NTQD6866R2
功率MOSFET
6.9安培， 20伏
N沟道TSSOP- 8
特点
新的薄型TSSOP- 8封装
超低的RDS（on ）
更高的效率延长电池寿命
逻辑电平栅极驱动器
二极管具有高转速，软恢复
较高的雪崩能量
IDSS和VDS （ ON）指定在高温下
http://onsemi.com
6.9安培
20伏
30毫欧@ VGS = 4.5 V
N沟道
D
N沟道
D
应用
在便携式和电池供电产品的电源管理，即：
电脑，打印机， PCMCIA卡，手机和无绳
电话
电池应用
笔记本电脑
最大额定值
（ TC = 25° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
漏极至栅极电压（ RGS = 1.0 MΩ ）
栅极 - 源极电压 - 连续
热电阻 - 单芯片
结到环境（注1 ）
总功率耗散@ TA = 25℃
连续漏电流@ TA = 25°C
漏电流脉冲（注4 ）
热电阻 - 单芯片
结到环境（注2 ）
总功率耗散@ TA = 25℃
连续漏电流@ TA = 25°C
连续漏电流@ TA = 70℃
漏电流脉冲（注4 ）
符号
VDSS
VDGR
VGS
R
qJA
PD
ID
IDM
R
qJA
PD
ID
ID
IDM
价值
20
20
"12
62.5
2.0
6.9
24
88
1.42
5.8
4.6
20
单位
VDC
VDC
VDC
° C / W
W
ADC
ADC
° C / W
W
ADC
ADC
ADC
8
G1
S1
G2
S2
TSSOP–8
CASE 948S
塑料
1
标记图
＆放大器;引脚分配
S1
G1
S2
G2
1
2
3
4
顶视图
866
YWW
=器件代码
=日期代码
866
YWW
8
7
6
5
D
D
D
D
热电阻 - 单芯片
结到环境（注3 ）
R
qJA
132
° C / W
总功率耗散@ TA = 25℃
PD
0.94
W
连续漏电流@ TA = 25°C
ID
4.7
ADC
ID
3.8
ADC
连续漏电流@ TA = 70℃
IDM
14
ADC
漏电流脉冲（注4 ）
1.安装到一个2“正方形的FR-4基板（1”平方2盎司铜0.06 “厚的单面） ，
t
＆ LT ;
10秒。
2.安装到一个2“正方形的FR-4基板（1”平方2盎司铜0.06 “厚的单面） ，
t为10秒。
3.最小的FR - 4或G - 10 PCB ，T =稳态。
4.脉冲测试：脉冲宽度= 300
s,
占空比= 2 ％ 。
订购信息
设备
NTQD6866R2
包
TSSOP–8
航运
4000/T
猿&卷轴
半导体元件工业有限责任公司， 2001年
1
2001年9月 - 第1版
出版订单号：
NTQD6866R2/D
NTQD6866R2
最大额定值
（续）
等级
热电阻 - 双双殒命
结到环境（注5 ）
总功率耗散@ TA = 25℃
连续漏电流@ TA = 25°C
漏电流脉冲（注5 ）
工作和存储温度范围
单脉冲漏极 - 源极雪崩能量 - 开始TJ = 25°C
（ VDD = 20伏直流电， VGS = 5.0伏，峰值IL = 5.5 APK， L = 10毫亨， RG = 25
)
最大的铅焊接温度的目的，持续10秒
符号
R
qJA
PD
ID
IDM
TJ ， TSTG
EAS
150
TL
260
°C
价值
160
0.78
4.3
14
-55到+150
单位
° C / W
W
ADC
ADC
°C
mJ
电气特性
（ TC = 25° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压
（ VGS = 0伏， ID = 250
μAdc ）
温度系数（正）
零栅极电压漏极电流
（ VGS = 0伏， VDS = 20伏直流电， TJ = 25 ° C）
（ VGS = 0伏， VDS = 20伏直流电， TJ = 100 ° C）
门体漏电流
基本特征
栅极阈值电压
（VDS = VGS ，ID = 250
μAdc ）
温度系数（负）
静态漏 - 源极导通电阻
（ VGS = 4.5伏， ID = 6.9 ADC ）
（ VGS = 4.5伏， ID = 5.8 ADC ）
（ VGS = 2.5伏， ID = 3.5 ADC ）
（ VGS = 2.5伏， ID = 2.9 ADC ）
正向跨导
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
5.脉冲测试：脉冲宽度= 300
s,
占空比= 2 ％ 。
（ VDS = 16伏， VGS = 0 Vd的
Vd
VDC ，
F = 1.0兆赫）
西塞
科斯
CRSS
–
–
–
875
325
100
1400
550
175
pF
（ VDS = 10 VDC ， ID = 5.8 ADC ）
VGS （ TH）
0.6
–
RDS （ ON）
–
–
–
–
政府飞行服务队
–
0.026
0.025
0.030
0.030
14
0.032
0.030
0.038
0.038
–
姆欧
0.9
–2.7
1.2
–
VDC
毫伏/°C的
（ VGS =
±12
VDC ， VDS = 0伏）
V（ BR ） DSS
20
–
IDSS
–
–
IGSS
–
–
–
–
1.0
10
±100
NADC
–
18.5
–
–
VDC
毫伏/°C的
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
http://onsemi.com
2
NTQD6866R2
电气特性
（续）
特征
开关特性
（注6 & 7 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
栅极电荷
（ VDS = 16伏， VGS = 4 5 Vd的
Vd
4.5伏，
ID = 5.8 ADC ）
体漏二极管额定值
（注6 ）
在正向电压
反向恢复时间
（ IS = 5.8 ADC ， VGS = 0伏）
（ IS = 5.8 ADC ， VGS = 0伏， TJ = 100 ° C）
（ IS = 5.8 ADC ， VGS = 0伏，
VDS = 20伏直流
DIS / DT = 100 A / ）
A / μs）内
VSD
TRR
ta
tb
QRR
–
–
–
–
–
–
0.85
0.75
23
12
11
0.013
1.0
–
–
–
–
–
C
VDC
ns
（ VDD = 16伏， ID = 5.8 ADC ，
VGS = 4.5伏， RG = 3.0
)
（ VDD = 16伏， ID = 5.8 ADC ，
VGS = 4.5伏， RG = 6.0
)
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
Qtot
QGS
QGD
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
10
45
40
90
8.0
45
35
75
13
1.8
4.5
18
80
75
150
–
–
–
–
22
–
–
nC
ns
ns
符号
民
典型值
最大
单位
反向恢复电荷存储
6.脉冲测试：脉冲宽度= 300
s,
占空比= 2 ％ 。
7.开关特性是独立的工作结温。
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3
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