NTR4171P
功率MOSFET
30
V,
3.5
A单P沟道， SOT -23
特点
低R
DS （ ON）
在低栅极电压
低阈值电压
高功率和电流处理能力
这是一个Pb - Free设备
http://onsemi.com
V
（ BR ） DSS
R
DS （ ON）
最大
75毫瓦@
10
V
30
V
110毫瓦@
4.5
V
150毫瓦@
2.5
V
I
D
最大
2.2
A
1.8
A
1.0
A
应用
负荷开关
优化电池和负载管理的应用
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
电流（注1 ）
稳定
状态
t
≤
5s
功耗
（注1 ）
稳定
状态
t
≤
5s
漏电流脉冲
t
p
= 10
ms
I
DM
T
J
,
T
英镑
I
S
T
L
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
P
D
1.25
15.0
55
to
150
1.0
260
I
D
符号
V
DSS
V
GS
价值
30
±12
2.2
1.5
3.5
0.48
便携式设备如手机， PDA的，媒体播放器等。
P沟道MOSFET
单位
V
V
G
A
D
W
3
A
°C
mA
°C
1
2
SOT23
CASE 318
21风格
S
标记图/
引脚分配
3
漏
TRFMG
G
1
门
2
来源
工作结温和存储温度
源电流（体二极管）
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
热电阻额定值
参数
结到环境
稳态（注1 ）
结到环境
t
≤
10秒（注1 ）
符号
R
qJA
R
qJA
最大
260
100
单位
° C / W
TRF
=具体设备守则
M
=日期代码
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
设备
NTR4171PT1G
NTR4171PT3G
包
SOT23
（无铅）
SOT23
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
10000 /磁带&卷轴
1.表面安装用1平方焊盘尺寸（铜区FR4板= 1.127平方英寸
[ 2盎司]包括痕迹）
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2008年
2008年6月，
第0版
1
出版订单号：
NTR4171P/D
NTR4171P
MOSFET电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
开关特性
漏极至源极击穿电压
漏极至源极击穿电压
温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
基本特征
（注3）
栅极阈值电压
负阈值温度系数
漏极 - 源极导通电阻
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS
=
10
V，I
D
=
2.2
A
V
GS
=
4.5
V，I
D
=
1.8
A
V
GS
=
2.5
V，I
D
=
1.0
A
正向跨导
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
G（ TH ）
Q
GS
Q
GD
Q
G（ TOT ）
Q
G（ TH ）
Q
GS
Q
GD
R
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
RR
t
a
t
b
Q
RR
V
GS
= 0 V，I
S
=
1.0
A,
dI
SD
/d
t
= 100 A / MS
V
GS
= 0 V，I
S
=
1.0
A，T
J
= 25°C
V
GS
=
4.5
V, V
DS
=
15
V,
I
D
=
3.5
A，R
G
= 6
W
V
GS
=
10
V, V
DS
=
15
V,
I
D
=
3.5
A，R
G
= 6
W
V
GS
=
4.5
V, V
DS
=
15
V,
I
D
=
3.5
A
V
GS
=
10
V, V
DS
=
15
V,
I
D
=
3.5
A
V
DS
=
5.0
V，I
D
=
2.2
A
收费，电容和栅极电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏极电荷
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏极电荷
栅极电阻
720
V
GS
= 0 V ， F = 1.0 MHz时，
V
DS
=
15
V
95
65
15.6
0.7
1.6
2.6
7.4
0.7
1.6
2.6
6.1
W
ns
nC
nC
pF
V
GS
= V
DS
, I
D
=
250
mA
0.7
1.15
3.5
50
60
90
7.0
75
110
150
S
1.4
V
毫伏/°C的
mW
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
I
DSS
I
GSS
V
GS
= 0 V，I
D
=
250
mA
I
D
=
250
毫安，
参考至25℃
V
GS
= 0 V, V
DS
=
24
V，T
J
= 25°C
V
GS
= 0 V, V
DS
=
24
V，T
J
= 85°C
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"12
V
30
24
1.0
5.0
±0.1
V
毫伏/°C的
mA
mA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性，V
GS
= 4.5 V
（注4 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
漏源二极管特性
正向二极管电压
反向恢复时间
充电时间
放电时间
反向恢复电荷
0.8
14
10
4.0
8.0
nC
1.2
V
ns
8.0
11
32
14
9.0
16
25
22
ns
2.表面装上用1平方英寸垫的尺寸FR4板（铜面积= 1.127平方英寸[ 2盎司]包括迹线）
3.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%
4.开关的特点是独立的工作结点温度
http://onsemi.com
2
产品speci fi cation
NTR4171P
