
初步= 85°C )
抛负载脉冲抑制,漏 - 源极(注3和4 )
(抑制波形: V
s
= 45 V ,R
来源
= 0.5
W,
T = 200毫秒)
(对于80继电器的线圈/电感负载
W
或更高版本)
(T
J
初步= 85°C )
电感式开关瞬态1 ,漏 - 源
(波形,R
来源
= 10
W,
T为2.0毫秒)
(对于80继电器的线圈/电感负载
W
或更高版本)
(T
J
初步= 85°C )
电感式开关瞬态2 ,漏 - 源
(波形,R
来源
= 4.0
W,
T = 50
女士)
(对于80继电器的线圈/电感负载
W
或更高版本)
(T
J
初步= 85°C )
反向电池, 10分钟(漏 - 源)
(对于80继电器的线圈/电感负载
W
或更多)
双电压跳开始, 10分钟(漏 - 源)
人体模型( HBM )
根据EIA / JESD22 / A114规格
等级
价值
28
12
150
250
单位
V
V
mA
mJ
P
PK
E
LD1
20
80
W
V
E
LD2
100
V
E
LD3
300
V
REV -BAT
双伏
ESD
1.
2.
3.
4.
14
28
2,000
V
V
V
非重复性电流脉冲方波, 1.0毫秒的时间。
对于不同的方波脉冲持续时间,见图2 。
非重复性负载突降抑制按照图3脉冲。
对于继电器的线圈/电感负载高于80
W,
参见图4 。
热特性
符号
T
A
T
J
T
英镑
P
D
P
D
R
qJA
工作环境温度
最高结温
存储温度范围
总功率耗散(注5 )
降额25℃以上
总功率耗散(注5 )
降额25℃以上
热阻结到环境(注5 )
SOT23
SC74
SOT23
SC74
等级
价值
-40至125
150
-65到150
225
1.8
380
3.0
556
329
单位
°C
°C
°C
mW
毫瓦/°C的
mW
毫瓦/°C的
° C / W
5.安装在最小焊盘板。
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2
NUD3124
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编)
特征
开关特性
漏极至源极耐受电压
(I
D
= 10 mA)的
漏极至源极漏电流
(V
DS
= 12 V, V
GS
= 0 V)
(V
DS
= 12 V, V
GS
= 0 V ,T
J
= 125°C)
(V
DS
= 28 V, V
GS
= 0 V)
(V
DS
= 28 V, V
GS
= 0 V ,T
J
= 125°C)
门体漏电流
(V
GS
= 3.0 V, V
DS
= 0 V)
(V
GS
= 3.0 V, V
DS
= 0 V ,T
J
= 125°C)
(V
GS
= 5.0 V, V
DS
= 0 V)
(V
GS
= 5.0 V, V
DS
= 0 V ,T
J
= 125°C)
基本特征
栅极阈值电压
(V
GS
= V
DS
, I
D
= 1.0 mA)的
(V
GS
= V
DS
, I
D
= 1.0毫安,T
J
= 125°C)
漏极至源极导通电阻
(I
D
= 150毫安, V
GS
= 3.0 V)
(I
D
= 150毫安, V
GS
= 3.0 V,T
J
= 125°C)
(I
D
= 150毫安, V
GS
= 5.0 V)
(I
D
= 150毫安, V
GS
= 5.0 V ,T
J
= 125°C)
连续输出电流
(V
DS
= 0.25 V, V
GS
= 3.0 V)
(V
DS
= 0.25 V, V
GS
= 3.0 V,T
J
= 125°C)
正向跨导
(V
DS
= 12 V,I
D
= 150 mA)的
动态特性
输入电容
(V
DS
= 12 V, V
GS
= 0 V , F = 10千赫)
输出电容
(V
DS
= 12 V, V
GS
= 0 V , F = 10千赫)
传输电容
(V
DS
= 12 V, V
GS
= 0 V , F = 10千赫)
开关特性
传播延迟时间:
高到低传输延迟;图1中, (Ⅴ
DS
= 12 V, V
GS
= 3.0 V)
从低到高传输延迟;图1中, (Ⅴ
DS
= 12 V, V
GS
= 3.0 V)
高到低传输延迟;图1中, (Ⅴ
DS
= 12 V, V
GS
= 5.0 V)
从低到高传输延迟;图1中, (Ⅴ
DS
= 12 V, V
GS
= 5.0 V)
转换时间:
下降时间;图1中, (Ⅴ
DS
= 12 V, V
GS
= 3.0 V)
上升时间;图1中, (Ⅴ
DS
= 12 V, V
GS
= 3.0 V)
下降时间;图1中, (Ⅴ
DS
= 12 V, V
GS
= 5.0 V)
上升时间;图1中, (Ⅴ
DS
= 12 V, V
GS
= 5.0 V)
ns
t
PHL
t
PLH
t
PHL
t
PLH
890
912
324
1280
ns
t
f
t
r
t
f
t
r
2086
708
556
725
西塞
科斯
CRSS
32
21
8.0
pf
pf
pf
V
GS ( TH)
1.3
1.3
R
DS ( ON)
I
DS ( ON)
150
140
g
FS
200
500
mmho
1.4
1.7
0.8
1.1
mA
1.8
2.0
2.0
W
V
V
BRDSS
I
DSS
I
GSS
60
80
90
110
0.5
1.0
50
80
mA
28
34
38
V
mA
符号
典型值
最大
单位
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3
NUD3124
典型性能曲线
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
V
IH
V
in
50%
0V
t
PHL
90%
V
OUT
50%
10%
V
OL
t
r
t
PLH
V
OH
t
f
图1.开关波形
25
P
pk
,峰值浪涌功率( W)
20
15
10
5
0
1
10
P
W
,脉冲宽度(毫秒)
100
图2.最大非重复浪涌
功率与脉冲宽度
抛负载脉冲不抑制:
V
R
= 13.5 V额定
±10%
V
S
= 60 V额定
±10%
T = 300 ms的名义
±10%
T
R
= 1 - 10毫秒
±10%
抛负载脉冲抑制:
注:最大。电压的DUT暴露是
注意:
大约45 V.
V
S
= 30 V
±20%
T = 150毫秒
±20%
T
R
90%
峰值的10%;
参考= V
R
, I
R
10%
V
R
, I
R
VS
T
图3.抛负载波形定义
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4
NUD3124
140
I
DSS
,漏极漏电流(毫安)
V
S
,负载突降(伏)
14
12
10
V
DS
= 28 V
8
6
4
2
0
50
25
0
25
50
75
100
125
120
100
80
60
40
80 110
140
170
200
230
260
290
320 350
继电器线圈( W)
T
J
,结温( ° C)
图4.抛负载能力与
继电器线圈的直流电阻
图5.漏极 - 源极与漏
结温
80
BV
DSS
击穿电压( V)
I
GSS
栅极漏电流(毫安)
70
60
V
GS
= 5 V
50
40
V
GS
= 3 V
30
20
50
34.8
34.6
34.4
34.2
34.0
33.8
33.6
33.4
50
25
0
25
50
75
100
125
I
D
= 10毫安
25
0
25
50
75
100
125
T
J
,结温( ° C)
T
J
,结温( ° C)
图6.栅极 - 源极与漏
结温
图7.击穿电压与结
温度
1
0.01
V
GS
= 5 V
I
D
漏电流( A)
1
V
DS
= 0.8 V
0.1
V
GS
= 3 V
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 2 V
125
°C
I
D
漏电流( A)
0.01
0.001
1E04
85
°C
25
°C
40
°C
1E06
V
GS
= 1 V
1E04
1E05
1E06
1E08
1E10
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
1E07
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
V
DS
,漏极至源极电压( V)
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
图8.输出特性
图9.传输功能
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    NUD3124LT1G
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880133232 复制 点击这里给我发消息 QQ:2880133232 复制 点击这里给我发消息 QQ:2880133232 复制

