NTQS6463
功率MOSFET
-20 V， -6.8 A， P沟道TSSOP- 8
特点
新的薄型TSSOP- 8封装
超低低R
DS （ ON）
更高的效率延长电池寿命
逻辑电平栅极驱动器
二极管具有高转速，软恢复
较高的雪崩能量
I
DSS
和V
DS （ ON）
指定在高温下
http://onsemi.com
V
DSS
20 V
R
DS （ ON）
典型值
20毫瓦@ -10 V
I
D
最大
6.8 A
应用
在便携式和电池供电产品的电源管理，即：
电脑，打印机， PCMCIA卡，手机和无绳
电话
锂离子电池应用
笔记簿电脑
G
P- CHANNEL
D
最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流（注1 ）
- 连续@ T
A
= 25°C
- 连续@ T
A
= 70°C
- 脉冲（注3）
总功率耗散（注1 ）
@ T
A
= 25°C
漏电流（注2 ）
- 连续@ T
A
= 25°C
- 连续@ T
A
= 70°C
- 脉冲（注3）
总功率耗散（注2 ）
@ T
A
= 25°C
工作和存储
温度范围
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源 - 起始物为
J
= 25°C
(V
DD
= 40 V，I
L
= 18.4 A,
L = 5.0 mH的，R
G
= 25
W)
热电阻 -
结到环境（注1 ）
结到环境（注2 ）
符号
V
DSS
V
GS
I
D
I
D
I
DM
P
D
价值
20
"12
5.5
4.4
"30
0.93
W
1
A
I
D
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
E
AS
6.8
5.4
"30
1.39
-55
+150
845
W
°C
mJ
D
S
S
G
463
Y
WW
N
=器件代码
=年
=工作周
= MOSFET
单位
V
V
A
8
TSSOP8
CASE 948S
塑料
S
记号
图
463
YWW
N
引脚分配
1
2
3
4
顶视图
8
7
6
5
D
S
S
D
R
qJA
134
90
° C / W
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1.最小3 “×3” FR- 4电路板，稳定状态。
2.安装在1 “正方形（1盎司）板，稳态。
3.脉冲测试：脉冲宽度= 300
女士，
占空比= 2 ％ 。
订购信息
设备
NTQS6463
NTQS6463R2
包
TSSOP8
TSSOP8
航运
100单位/铁
3000 /磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年9月 - 第2版
出版订单号：
NTQS6463/D
NTQS6463
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
特征
STATIC
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
A)
门体泄漏（V
GS
= 0 V, V
GS
=
±8
V)
零栅极阈值电压漏电流
(V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V)
(V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 70_C)
漏源导通电阻（注4 ）
(V
GS
= -4.5 V，I
D
= 6.8 A)
(V
GS
= -2.5 V，I
D
= 5.5 A)
正向跨导（V
DS
= -15 V，I
D
= -6.8 A） （注4 ）
二极管的正向电压（I
S
= -1.3 A，V
GS
= 0 V） （注4 ）
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
(V
DD
= 10 V,
10 V
I
D
1.0 A,
1.0
V
GS
= 4.5 V,
R
G
= 6.0
)
60
(I
F
= -1.3 A， di / dt的= 100 A / μs）内
(V
DS
= 10 V,
V
GS
= 5.0 V,
I
D
= 6.8 A)
68
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
28
5.5
9.0
15
22
90
53
45
50
25
40
150
90
80
ns
ns
nC
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
0.016
0.022
21
0.71
0.020
0.027
1.1
S
V
1.0
10
0.45
0.9
±100
V
nA
Α
符号
民
典型值
最大
单位
4.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2%.
http://onsemi.com
2
NTQS6463
功率MOSFET开关
交换行为是最容易建模和预测
由认识到功率MOSFET是充电
控制。各种开关间隔的长度（ΔT）
由如何快速FET输入电容可确定
从发电机通过电流进行充电。
已发布的电容数据是难以用于
计算的上升和下降，因为漏 - 栅电容
变化很大随施加电压。因此，门
电荷数据被使用。在大多数情况下，令人满意的估计
平均输入电流（I
G（ AV ）
）可以由一个作
驱动电路，使得基本的分析
T = Q / I
G（ AV ）
在上升和下降时间间隔切换时，
阻性负载，V
GS
实际上保持恒定的水平
被誉为高原电压，V
SGP
。因此，上升和下降
时间可近似由下：
t
r
= Q
2
个R
G
/(V
GG
V
普遍优惠制
)
t
f
= Q
2
个R
G
/V
普遍优惠制
哪里
V
GG
=栅极驱动电压，其中从0变到V
GG
R
G
=栅极驱动电阻
和Q
2
和V
普遍优惠制
从栅极电荷曲线读取。
在导通和关断延迟时间，栅极电流是
不是恒定的。最简单的计算使用合适的
在一个标准方程用于从所述电容值曲线
电压的变化的RC网络。该方程为：
t
D（上）
= R
G
C
国际空间站
在[V
GG
/(V
GG
V
普遍优惠制
)]
t
D（关闭）
= R
G
C
国际空间站
在（V
GG
/V
普遍优惠制
)
6000
C
国际空间站
5000
C，电容（pF ）
4000
C
RSS
3000
2000
1000
0
10
C
RSS
5
V
GS
0
V
DS
5
10
15
20
C
国际空间站
V
DS
= 0 V
V
GS
= 0
T
J
= 25°C
的电容（C
国际空间站
）从电容曲线上读出在
对应于关断状态的条件时的电压
计算牛逼
D（上）
和读出在对应于一个电压
导通状态时，计算吨
D（关闭）
.
