纳安解决方案公司
670北麦卡锡大道。套件220 ，加利福尼亚州米尔皮塔斯95035
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N16D1618LPA
超前信息
512K × 16位× 2 ，银行的低功耗同步DRAM
描述
这些N16D1618LPA低功耗16777216位CMOS同步DRAM组织为2银行524,288
字×16位。这些产品都提供完全同步的动作，是参照的一个上升沿
时钟。所有输入和输出都与时钟输入的上升沿同步。数据通路是内部
流水线，以达到非常高的带宽。所有的输入和输出电压电平与LVTTL兼容。
特点
JEDEC标准的1.8V电源。
自动刷新和自刷新。
所有引脚都与LVTTL接口兼容。
4K刷新周期/ 64ms的。
可编程突发长度和突发型。
- 1 ， 2 ， 4 ， 8或整页的顺序突发。
- 4或8的交织突发。
可编程CAS延时： 2,3时钟。
可编程驱动强度控制。
- 完全完全强度的强度或1/2 ， 1/4
深度掉电模式
所有输入和输出参考正
系统时钟的边缘。
通过DQM数据屏蔽功能。
内部双银行操作。
突发读取单一写操作。
特殊功能的支持。
-PASR （部分阵列自刷新）
- 自动TCSR （温度补偿自刷新）
自动预充电，主要包括并发
自动预充电模式和控制预充电
表1 ：订购信息
产品型号
N16D1618LPAZ2-75I
N16D1618LPAZ2-10I
N16D1618LPAC2-60I
N16D1618LPAC2-75I
N16D1618LPAC2-10I
N16D1618LPAT2-60I
N16D1618LPAT2-75I
N16D1618LPAT2-10I
时钟频率。
133MHz
100MHz
166MHz
133MHz
100MHz
166MHz
133MHz
100MHz
-25
o
C到
85
o
C
1.8V/1.8V
LVTTL
温度
VDD / VDDQ
接口
包
48绿球
FBGA
60球绿
WBGA
50引脚绿
TSOP II
库存号23395-冯L 1/06
此设备的规格如有变更，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.nanoamp.com 。
1
N16D1618LPA
纳安解决方案公司
图1 ：套餐配置（ 60Ball WBGA ）
6.4 0.1
1.25
3.9
0.65
单位[mm ]
超前信息
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
VSS
DQ14
DQ13
DQ12
DQ10
DQ9
DQ8
NC
NC
NC
CKE
A11
A8
A6
VSS
2
DQ15
VSSQ
VDDQ
DQ11
VSSQ
VDDQ
NC
NC
UDQM
CLK
NC
A9
A7
A5
A4
3
4
5
6
DQ0
VDDQ
VSSQ
DQ4
VDDQ
VSSQ
NC
NC
LDQM
/ RAS
NC
NC
A0
A2
A3
7
VDD
A
DQ1
DQ2
DQ3
DQ5
DQ6
DQ7
NC
/ WE
/ CAS
/ CS
NC
A10
A1
0.65
0.65
B
C
D
E
F
G
10.1 0.1
10.1 0.1
H
J
K
L
M
N
P
R
9.1
9.1
0.3 0.05
7
6
5
4
3
2
1
VDD
[顶视图]
[仰视图]
1.0max
0.23 0.05
注意：
1.以毫米为单位所有尺寸
库存号23395-冯L 1/06
此设备的规格如有变更，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.nanoamp.com 。
2
N16D1618LPA
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图2 ：包配置（ 48Balls FBGA ）
6.0 0.1
1.125
3.75
0.75
单位[mm ]
超前信息
1
A
B
C
D
E
F
G
H
CLK
DQ8
DQ9
VSS
VDD
DQ14
DQ15
NC
2
/ CS
NC
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
NC
A8
3
A0
A3
A5
/ RAS
NC
NC
UDQM
A9
4
A1
A4
A6
A7
NC
NC
LDQM
A10
5
A2
CKE
DQ1
DQ3
DQ4
DQ5
/ WE
A11
6
/ CAS
DQ0
DQ2
VDDQ
VSSQ
DQ6
DQ7
NC
A
0.75
B
C
D
E
F
G
H
6
5
4
3
2
1
0.30 0.05
8 0.1
0.23 0.05
1.0max
5.25
[顶视图]
[仰视图]
注意：
1.以毫米为单位所有尺寸
库存号23395-冯L 1/06
此设备的规格如有变更，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.nanoamp.com 。
3
N16D1618LPA
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图3 ：包配置（ 50引脚TSOP II ）
超前信息
11.76 ± 0.20
VDD
DQ0
DQ1
GNDQ
DQ2
DQ3
VDDQ
DQ4
DQ5
GNDQ
DQ6
DQ7
VDDQ
LDQM
/ WE
/ CAS
/ RAS
/ CS
A11
A10
A0
A1
A2
A3
VDD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
50针
TSOP II
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
GND
DQ15
DQ14
GNDQ
DQ13
DQ12
VDDQ
DQ11
DQ10
GNDQ
DQ9
DQ8
VDDQ
NC
UDQM
CLK
CKE
NC
A9
A8
A7
A6
A5
A4
GND
0.80 BSC
20.95 ± 0.10
0.49
0.27
1.03最大
10.16 ± 0.10
[顶视图]
0.80 NOM
1.20 MAX
1.00 ± 0.05
0.17 NOM
0
o
- 8
o
0.15
0.05
0.50 ± 0.10
注意事项：
1.以毫米为单位，所有尺寸除非另有说明
中心之间2. BSC =基本引线间距
3. MAX / MIN
库存号23395-冯L 1/06
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N16D1618LPA
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超前信息
表2 ：引脚说明
针
CLK
CKE
/ CS
A11
A0~A10
引脚名称
系统时钟
时钟使能
芯片选择
银行地址
地址
行地址选通，
列地址选通，
写使能
数据输入/输出面膜
数据输入/输出
电源/接地
数据输出电源/接地
无连接
说明
系统时钟输入。所有其它输入都被注册到
的SDRAM在CLK的上升沿
控制内部时钟信号和去激活时，该
SDRAM将跻身权力的国家之一了，暂停
或自我刷新。
启用或禁用除CLK ， CKE和DQM所有输入
选择银行时/ RAS活性被激活
选择银行进行读/中/ CAS活动写
行地址： RA0 RA10
列地址： CA0 CA7
自动预充电： A10
/ RAS ， / CAS和/ WE定义操作
请参阅功能真值表细节
控制输出缓冲器中读取模式和口罩的输入数据
写模式
复用的数据输入/输出引脚
电源为内部电路和输入缓冲器
电源，输出缓冲器
无连接
/ RAS ， / CAS ， / WE
LDQM / UDQM
DQ0~DQ15
VDD / VSS
VDDQ / VSSQ
NC
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