NTP45N06 ， NTB45N06
功率MOSFET
45安培， 60伏
N沟道TO- 220和D2PAK
在专为低电压，高速开关应用
电源，转换器和功率电机控制和桥
电路。
特点
http://onsemi.com
更高的额定电流
低RDS （ ON）
较低的VDS （上）
较低的电容
低总栅极电荷
更严格的规范VSD
低二极管反向恢复时间
低反向恢复电荷存储
电源
转换器
电源电机控制
桥电路
45安培
60伏特
RDS （ ON） = 26毫欧
N沟道
D
典型应用
G
4
S
1
TO–220AB
CASE 221A
风格5
2
3
2
3
D2PAK
CASE 418B
方式2
4
最大额定值
（ TJ = 25° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
漏极至栅极电压（ RGS = 10 MΩ ）
栅极 - 源极电压
- 连续
- 不重复（ TP
v10
女士）
漏电流
- 连续@ TA = 25°C
- 连续@ TA = 100℃
- 单脉冲（ TP
v10
s)
总功率耗散@ TA = 25℃
减免上述25℃
总功率耗散@ TA = 25 ° C（注1 ）
总功率耗散@ TA = 25 ° C（注2 ）
工作和存储温度范围
符号
VDSS
VDGR
VGS
VGS
ID
ID
IDM
PD
价值
60
60
"20
"30
45
30
150
125
0.83
3.2
2.4
-55
+175
ADC
APK
W
W / ℃，
W
W
°C
单位
VDC
VDC
VDC
1
标记DIAGRAMS
＆放大器;引脚分配
4
漏
4
漏
NTP45N06
LLYWW
1
门
2
漏
3
来源
1
门
NTB45N06
LLYWW
TJ ， TSTG
2
漏
3
来源
单脉冲Drain - to-Source雪崩
EAS
240
mJ
能源 - 启动TJ = 25°C
（ VDD = 50伏直流电， VGS = 10 VDC ， RG = 25
,
IL （ PK ） = 40 A，L = 0.3 mH为VDS = 60 V直流）
1.当表面安装用1 “垫尺寸为FR4板，
（铜区1.127平方英寸） 。
2.表面安装用最小的FR4板推荐
焊盘尺寸， （铜区0.412平方英寸） 。
NTx45N06
LL
Y
WW
=器件代码
=地点代码
=年
=工作周
订购信息
设备
NTP45N06
NTB45N06
NTB45N06T4
包
TO–220AB
D2PAK
D2PAK
航运
50单位/铁
50单位/铁
800 /磁带&卷轴
半导体元件工业有限责任公司， 2001年
1
2001年3月 - 修订版0
出版订单号：
NTP45N06/D
NTP45N06 ， NTB45N06
最大额定值
（ TJ = 25° C除非另有说明）
等级
热阻
- 结到外壳
- 结到环境（注3 ）
- 结到环境（注4 ）
符号
R
θJC
R
θJA
R
θJA
TL
价值
1.2
46.8
63.2
260
单位
° C / W
最大的铅焊接温度的目的， 1/8“案件从10秒
°C
电气特性
（ TJ = 25° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压（注5 ）
（ VGS = 0伏， ID = 250
μAdc ）
温度系数（正）
零栅极电压漏极电流
（ VDS = 60 V ， VGS = 0伏）
（ VDS = 60 V ， VGS = 0伏， TJ = 150 ° C）
门体漏电流（ VGS =
±20
VDC ， VDS = 0伏）
基本特征
（注5 ）
栅极阈值电压（注5 ）
（VDS = VGS ，ID = 250
μAdc ）
阈值温度系数（负）
静态漏 - 源极导通电阻（注5 ）
（ VGS = 10 VDC ， ID = 22.5 ADC ）
静态漏 - 源极导通电压（注5 ）
（ VGS = 10 VDC ， ID = 45 ADC ）
（ VGS = 10 VDC ， ID = 22.5 ADC ， TJ = 150 ° C）
正向跨导（注5 ） （ VDS = 8.0伏， ID = 12 ADC）
动态特性
输入电容
输出电容
传输电容
开关特性
（注6 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
栅极电荷
（ VDS = 48伏直流电， ID = 45的ADC ，
Vd
Ad
VGS = 10 V直流） （注5 ）
源极 - 漏极二极管的特性
在正向电压
反向恢复时间
（ IS = 45 ADC ， VGS = 0伏，
Ad
Vd
DIS / DT = 100 A / μs）内（注5 ）
反向恢复电荷存储
3.