在高开关速度，寄生电路元件
复杂的分析。 MOSFET的电感
源引，内包装，在电路布线
这是通用的漏极和栅极的电流路径，
产生一个电压，在这减小了栅极驱动器的源
电流。该电压由Ldi上/ dt的测定，但由于di / dt的
是漏极电流的函数，在数学溶液
复杂的。 MOSFET的输出电容也
复杂的数学。最后， MOSFET的
有限的内部栅极电阻，有效地增加了
所述驱动源的电阻，但内阻
难以测量，因此，没有被指定。
电阻开关时间变化与门
电阻（图9）显示了如何典型开关
性能由寄生电路元件的影响。如果
寄生效应不存在时，曲线的斜率将
保持统一的值，而不管开关速度。
用于获得所述数据的电路被构造以最小化
在漏极和栅极电路环路共同电感和
被认为是很容易达到的板装
组件。大多数电力电子负载是感性的;该
图中的数据是使用电阻性负载，其
近似的最佳冷落感性负载。动力
的MOSFET可以安全运行成一个感性负载;
然而，不压井作业减少了开关损耗。
C
OSS
栅极 - 源极或漏极至源极电压（ V）
图7.电容变化
http://onsemi.com
4
NTQS6463
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
5
QT
4
V
GS
= 4.5
3
Q1
2
Q2
1000
V
DD
= 16 V
I
D
= 6.8 A
V
GS
= 4.5 V
t
f
T， TIME （ NS ）
t
D（关闭）
100
t
r
1
0
0
4
8
12
16
20
T
J
= 25°C
I
D
= 6.8 A
24
28
t
D（上）
10
1
10
R
G
，栅极电阻（ W）
100
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图8.栅极 - 源极和
漏极至源极电压与总充电
100
I
S
，源电流（ A）
1.2
I
D
，漏电流（ A）
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
图9.电阻开关时间变化
与栅极电阻
安装在2 “平方FR4电路板（ 1 ”平方1盎司铜0.06 “厚单面）
10
10
ms
100
ms
1毫秒
10毫秒
0.8
1
V
GS
= 4.5 V
单脉冲
T
C
= 25°C
R
DS （ ON）
极限
热限制
套餐限制
1
10
dc
0.4
0.1
0
0.4
0.5
0.6
0.7
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
0.01
0.1
100
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图10.二极管的正向电压与
当前
图11.最大额定正向偏置
安全工作区
安全工作区
正向偏置安全工作区曲线定义
的最大同时漏极 - 源极电压和
漏电流的晶体管可以处理安全时，它是
正向偏置。曲线是基于最大峰值
结温度和壳体温度（T
C
） 25℃ 。
重复峰值脉冲功率限制使用确定
在与程序一起使用时的热响应数据
在AN569讨论， “瞬态热阻 -
一般数据和它的使用。 “
关断状态，导通状态可能会之间的切换
遍历所有负载线提供的既不是额定峰值电流
(I
DM
），也不额定电压（V
DSS
）的上限和
过渡时间（t
r
, t
f
）不超过10
女士。
此外，该
总功率平均一个完整的开关周期必须
不超过（T
J（下最大）
T
C
)/(R
θJC
).