功率MOSFET
30
V,
3.5
A单P沟道， SOT -23
特点
V
（ BR ） DSS
R
DS （ ON）
最大
75毫瓦@
10
V
30
V
110毫瓦@
4.5
V
150毫瓦@
2.5
V
I
D
最大
2.2
A
1.8
A
1.0
A
低R
DS （ ON）
在低栅极电压
低阈值电压
高功率和电流处理能力
这是一个Pb - Free设备
P沟道MOSFET
S
应用
负荷开关
优化电池和负载管理的应用
便携式设备如手机， PDA的，媒体播放器等。
G
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
电流（注1 ）
稳定
状态
t
≤
5s
功耗
（注1 ）
稳定
状态
t
≤
5s
漏电流脉冲
t
p
= 10
ms
I
DM
T
J
,
T
英镑
I
S
T
L
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
P
D
1.25
15.0
55
to
150
1.0
260
A
°C
A
°C
I
D
符号
V
DSS
V
GS
价值
30
±12
2.2
1.5
3.5
0.48
W
A
单位
V
V
1
2
SOT23
CASE 318
21风格
3
D
标记图/
引脚分配
3
漏
TRFMG
G
1
门
2
来源
工作结温和存储温度
源电流（体二极管）
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
TRF
=具体设备守则
M
=日期代码
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
设备
NTR4171PT1G
NTR4171PT3G
包
SOT23
（无铅）
SOT23
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
10000 /磁带&卷轴
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
热电阻额定值
参数
结到环境
稳态（注1 ）
结到环境
t
≤
10秒（注1 ）
符号
R
qJA
R
qJA
最大
260
100
单位
° C / W
1.表面安装用1平方焊盘尺寸（铜区FR4板= 1.127平方英寸
[ 2盎司]包括痕迹）
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
1 2
产品speci fi cation
MOSFET电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
开关特性
漏极至源极击穿电压
漏极至源极击穿电压
温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
TY特性
（注3）
栅极阈值电压
负阈值温度系数
漏极 - 源极导通电阻
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS
=
10
V，I
D
=
2.2
A
V
GS
=
4.5
V，I
D
=
1.8
A
V
GS
=
2.5
V，I
D
=
1.0
A
正向跨导
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
G（ TH ）
Q
GS
Q
GD
Q
G（ TOT ）
Q
G（ TH ）
Q
GS
Q
GD
R
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
RR
t
a
t
b
Q
RR
V
GS
= 0 V，I
S
=
1.0
A,
dI
SD
/d
t
= 100 A / MS
V
GS
= 0 V，I
S
=
1.0
A，T
J
= 25°C
V
GS
=
4.5
V, V
DS
=
15
V,
I
D
=
3.5
A，R
G
= 6
W
V
GS
=
10
V, V
DS
=
15
V,
I
D
=
3.5
A，R
G
= 6
W
V
GS
=
4.5
V, V
DS
=
15
V,
I
D
=
3.5
A
V
GS
=
10
V, V
DS
=
15
V,
I
D
=
3.5
A
V
DS
=
5.0
V，I
D
=
2.2
A
收费，电容和栅极电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏极电荷
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏极电荷
栅极电阻
V
GS
= V
DS
, I
D
=
250
mA
0.7
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
I
DSS
I
GSS
V
GS
= 0 V，I
D
=
250
mA
I
D
=
250
毫安，
参考至25℃
V
GS
= 0 V, V
DS
=
24
V，T
J
= 25°C
V
GS
= 0 V, V
DS
=
24
V，T
J
= 85°C
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"12
V
30
符号
测试条件
民
NTR4171P
典型值
最大
单位
V
24
1.0
5.0
±0.1
1.15
3.5
50
60
90
7.0
75
110
150
S
1.4
毫伏/°C的
mA
mA
V
毫伏/°C的
mW
720
V
GS
= 0 V ， F = 1.0 MHz时，
V
DS
=
15
V
95
65
15.6
0.7
1.6
2.6
7.4
0.7
1.6
2.6
6.1
pF
nC
nC
W
ns
开关特性，V
GS
= 4.5 V
（注4 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
漏源二极管特性
正向二极管电压
反向恢复时间
充电时间
放电时间
反向恢复电荷
0.8
14
10
4.0
8.0
nC
1.2
V
ns
8.0
11
32
14
9.0
16
25
22
ns
2.表面装上用1平方英寸垫的尺寸FR4板（铜面积= 1.127平方英寸[ 2盎司]包括迹线）
3.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%
4.开关的特点是独立的工作结点温度
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
2 2
QQ：2881677436 复制