4.
5.
6.
（ IS = 45 ADC ， VGS = 0伏） （注5 ）
（ IS = 45 ADC ， VGS = 0伏， TJ = 150 ° C）
VSD
TRR
ta
tb
QRR
–
–
–
–
–
–
1.08
0.93
53.1
36
16.9
0.087
1.2
–
–
–
–
–
C
VDC
ns
（ VDD = 30 V直流， ID = 45的ADC ，
VGS = 10 VDC ， RG = 9.1
)
（注5 ）
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
QT
Q1
Q2
–
–
–
–
–
–
–
10
101
33
106
33
6.4
15
25
200
70
220
46
–
–
nC
ns
（ VDS = 25 Vd的VGS = 0伏，
VDC ，
Vd
F = 1.0兆赫）
西塞
科斯
CRSS
–
–
–
1224
345
76
1725
485
160
pF
VGS （ TH）
2.0
–
RDS （ ON）
–
VDS （上）
–
–
政府飞行服务队
–
0.93
0.93
16.6
1.4
–
–
姆欧
21
26
VDC
2.8
7.2
4.0
–
VDC
毫伏/°C的
毫欧
V（ BR ） DSS
60
–
IDSS
–
–
IGSS
–
–
–
–
1.0
10
±100
NADC
70
57
–
–
VDC
毫伏/°C的
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
当表面安装用1“的焊盘尺寸， （铜区1.127平方英寸）的FR4电路板。
当表面安装到FR4电路板用最小建议焊盘尺寸， （铜区0.412平方英寸） 。
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2%.
开关特性是独立的工作结点温度。
http://onsemi.com
2
NTP45N06 ， NTB45N06
VGS ，栅极至源极电压（伏）
3600
3200
C，电容（pF ）
2800
2400
2000
1600
1200
800
400
0
10
VDS = 0 V
西塞
CRSS
VGS = 0 V
12
10
8
6
4
2
0
0
ID = 45
TJ = 25°C
4
8
12
16
20
24
28
32
36
Q1
Q2
QT
VGS
TJ = 25°C
西塞
科斯
CRSS
5 VGS VDS 0 5
10
15
20
25
栅极 - 源极或漏极至源极电压
（伏）
QG ，总栅极电荷（ NC）
图7.电容变化
1000
IS ，源电流（安培）
VDS = 30 V
ID = 45一
VGS = 10 V
tf
tr
TD （关闭）
TD （上）
50
图8.栅极 - 源极和
漏极至源极电压与总充电
VGS = 0 V
TJ = 25°C
40
T， TIME （ NS ）
100
30
20
10
10
1
1
10
RG ，栅极电阻（ Ω ）
100
0
0.6 0.64 0.68 0.72 0.76 0.8 0.84 0.88 0.92 0.96 1 1.04
VSD ，源 - 漏极电压（伏）
图9.电阻开关时间变化
与栅极电阻
1000
ID ，漏极电流（ AMPS ）
VGS = 20 V
单脉冲
TC = 25°C
dc
10
10毫秒
1毫秒
1
RDS （ ON）限制
热限制
套餐限制
100
s
EAS ，单脉冲漏极 - 源
雪崩能量（兆焦耳）
280
图10.二极管的正向电压与电流
ID = 45一
240
200
160
120
80
40
0
25
50
75
100
125
150
175
100
0.1
0.10
1
10
100
VDS ，漏极至源极电压（伏）
TJ ，起动结温（ ° C）
图11.最大额定正向偏置
安全工作区
图12.最大雪崩能量 -
开始结温
http://onsemi.com
4
NTP45N06 ， NTB45N06
功率MOSFET
45安培， 60伏
N沟道TO- 220和D2PAK
在专为低电压，高速开关应用
电源，转换器和功率电机控制和桥
电路。
特点
http://onsemi.com
更高的额定电流
低RDS （ ON）
较低的VDS （上）
较低的电容
低总栅极电荷
更严格的规范VSD