指定的E- FET功率MOSFET可以安全使用
与松开感性负载的开关电路。为
可靠的操作，所存储的能量从电路电感
耗散在晶体管，而在雪崩必须小于
超过额定界限和调节操作条件
从这些规定不同。虽然行业惯例是
以速度在能源方面，雪崩能量能力不
一个常数。能量等级降低非线性地与
峰值电流的增加，雪崩和峰值结
温度。
虽然许多E-场效应管能承受的压力
漏极至源极雪崩的电流达额定脉冲
电流（I
DM
） ，能量等级在额定指定
连续电流（I
D
） ，按照产业
自定义。能量等级必须降低温度。
在低于额定连续电流我最大的能量
D
可以
被安全地假定为等于指定的值。
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NTQS6463
功率MOSFET
-20 V， -6.8 A， P沟道TSSOP- 8
特点
新的薄型TSSOP- 8封装
超低低R
DS （ ON）
更高的效率延长电池寿命
逻辑电平栅极驱动器
二极管具有高转速，软恢复
较高的雪崩能量
I
DSS
和V
DS （ ON）
指定在高温下
http://onsemi.com
V
DSS
20 V
R
DS （ ON）
典型值
20毫瓦@ -10 V
I
D
最大
6.8 A
应用
在便携式和电池供电产品的电源管理，即：
电脑，打印机， PCMCIA卡，手机和无绳
电话
锂离子电池应用
笔记簿电脑
G
P- CHANNEL
D
最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流（注1 ）
- 连续@ T
A
= 25°C
- 连续@ T
A
= 70°C
- 脉冲（注3）
总功率耗散（注1 ）
@ T
A
= 25°C
漏电流（注2 ）
- 连续@ T
A
= 25°C
- 连续@ T
A
= 70°C
- 脉冲（注3）
总功率耗散（注2 ）
@ T
A
= 25°C
工作和存储
温度范围
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源 - 起始物为
J
= 25°C
(V
DD
= 40 V，I
L
= 18.4 A,
L = 5.0 mH的，R
G
= 25
W)
热电阻 -
结到环境（注1 ）
结到环境（注2 ）
符号
V
DSS
V
GS
I
D
I
D
I
DM
P
D
价值
20
"12
5.5
4.4
"30
0.93
W
1
A
I
D
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
E
AS
6.8
5.4
"30
1.39
-55
+150
845
W
°C
mJ
D
S
S
G
463
Y
WW
N
=器件代码
=年
=工作周
= MOSFET
单位
V
V
A
8
TSSOP8
CASE 948S
塑料
S
记号
图
463
YWW
N
引脚分配
1
2
3
4
顶视图
8
7
6
5
D
S
S
D
R
qJA
134
90
° C / W
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1.最小3 “×3” FR- 4电路板，稳定状态。
2.安装在1 “正方形（1盎司）板，稳态。
3.脉冲测试：脉冲宽度= 300
女士，
占空比= 2 ％ 。
订购信息
设备
NTQS6463
NTQS6463R2
包
TSSOP8
TSSOP8
航运
100单位/铁
3000 /磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
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1
2004年9月 - 第2版
出版订单号：
NTQS6463/D
NTQS6463
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
特征
STATIC
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
A)
门体泄漏（V
GS
= 0 V, V
GS
=
±8
V)
零栅极阈值电压漏电流
(V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V)
(V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 70_C)
漏源导通电阻（注4 ）
(V
GS
= -4.5 V，I
D
= 6.8 A)
(V
GS
= -2.5 V，I
D
= 5.5 A)
正向跨导（V
DS
= -15 V，I
D
= -6.8 A） （注4 ）
二极管的正向电压（I
S
= -1.3 A，V
GS
= 0 V） （注4 ）
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
(V
DD
= 10 V,
10 V
I
D
1.0 A,
1.0
V
GS
= 4.5 V,
R
G
= 6.0
)
60
(I
F
= -1.3 A， di / dt的= 100 A / μs）内
(V
DS
= 10 V,
V
GS
= 5.0 V,
I
D
= 6.8 A)
68
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
28
5.5
9.0
15
22
90
53
45
50
25
40
150
90
80
ns
ns
nC
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
0.016
0.022
21
0.71
0.020
0.027
1.1
S
V
1.0
10
0.45
0.9
±100
V
nA
Α
符号
民
典型值
最大
单位
4.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2%.
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NTQS6463
功率MOSFET开关
交换行为是最容易建模和预测
由认识到功率MOSFET是充电
控制。各种开关间隔的长度（ΔT）
由如何快速FET输入电容可确定
从发电机通过电流进行充电。
已发布的电容数据是难以用于
计算的上升和下降，因为漏 - 栅电容
变化很大随施加电压。因此，门
电荷数据被使用。在大多数情况下，令人满意的估计
平均输入电流（I
G（ AV ）
）可以由一个作
驱动电路，使得基本的分析
T = Q / I
G（ AV ）
在上升和下降时间间隔切换时，
阻性负载，V
GS
实际上保持恒定的水平
被誉为高原电压，V
SGP
。因此，上升和下降
时间可近似由下：
t
r
= Q
2
个R
G
/(V
GG
V
普遍优惠制
)
t
f
= Q
2
个R
G
/V
普遍优惠制
哪里
V
GG
=栅极驱动电压，其中从0变到V
GG
R
G
=栅极驱动电阻
和Q
2
和V
普遍优惠制
从栅极电荷曲线读取。
在导通和关断延迟时间，栅极电流是
不是恒定的。最简单的计算使用合适的
在一个标准方程用于从所述电容值曲线
电压的变化的RC网络。该方程为：
t
D（上）
= R
G
C
国际空间站
在[V
GG
/(V
GG
V
普遍优惠制
)]
t
D（关闭）
= R
G
C
国际空间站
在（V
GG
/V
普遍优惠制
)
6000
C
国际空间站
5000
C，电容（pF ）
4000
C
RSS
3000
2000
1000
0
10
C
RSS
5
V
GS
0
V
DS
5
10
15
20
C
国际空间站
V
DS
= 0 V
V
GS
= 0
T
J
= 25°C
的电容（C
国际空间站
）从电容曲线上读出在
对应于关断状态的条件时的电压
计算牛逼
D（上）
和读出在对应于一个电压
导通状态时，计算吨
D（关闭）
.
