NTLJS4114N
功率MOSFET
特点
30 V ， 7.8 A，
mCoolt
单N沟道，
2×2 mm的WDFN封装
WDFN封装提供的暴露漏极焊盘为优良的热
传导
2×2毫米的尺寸相同， SC- 88
低R
DS （ ON）
采用2x2毫米封装
1.8 V R
DS （ ON）
评级工作在低电压逻辑电平门
DRIVE
薄型（ < 0.8mm）的，便于适合于薄的环境
这是一个Pb - Free设备
V
（ BR ） DSS
http://onsemi.com
R
DS （ ON）
最大
35毫瓦@ 4.5 V
30 V
45毫瓦@ 2.5 V
55毫瓦@ 1.8 V
S
7.8 A
I
D
最大
（注1 ）
应用
DC- DC转换器
升压电路的LED背光源
优化电池和负载管理的应用
便携式设备如手机，掌上电脑，媒体播放器等。
低压侧负载开关的嘈杂环境
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
电流（注1 ）
稳定
状态
t
≤
5s
功耗
（注1 ）
稳定
状态
t
≤
5s
连续漏极
电流（注2 ）
功耗
（注2 ）
漏电流脉冲
T
A
= 25°C
稳定
状态
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
t
p
= 10
ms
P
D
I
DM
T
J
, T
英镑
I
S
T
L
I
D
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
P
D
T
A
= 25°C
3.3
3.6
2.6
0.70
28
-55
150
3.0
260
W
D
A
°C
A
°C
G
3
2
A
D
1
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
30
±12
6.0
4.4
7.8
1.92
W
单位
V
V
A
销1
S
G
D
N沟道MOSFET
D
WDFN6
CASE 506AP
风格1
记号
图
1
2
3
6
JA M
G
5
G
4
JA
=具体设备守则
M
=日期代码
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
引脚连接
6
5
4
D
D
S
D
S
（ TOP VIEW ）
工作结温和存储温度
源电流（体二极管） （注2 ）
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
订购信息
设备
NTLJS4114NT1G
包
WDFN6
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.表面安装在FR4板采用1平方焊盘尺寸（铜面积为1.127平方英寸
[ 2盎司]包括痕迹） 。
2.表面安装在FR4电路板使用推荐的最小焊盘尺寸
30 mm2时， 2盎司铜。
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
出版订单号：
NTLJS4114N/D
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年11月 - 第1版
NTLJS4114N
热电阻额定值
参数
结 - 环境 - 稳态（注3 ）
结 - 环境 - 吨
≤
5秒（注3）
结 - 环境 - 稳态分钟垫（注4 ）
符号
R
qJA
R
qJA
R
qJA
最大
65
38
180
° C / W
单位
3.表面安装在FR4板采用1平方焊盘尺寸（铜面积为1.127平方英寸[ 2盎司]包括痕迹） 。
4.表面安装使用推荐的最小焊盘尺寸FR4电路板（ 30毫米
2
， 2盎司铜） 。
MOSFET电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
开关特性
漏极至源极击穿电压
漏极至源极击穿电压
温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
基本特征
（注5 ）
栅极阈值电压
负门极阈值
温度COEF网络cient
漏极 - 源极导通电阻
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 2.0 A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 2.0 A
V
GS
= 1.8 V，I
D
= 1.8 A
正向跨导
g
FS
V
DS
= 16 V，I
D
= 2.0 A
收费，电容和栅极电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏极电荷
栅极电阻
开关特性
（注6 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
= 4.5 V, V
DD
= 15 V,
I
D
= 2.0 A，R
G
= 3.0
W
5
9
20
4
ns
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
G（ TH ）
Q
GS
Q
GD
R
G
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 15 V,
I
D
= 2.0 A
650
V
GS
= 0 V ， F = 1.0 MHz时，
V
DS
= 15 V
115.5
70
8.5
0.6
0.9
2.1
3.0
W
13
nC
pF
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
mA
0.4
0.55
3.18
20.3
25.8
35.2
8
35
45
55
S
1.0
V
毫伏/°C的
mW
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
I
DSS
I
GSS
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
I
D
= 250
毫安，
裁判25℃
T
J
= 25°C
T
J
= 85°C
30
20
1.0
10
±100
nA
V
毫伏/°C的
mA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 0 V, V
GS
=
±12
V
漏源二极管特性
正向恢复电压
反向恢复时间
充电时间
放电时间
反向恢复时间
V
SD
t
RR
t
a
t
b
Q
RR
V
GS
= 0 V ，D
ISD
/d
t
= 100 A / MS ，
I
S
= 1.0 A
V
GS
= 0 V ， IS = 2.0 A
T
J
= 25°C
T
J
= 85°C
0.71
0.58
14
8.0
6.0
5.0
nC
35
ns
1.2
V
5.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
6.开关特性是独立的工作结点温度。
http://onsemi.com
2
QQ：2880707522 复制