低二极管反向恢复时间
低反向恢复电荷存储
电源
转换器
电源电机控制
桥电路
45安培
60伏特
RDS （ ON） = 26毫欧
N沟道
D
典型应用
G
4
S
1
TO–220AB
CASE 221A
风格5
2
3
2
3
D2PAK
CASE 418B
方式2
4
最大额定值
（ TJ = 25° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
漏极至栅极电压（ RGS = 10 MΩ ）
栅极 - 源极电压
- 连续
- 不重复（ TP
v10
女士）
漏电流
- 连续@ TA = 25°C
- 连续@ TA = 100℃
- 单脉冲（ TP
v10
s)
总功率耗散@ TA = 25℃
减免上述25℃
总功率耗散@ TA = 25 ° C（注1 ）
总功率耗散@ TA = 25 ° C（注2 ）
工作和存储温度范围
符号
VDSS
VDGR
VGS
VGS
ID
ID
IDM
PD
价值
60
60
"20
"30
45
30
150
125
0.83
3.2
2.4
-55
+175
ADC
APK
W
W / ℃，
W
W
°C
单位
VDC
VDC
VDC
1
标记DIAGRAMS
＆放大器;引脚分配
4
漏
4
漏
NTP45N06
LLYWW
1
门
2
漏
3
来源
1
门
NTB45N06
LLYWW
TJ ， TSTG
2
漏
3
来源
单脉冲Drain - to-Source雪崩
EAS
240
mJ
能源 - 启动TJ = 25°C
（ VDD = 50伏直流电， VGS = 10 VDC ， RG = 25
,
IL （ PK ） = 40 A，L = 0.3 mH为VDS = 60 V直流）
1.当表面安装用1 “垫尺寸为FR4板，
（铜区1.127平方英寸） 。
2.表面安装用最小的FR4板推荐
焊盘尺寸， （铜区0.412平方英寸） 。
NTx45N06
LL
Y
WW
=器件代码
=地点代码
=年
=工作周
订购信息
设备
NTP45N06
NTB45N06
NTB45N06T4
包
TO–220AB
D2PAK
D2PAK
航运
50单位/铁
50单位/铁
800 /磁带&卷轴
半导体元件工业有限责任公司， 2001年
1
2001年3月 - 修订版0
出版订单号：
NTP45N06/D
NTP45N06 ， NTB45N06
最大额定值
（ TJ = 25° C除非另有说明）
等级
热阻
- 结到外壳
- 结到环境（注3 ）
- 结到环境（注4 ）
符号
R
θJC
R
θJA
R
θJA
TL
价值
1.2
46.8
63.2
260
单位
° C / W
最大的铅焊接温度的目的， 1/8“案件从10秒
°C
电气特性
（ TJ = 25° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压（注5 ）
（ VGS = 0伏， ID = 250
μAdc ）
温度系数（正）
零栅极电压漏极电流
（ VDS = 60 V ， VGS = 0伏）
（ VDS = 60 V ， VGS = 0伏， TJ = 150 ° C）
门体漏电流（ VGS =
±20
VDC ， VDS = 0伏）
基本特征
（注5 ）
栅极阈值电压（注5 ）
（VDS = VGS ，ID = 250
μAdc ）
阈值温度系数（负）
静态漏 - 源极导通电阻（注5 ）
（ VGS = 10 VDC ， ID = 22.5 ADC ）
静态漏 - 源极导通电压（注5 ）
（ VGS = 10 VDC ， ID = 45 ADC ）
（ VGS = 10 VDC ， ID = 22.5 ADC ， TJ = 150 ° C）
正向跨导（注5 ） （ VDS = 8.0伏， ID = 12 ADC）
动态特性
输入电容
输出电容
传输电容
开关特性
（注6 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
栅极电荷
（ VDS = 48伏直流电， ID = 45的ADC ，
Vd
Ad
VGS = 10 V直流） （注5 ）
源极 - 漏极二极管的特性
在正向电压
反向恢复时间
（ IS = 45 ADC ， VGS = 0伏，
Ad
Vd
DIS / DT = 100 A / μs）内（注5 ）
反向恢复电荷存储
3.