电话:0755-83202411
联系人:杨泽鹏
地址:深圳市福田区 汉国中心55楼
NUD3124LT1G
ON(安森美)
22+
12472
原装原厂公司现货
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电话:13528893675
联系人:朱先生
地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋5楼B01室。 香港特別行政區中环皇后大道中5號衡怡大厦2432室
NUD3124LT1G
ON(安森美)
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SOT-23(SOT-23-3)
原装正品
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电话:0755-83222787/23999932
联系人:林小姐 胡先生 张先生
地址:深圳市华强北赛格科技园3栋东座10楼A2
NUD3124LT1G
ON
24+
8150
SOT23-3
全新原装现货,欢迎询购!!
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电话:15899765957 19573525995
联系人:朱小姐
地址:深圳市福田区华强北街道华航社区海外装饰大厦B座539
NUD3124LT1G
ON(安森美)
24+
7450
SOT-23(SOT-23-3)
原装正品热卖
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1686616797 复制 点击这里给我发消息 QQ:2440138151 复制
电话:0755-22655674/15099917285
联系人:小邹
地址:深圳市福田区上步工业区201栋西座228室
NUD3124LT1G
ON
25+
5866
原厂封装
只做原装★全系列销售★优势供应
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2891128682 复制

电话:18820154873
联系人:李
地址:华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋西6层C6A10
NUD3124LT1G
ON/安森美
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原厂授权一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:575915585 复制

电话:0755-23991909
联系人:林裕忠
地址:深圳市福田区中航路国利大厦新亚洲电子市场二期N4C478房间
NUD3124LT1G
ON(安森美)
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全新原装正品,热卖价优
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
NUD3124LT1G
ON Semiconductor
18+
72000
SOT-23-3 (TO-236)
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1035825679 复制 点击这里给我发消息 QQ:63023645 复制 点击这里给我发消息 QQ:1473151216 复制
电话:0755-82121176
联系人:吴小姐/朱先生
地址:罗湖区泥岗东路1116号红岗花园2栋一单元502室
NUD3124LT1G
ON(安森美)
23+/24+
4235
原厂原装
全新原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3003319701 复制
电话:0755-23612326
联系人:唐
地址:福田区振兴路华康大厦1栋519室
NUD3124LT1G
ON
2019
79600
SOT-23
原装正品 钻石品质 假一赔十
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