NTD4804N
热阻最大额定值
参数
路口 - 至 - 案例（漏）
路口 - 至 - TAB （漏）
路口 - 至 - 环境 - 稳态（注1 ）
路口 - 至 - 环境 - 稳态（注2 ）
1.表面 - 安装使用1平方焊盘尺寸， 1盎司铜FR4板。
2.表面 - 安装在FR4电路板用最小建议焊盘尺寸。
符号
R
θJC
R
θJC - TAB
R
θJA
R
θJA
价值
1.6
3.5
60
105
单位
° C / W
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
开关特性
漏极 - 到 - 源极击穿电压
漏极 - 到 - 源极击穿电压
温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS
= 10 11.5 V
V
GS
= 4.5 V
正向跨导
收费和电容
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
门 - 到 - 源电荷
门 - 到 - 漏极电荷
总栅极电荷
开关特性
（注4 ）
打开 - 延迟时间
上升时间
打开 - 关闭延迟时间
下降时间
打开 - 延迟时间
上升时间
打开 - 关闭延迟时间
下降时间
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
= 11.5 V, V
DS
= 15 V,
I
D
= 15 A，R
G
= 3.0
Ω
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 15 V,
I
D
= 15 A，R
G
= 3.0
Ω
18
20
24
8
10
19
35
5
ns
ns
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
G（ TH ）
Q
GS
Q
GD
Q
G（ TOT ）
V
GS
= 11.5 V, V
DS
= 15 V,
I
D
= 30 A
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 15 V,
I
D
= 30 A
4490
V
GS
= 0 V ， F = 1.0 MHz时，
V
DS
= 12 V
952
556
30
5.5
13
13
73
nC
40
nC
pF
政府飞行服务队
I
D
= 30 A
I
D
= 15 A
I
D
= 30 A
I
D
= 15 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 15 A
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 24 V
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
30
26
1.0
10
100
1.5
7.6
3.4
3.4
4.7
4.6
23
S
5.5
4.0
2.5
nA
V
毫伏/°C的
mA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
门 - 到 - 源极漏电流
基本特征
（注3）
栅极阈值电压
负阈值温度
系数
漏极 - 到 - 源极导通电阻
V
DS
= 0 V, V
GS
=
20
V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
mA
V
毫伏/°C的
mΩ
3.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2%.
4.开关的特点是独立的工作结点温度。
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NTD4804N
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏极
- 源二极管的特性
正向二极管电压
V
SD
t
RR
ta
tb
Q
RR
L
S
L
D
L
D
L
G
R
G
T
A
= 25°C
V
GS
= 0 V ， DIS / DT = 100 A / MS ，
I
S
= 30 A
V
GS
= 0 V,
I
S
= 30 A
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
0.81
0.72
34
19
15
30
nC
ns
1.2
V
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
反向恢复时间
充电时间
放电时间
反向恢复时间
封装寄生效应值
源极电感
排水电感， DPAK
排水电感， IPAK
门电感
栅极电阻
2.49
0.0164
1.88
3.46
0.6
nH
Ω
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NTD4804N
典型性能曲线
6000
C
国际空间站
5000
C，电容（pF ）
4000
3000
2000
1000
0
15
V
DS
= 0 V
10
V
GS
= 0 V
10
15
20
C
RSS
C
OSS
C
RSS
25
30
0
5
5
V
GS
V
DS
5
Q
T
4
3
2
1
0
Q
1
Q
2
T
J
= 25°C
C
国际空间站
VGS ，门 - TO - 源极电压（伏）
I
D
= 30 A
T
J
= 25°C
0
5
10
20
15
25
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
30
GATE - 要 - 源极或漏极 - 要 - 源极电压（伏）
图7.电容变化
1000
30
IS ，源电流（安培）
图8.栅极 - 源极和漏极 - - 来源
- 到 -
- 到 -
电压与总充电
V
DD
= 15 V
I
D
= 30 A
V
GS
= 11.5 V
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
= 0 V
25
20
15
10
5
0
0
T
J
= 25°C
T， TIME （ NS ）
100
10
t
D（上）
1
1
10
R
G
，栅极电阻（欧姆）
100
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
SD
， SOURCE - 要 - 漏极电压（伏）
图9.电阻开关时间
变化与栅极电阻
EAS ，单脉冲Drain - 要 - 源
雪崩能量（兆焦耳）
1000
I D ，漏极电流（ AMPS ）
500
图10.二极管的正向电压与电流
I
D
= 30 A
400
300
200
100
0
25
10
ms
100
100
ms
V
GS
= 20 V
单脉冲
T
C
= 25°C
R
DS （ ON）
极限
热限制
套餐限制
0.1
1毫秒
10毫秒
dc
100
10
1
10
1
V
DS
，漏 - 要 - 源极电压（伏）
50
75
100
125
150
T
J
，结温（ ° C）
175
图11.最大额定正向偏置
安全工作区
图12.最大雪崩能量 -
开始结温
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