4.
5.
6.
（ IS = 45 ADC ， VGS = 0伏） （注5 ）
（ IS = 45 ADC ， VGS = 0伏， TJ = 150 ° C）
VSD
TRR
ta
tb
QRR
–
–
–
–
–
–
1.08
0.93
53.1
36
16.9
0.087
1.2
–
–
–
–
–
C
VDC
ns
（ VDD = 30 V直流， ID = 45的ADC ，
VGS = 10 VDC ， RG = 9.1
)
（注5 ）
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
QT
Q1
Q2
–
–
–
–
–
–
–
10
101
33
106
33
6.4
15
25
200
70
220
46
–
–
nC
ns
（ VDS = 25 Vd的VGS = 0伏，
VDC ，
Vd
F = 1.0兆赫）
西塞
科斯
CRSS
–
–
–
1224
345
76
1725
485
160
pF
VGS （ TH）
2.0
–
RDS （ ON）
–
VDS （上）
–
–
政府飞行服务队
–
0.93
0.93
16.6
1.4
–
–
姆欧
21
26
VDC
2.8
7.2
4.0
–
VDC
毫伏/°C的
毫欧
V（ BR ） DSS
60
–
IDSS
–
–
IGSS
–
–
–
–
1.0
10
±100
NADC
70
57
–
–
VDC
毫伏/°C的
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
当表面安装用1“的焊盘尺寸， （铜区1.127平方英寸）的FR4电路板。
当表面安装到FR4电路板用最小建议焊盘尺寸， （铜区0.412平方英寸） 。
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2%.
开关特性是独立的工作结点温度。
http://onsemi.com
2
NTP45N06 ， NTB45N06
VGS ，栅极至源极电压（伏）
3600
3200
C，电容（pF ）
2800
2400
2000
1600
1200
800
400
0
10
VDS = 0 V
西塞
CRSS
VGS = 0 V
12
10
8
6
4
2
0
0
ID = 45
TJ = 25°C
4
8
12
16
20
24
28
32
36
Q1
Q2
QT
VGS
TJ = 25°C
西塞
科斯
CRSS
5 VGS VDS 0 5
10
15
20
25
栅极 - 源极或漏极至源极电压
（伏）
QG ，总栅极电荷（ NC）
图7.电容变化
1000
IS ，源电流（安培）
VDS = 30 V
ID = 45一
VGS = 10 V
tf
tr
TD （关闭）
TD （上）
50
图8.栅极 - 源极和
漏极至源极电压与总充电
VGS = 0 V
TJ = 25°C
40
T， TIME （ NS ）
100
30
20
10
10
1
1
10
RG ，栅极电阻（ Ω ）
100
0
0.6 0.64 0.68 0.72 0.76 0.8 0.84 0.88 0.92 0.96 1 1.04
VSD ，源 - 漏极电压（伏）
图9.电阻开关时间变化
与栅极电阻
1000
ID ，漏极电流（ AMPS ）
VGS = 20 V
单脉冲
TC = 25°C
dc
10
10毫秒
1毫秒
1
RDS （ ON）限制
热限制
套餐限制
100
s
EAS ，单脉冲漏极 - 源
雪崩能量（兆焦耳）
280
图10.二极管的正向电压与电流
ID = 45一
240
200
160
120
80
40
0
25
50
75
100
125
150
175
100
0.1
0.10
1
10
100
VDS ，漏极至源极电压（伏）
TJ ，起动结温（ ° C）
图11.最大额定正向偏置
安全工作区
图12.最大雪崩能量 -
开始结温
http://onsemi.com
4
NTP45N06 ， NTB45N06
功率MOSFET
45安培， 60伏
N沟道TO- 220和D2PAK
在专为低电压，高速开关应用
电源，转换器和功率电机控制和桥
电路。
特点
http://onsemi.com
更高的额定电流
低RDS （ ON）
较低的VDS （上）
较低的电容
低总栅极电荷
更严格的规范VSD
