NTZD5110N
小信号MOSFET
60伏310毫安，双N沟道
带ESD保护， SOT- 563
特点
低R
DS （ ON）
提高系统效率
低阈值电压
ESD保护门
小尺寸1.6× 1.6毫米
这些无铅器件
负载/功率开关
驱动电路：继电器，灯具，显示器，存储器等
电池管理/电池供电系统
手机，数码相机， PDA，寻呼机等。
http://onsemi.com
V
（ BR ） DSS
60
R
DS （ ON）
最大
1.6
W
@ 10 V
2.5
W
@ 4.5 V
I
D
最大
310毫安
应用
D1
D2
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明。 ）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
电流（注1 ）
功耗
（注1 ）
连续漏极
电流（注1 ）
功耗
（注1 ）
漏电流脉冲
稳定
状态
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
P
D
I
D
P
D
I
DM
T
J
,
T
英镑
I
S
T
L
ESD
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
60
±20
294
212
250
310
225
280
590
55
to
150
350
260
900
mW
mA
°C
mA
°C
V
mW
mA
单位
V
V
mA
G1
G2
S1
N沟道
MOSFET
S2
稳定状态
TV5 s
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
t
v
5s
t
p
= 10
ms
6
1
SOT5636
CASE 463A
记号
图
七D
S7 =具体设备守则
D =日期代码
工作结温和存储温度
源电流（体二极管）
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
门源ESD额定值（ HBM ，方法3015 ）
引脚： SOT- 563
S
1
1
6 D
1
G
1
2
5 G
2
热电阻额定值
参数
结 - 环境 - 稳态（注1 ）
结 - 环境 - 吨
v
5秒（注1 ）
符号
R
qJA
最大
500
447
单位
° C / W
D
2
3
顶视图
4 S
2
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
被超过，设备功能操作不暗示，可能会损坏
和可靠性可能会受到影响。
1.表面安装在FR4板采用1平方焊盘尺寸
（铜，面积=在平[ 1盎司]包括痕迹1.127 ） 。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第4页。
半导体元件工业有限责任公司， 2007年
2007年4月，
第3版
1
出版订单号：
NTZD5110N/D
NTZD5110N
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明。 ）
参数
开关特性
漏极至源极击穿电压
漏极至源极击穿电压
温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
I
DSS
V
GS
= 0 V
V
DS
= 60 V
V
GS
= 0 V
V
DS
= 50 V
栅极 - 源极漏电流
I
GSS
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
60
71
1.0
500
100
"10
450
150
nA
mA
nA
nA
V
毫伏/°C的
mA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"10
V
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"5.0
V
基本特征
（注3）
栅极阈值电压
负阈值温度系数
漏极至源极导通电阻
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
/T
J
R
DS （ ON）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
G（ TH ）
Q
GS
Q
GD
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
T
J
= 25°C
T
J
= 85°C
V
GS
= 10 V, V
DD
= 30 V,
I
D
= 200毫安，R
G
= 10
W
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 10 V;
I
D
= 200毫安
V
GS
= 0 V ， F = 1.0 MHz时，
V
DS
= 20 V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
mA
V
GS
= 10 V，I
D
= 500毫安
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 200毫安
V
DS
= 5.0 V，I
D
= 200毫安
1.0
4.0
1.19
1.33
80
2.5
1.6
2.5
S
V
毫伏/°C的
W
正向跨导
收费和电容
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏极电荷
开关特性
（注4 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
漏源二极管特性
正向二极管电压
24.5
4.2
2.2
0.7
0.1
0.3
0.1
pF
nC
12
7.3
63.7
30.6
ns
V
SD
V
GS
= 0 V,
I
S
= 200毫安
0.8
0.7
1.2
V
2.表面装上用1 FR4板。平方垫尺寸（ Cu等。面积=在平方[ 1盎司]包括痕量1.127 ） 。
3.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v2%.
4.开关的特点是独立的工作结点温度。
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2
NTZD5110N
典型特征
C
国际空间站
C，电容（pF ）
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
30
5
4
3
2
1
0
T
J
= 25°C
I
D
= 0.2 A
20
T
J
= 25°C
V
GS
= 0 V
C
OSS
10
0
C
RSS
0
4
8
12
16
20
0
0.2
0.4
0.6
0.8
栅极 - 源极或漏极至源极电压（ V）
QG ，总栅极电荷（ NC）
图7.电容变化
10
V
GS
= 0 V
I
S
，源电流（ A）
图8.栅极 - 源极和
漏极至源极电压与总充电
1
T
J
= 85°C
0.1
T
J
= 25°C
0.01
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
图9.二极管的正向电压与电流
订购信息
设备
NTZD5110NT1
NTZD5110NT1G
包
SOT563
SOT563
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装Specifi-
阳离子小册子， BRD8011 / D 。
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4
NTZD5110N
包装尺寸
SOT - 563 ，比6领先
CASE 463A -01
版本D
注意事项：
1.尺寸和公差PER
ANSI Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米
3.最大引线厚度INCLUDES
铅涂层厚度。最低LEAD
厚度为最小厚度
基础材料。作者：
MILLIMETERS
民
最大
1.50
1.70
1.10
1.30
0.50
0.60
0.17
0.27
0.50 BSC
0.08
0.18
0.10
0.30
1.50
1.70
英寸
民
最大
0.059 0.067
0.043 0.051
0.020 0.024
0.007 0.011
0.020 BSC
0.003 0.007
0.004 0.012
0.059 0.067
A
X
6
5
4
C
K
1
2
3
B
Y
D
6 PL
5
0.08 (0.003)
S
G
J
M
X Y
暗淡
A
B
C
D
G
J
K
S
焊接足迹*
0.3
0.0118
0.45
0.0177
1.35
0.0531
1.0
0.0394
0.5
0.5
0.0197 0.0197
尺度20:1
mm
英寸
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安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
安森美半导体
和
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5
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