在高开关速度，寄生电路元件
复杂的分析。 MOSFET的电感
源引，内包装，在电路布线
这是通用的漏极和栅极的电流路径，
产生一个电压，在这减小了栅极驱动器的源
电流。该电压由Ldi上/ dt的测定，但由于di / dt的
是漏极电流的函数，在数学溶液
复杂的。 MOSFET的输出电容也
复杂的数学。最后， MOSFET的
有限的内部栅极电阻，有效地增加了
所述驱动源的电阻，但内阻
难以测量，因此，没有被指定。
电阻开关时间变化与门
电阻（图9）显示了如何典型开关
性能由寄生电路元件的影响。如果
寄生效应不存在时，曲线的斜率将
保持统一的值，而不管开关速度。
用于获得所述数据的电路被构造以最小化
在漏极和栅极电路环路共同电感和
被认为是很容易达到的板装
组件。大多数电力电子负载是感性的;该
图中的数据是使用电阻性负载，其
近似的最佳冷落感性负载。动力
的MOSFET可以安全运行成一个感性负载;
然而，不压井作业减少了开关损耗。
C
OSS
栅极 - 源极或漏极至源极电压（ V）
图7.电容变化
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4
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V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
5
QT
4
V
GS
= 4.5
3
Q1
2
Q2
1000
V
DD
= 16 V
I
D
= 6.8 A
V
GS
= 4.5 V
t
f
T， TIME （ NS ）
t
D（关闭）
100
t
r
1
0
0
4
8
12
16
20
T
J
= 25°C
I
D
= 6.8 A
24
28
t
D（上）
10
1
10
R
G
，栅极电阻（ W）
100
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图8.栅极 - 源极和
漏极至源极电压与总充电
100
I
S
，源电流（ A）
1.2
I
D
，漏电流（ A）
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
图9.电阻开关时间变化
与栅极电阻
安装在2 “平方FR4电路板（ 1 ”平方1盎司铜0.06 “厚单面）
10
10
ms
100
ms
1毫秒
10毫秒
0.8
1
V
GS
= 4.5 V
单脉冲
T
C
= 25°C
R
DS （ ON）
极限
热限制
套餐限制
1
10
dc
0.4
0.1
0
0.4
0.5
0.6
0.7
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
0.01
0.1
100
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图10.二极管的正向电压与
当前
图11.最大额定正向偏置
安全工作区
安全工作区
正向偏置安全工作区曲线定义
的最大同时漏极 - 源极电压和
漏电流的晶体管可以处理安全时，它是
正向偏置。曲线是基于最大峰值
结温度和壳体温度（T
C
） 25℃ 。
重复峰值脉冲功率限制使用确定
在与程序一起使用时的热响应数据
在AN569讨论， “瞬态热阻 -
一般数据和它的使用。 “
关断状态，导通状态可能会之间的切换
遍历所有负载线提供的既不是额定峰值电流
(I
DM
），也不额定电压（V
DSS
）的上限和
过渡时间（t
r
, t
f
）不超过10
女士。
此外，该
总功率平均一个完整的开关周期必须
不超过（T
J（下最大）
T
C
)/(R
θJC
).
指定的E- FET功率MOSFET可以安全使用
与松开感性负载的开关电路。为
可靠的操作，所存储的能量从电路电感
耗散在晶体管，而在雪崩必须小于
超过额定界限和调节操作条件
从这些规定不同。虽然行业惯例是
以速度在能源方面，雪崩能量能力不
一个常数。能量等级降低非线性地与
峰值电流的增加，雪崩和峰值结
温度。
虽然许多E-场效应管能承受的压力
漏极至源极雪崩的电流达额定脉冲
电流（I
DM
） ，能量等级在额定指定
连续电流（I
D
） ，按照产业
自定义。能量等级必须降低温度。
在低于额定连续电流我最大的能量
D
可以
被安全地假定为等于指定的值。
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