低二极管反向恢复时间
低反向恢复电荷存储
电源
转换器
电源电机控制
桥电路
45安培
60伏特
RDS （ ON） = 26毫欧
N沟道
D
典型应用
G
4
S
1
TO–220AB
CASE 221A
风格5
2
3
2
3
D2PAK
CASE 418B
方式2
4
最大额定值
（ TJ = 25° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
漏极至栅极电压（ RGS = 10 MΩ ）
栅极 - 源极电压
- 连续
- 不重复（ TP
v10
女士）
漏电流
- 连续@ TA = 25°C
- 连续@ TA = 100℃
- 单脉冲（ TP
v10
s)
总功率耗散@ TA = 25℃
减免上述25℃
总功率耗散@ TA = 25 ° C（注1 ）
总功率耗散@ TA = 25 ° C（注2 ）
工作和存储温度范围
符号
VDSS
VDGR
VGS
VGS
ID
ID
IDM
PD
价值
60
60
"20
"30
45
30
150
125
0.83
3.2
2.4
-55
+175
ADC
APK
W
W / ℃，
W
W
°C
单位
VDC
VDC
VDC
1
标记DIAGRAMS
＆放大器;引脚分配
4
漏
4
漏
NTP45N06
LLYWW
1
门
2
漏
3
来源
1
门
NTB45N06
LLYWW
TJ ， TSTG
2
漏
3
来源
单脉冲Drain - to-Source雪崩
EAS
240
mJ
能源 - 启动TJ = 25°C
（ VDD = 50伏直流电， VGS = 10 VDC ， RG = 25
,
IL （ PK ） = 40 A，L = 0.3 mH为VDS = 60 V直流）
1.当表面安装用1 “垫尺寸为FR4板，
（铜区1.127平方英寸） 。
2.表面安装用最小的FR4板推荐
焊盘尺寸， （铜区0.412平方英寸） 。
NTx45N06
LL
Y
WW
=器件代码
=地点代码
=年
=工作周
订购信息
设备
NTP45N06
NTB45N06
NTB45N06T4
包
TO–220AB
D2PAK
D2PAK
航运
50单位/铁
50单位/铁
800 /磁带&卷轴
半导体元件工业有限责任公司， 2001年
1
2001年3月 - 修订版0
出版订单号：
NTP45N06/D
NTP45N06 ， NTB45N06
最大额定值
（ TJ = 25° C除非另有说明）
等级
热阻
- 结到外壳
- 结到环境（注3 ）
- 结到环境（注4 ）
符号
R
θJC
R
θJA
R
θJA
TL
价值
1.2
46.8
63.2
260
单位
° C / W
最大的铅焊接温度的目的， 1/8“案件从10秒
°C
电气特性
（ TJ = 25° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压（注5 ）
（ VGS = 0伏， ID = 250
μAdc ）
温度系数（正）
零栅极电压漏极电流
（ VDS = 60 V ， VGS = 0伏）
（ VDS = 60 V ， VGS = 0伏， TJ = 150 ° C）
门体漏电流（ VGS =
±20
VDC ， VDS = 0伏）
基本特征
（注5 ）
栅极阈值电压（注5 ）
（VDS = VGS ，ID = 250
μAdc ）
阈值温度系数（负）
静态漏 - 源极导通电阻（注5 ）
（ VGS = 10 VDC ， ID = 22.5 ADC ）
静态漏 - 源极导通电压（注5 ）
（ VGS = 10 VDC ， ID = 45 ADC ）
（ VGS = 10 VDC ， ID = 22.5 ADC ， TJ = 150 ° C）
正向跨导（注5 ） （ VDS = 8.0伏， ID = 12 ADC）
动态特性
输入电容
输出电容
传输电容
开关特性
（注6 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
栅极电荷
（ VDS = 48伏直流电， ID = 45的ADC ，
Vd
Ad
VGS = 10 V直流） （注5 ）
源极 - 漏极二极管的特性
在正向电压
反向恢复时间
（ IS = 45 ADC ， VGS = 0伏，
Ad
Vd
DIS / DT = 100 A / μs）内（注5 ）
反向恢复电荷存储
3.
