NTQD6968
功率MOSFET
6.6安培， 20伏
N沟道TSSOP- 8
特点
超低的RDS（on ）
更高的效率延长电池寿命
逻辑电平栅极驱动器
微型双TSSOP - 8表面贴装封装
二极管具有高转速，软恢复
Micro8安装信息提供
http://onsemi.com
应用
在便携式和电池供电产品的电源管理，即：
电脑，打印机， PCMCIA卡，手机和无绳
电话
最大额定值
（ TC = 25° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压 - 连续
漏电流 - 连续@ TA 25℃
漏电流
- 连续@ TA 70℃
漏电流
- 脉冲（注3）
总功率耗散@ TA 25℃
漏电流 - 连续@ TA 25℃
漏电流
- 连续@ TA 70℃
漏电流
- 脉冲（注3）
总功率耗散@ TA 25℃
工作和存储温度范围
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源 - 启动TJ = 25°C
（ VDD = 20伏直流电， VGS = 5.0伏，
峰值IL = 5.5 APK， L = 10毫亨， RG = 25
)
热电阻 -
结到环境（注1 ）
结到环境（注2 ）
最大无铅焊接温度的
宗旨为10秒
符号
VDSS
VGS
ID
ID
IDM
PD
ID
ID
IDM
PD
TJ ， TSTG
EAS
价值
20
"12
5.4
4.5
15
0.94
6.6
4.5
20
1.42
-55
+150
150
单位
VDC
VDC
ADC
G1
6.6安培
20伏
RDS （ ON） = 22毫欧
N沟道
D
N沟道
D
G2
S1
S2
W
ADC
8
W
°C
mJ
1
TSSOP–8
CASE 948S
塑料
标记图
＆放大器;引脚分配
D
S1
S1
G1
1
2
3
4
968
YWW
N
顶视图
968
Y
WW
N
=器件代码
=年
=工作周
= MOSFET
8
7
6
5
D
S2
S2
G2
R
qJA
° C / W
132
88
260
°C
TL
1.最小的FR- 4或G - 10 PCB ，稳态。
2.安装在一个2 “方形FR- 4板（ 1 ”平方2盎司铜0.06 “厚单
双面） ，稳态。
3.脉冲测试：脉冲宽度= 300
s,
占空比= 2 ％ 。
订购信息
设备
NTQD6968
NTQD6968R2
包
TSSOP–8
TSSOP–8
航运
100单位/铁
3000 /磁带&卷轴
半导体元件工业有限责任公司， 2001年
1
2001年11月 - 修订版0
出版订单号：
NTQD6968/D
NTQD6968
电气特性
（ TC = 25° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压
（ VGS = 0伏， ID = 250
μAdc ）
温度系数（正）
零栅极电压集电极电流
（ VDS = 16伏， VGS = 0伏， TJ = 25 ° C）
（ VDS = 16伏， VGS = 0伏， TJ = 125°C ）
门体漏电流
（ VGS =
±12
VDC ， VDS = 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
（VDS = VGS ，ID = 250
μAdc ）
温度系数（负）
静态漏 - 源极导通电阻
（ VGS = 4.5伏， ID = 6.6 ADC ）
（ VGS = 2.5伏， ID = 5.3 ADC ）
（ VGS = 2.5伏， ID = 3.3 ADC ）
正向跨导（ VDS = 10 VDC ， ID = 6.6 ADC ）
动态特性
输入电容
输出电容
传输电容
开关特性
（注4 & 5 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
栅极电荷
（ VDS = 16伏，
VGS = 4.5伏，
ID = 6.6 ADC ）
6 6 AD）
（ VDD = 16伏， ID = 6.6 ADC ，
VGS = 4.5伏， RG = 6.0
)
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
Qtot
QGS
QGD
–
–
–
–
–
–
–
9.0
35
70
70
13.5
3.0
4.0
–
–
–
–
20
–
–
nC
ns
（ VDS = 16 Vd的VGS = 0伏，
VDC ，
Vd
F = 1.0兆赫）
西塞
科斯
CRSS
–
–
–
900
350
100
–
–
–
pF
VGS （ TH）
0.6
–
RDS （ ON）
–
–
–
政府飞行服务队
–
–
–
–
19.2
0.022
0.030
0.030
–
姆欧
0.75
–2.5
1.2
–
VDC
毫伏/°C的
V（ BR ） DSS
20
–
IDSS
–
–
IGSS
–
–
–
–
1.0
10
NADC
±100
–
12
–
–
VDC
毫伏/°C的
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
体漏二极管额定值
（注4 ）
在正向电压
反向恢复时间
（ IS = 6.15 ADC ， VGS = 0伏，
6月15日的广告
Vd
DIS / DT = 100 A / μs）内
反向恢复电荷存储
4.脉冲测试：脉冲宽度= 300
s,
占空比= 2 ％ 。
5.开关特性是独立的工作结温。
（ IS = 6.0 ADC ， VGS = 0伏）
VSD
TRR
ta
tb
QRR
–
–
–
–
–
–
30
19
15
0.017
1.2
–
–
–
–
C
VDC
ns
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2
NTQD6968
16
ID ，漏极电流（ AMPS ）
14
12
10
2.2 V
8
6
4
2
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8
VDS ，漏极至源极电压（伏）
2
1.4 V
1.2 V
1.6 V
5V
3V
2V
VGS = 10 V
18
TJ = 25°C
1.8 V
ID ，漏极电流（ AMPS ）
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0.75
TJ = 25°C
TJ = 100℃
1
TJ = -55°C
2.5
VDS
≥
10 V
1.25
1.75
2.25
1.5
2
VGS ，栅极至源极电压（伏）
图1.区域特征
RDS （ ON） ，漏极至源极电阻（ Ω ）
RDS （ ON） ，漏极至源极电阻（ Ω ）
图2.传输特性
0.03
ID = 6.5
TJ = 25°C
0.04
TJ = 25°C
0.035
0.03
0.025
0.02
VGS = 4.5 V
0.015
0.01
VGS = 2.5 V
0.02
0.01
0
2
4
6
8
2
4
6
8
10
12
14
VGS ，栅极至源极电压（伏）
ID ，漏极电流（ AMPS ）
图3.导通电阻与
栅极 - 源极电压
RDS （ ON） ，漏极 - 源极电阻
（归一化）
2
ID = 3.3
VGS = 4.5 V
1.5
10000
图4.导通电阻与漏电流
与栅极电压
VGS = 0 V
智能决策支持系统，漏电（ NA）
TJ = 150℃
1000
1
100
TJ = 100℃
10
0.5
0
–50
1
–25
0
25
50
75
100
125
150
4
8
12
16
20
TJ ，结温（ ° C）
VDS ，漏极至源极电压（伏）
图5.导通电阻变化与
温度
图6.漏 - 源极漏电流
与电压
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3
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