4.
5.
6.
（ IS = 45 ADC ， VGS = 0伏） （注5 ）
（ IS = 45 ADC ， VGS = 0伏， TJ = 150 ° C）
VSD
TRR
ta
tb
QRR
–
–
–
–
–
–
1.08
0.93
53.1
36
16.9
0.087
1.2
–
–
–
–
–
C
VDC
ns
（ VDD = 30 V直流， ID = 45的ADC ，
VGS = 10 VDC ， RG = 9.1
)
（注5 ）
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
QT
Q1
Q2
–
–
–
–
–
–
–
10
101
33
106
33
6.4
15
25
200
70
220
46
–
–
nC
ns
（ VDS = 25 Vd的VGS = 0伏，
VDC ，
Vd
F = 1.0兆赫）
西塞
科斯
CRSS
–
–
–
1224
345
76
1725
485
160
pF
VGS （ TH）
2.0
–
RDS （ ON）
–
VDS （上）
–
–
政府飞行服务队
–
0.93
0.93
16.6
1.4
–
–
姆欧
21
26
VDC
2.8
7.2
4.0
–
VDC
毫伏/°C的
毫欧
V（ BR ） DSS
60
–
IDSS
–
–
IGSS
–
–
–
–
1.0
10
±100
NADC
70
57
–
–
VDC
毫伏/°C的
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
当表面安装用1“的焊盘尺寸， （铜区1.127平方英寸）的FR4电路板。
当表面安装到FR4电路板用最小建议焊盘尺寸， （铜区0.412平方英寸） 。
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2%.
开关特性是独立的工作结点温度。
http://onsemi.com
2
NTP45N06 ， NTB45N06
VGS ，栅极至源极电压（伏）
3600
3200
C，电容（pF ）
2800
2400
2000
1600
1200
800
400
0
10
VDS = 0 V
西塞
CRSS
VGS = 0 V
12
10
8
6
4
2
0
0
ID = 45
TJ = 25°C
4
8
12
16
20
24
28
32
36
Q1
Q2
QT
VGS
TJ = 25°C
西塞
科斯
CRSS
5 VGS VDS 0 5
10
15
20
25
栅极 - 源极或漏极至源极电压
（伏）
QG ，总栅极电荷（ NC）
图7.电容变化
1000
IS ，源电流（安培）
VDS = 30 V
ID = 45一
VGS = 10 V
tf
tr
TD （关闭）
TD （上）
50
图8.栅极 - 源极和
漏极至源极电压与总充电
VGS = 0 V
TJ = 25°C
40
T， TIME （ NS ）
100
30
20
10
10
1
1
10
RG ，栅极电阻（ Ω ）
100
0
0.6 0.64 0.68 0.72 0.76 0.8 0.84 0.88 0.92 0.96 1 1.04
VSD ，源 - 漏极电压（伏）
图9.电阻开关时间变化
与栅极电阻
1000
ID ，漏极电流（ AMPS ）
VGS = 20 V
单脉冲
TC = 25°C
dc
10
10毫秒
1毫秒
1
RDS （ ON）限制
热限制
套餐限制
100
s
EAS ，单脉冲漏极 - 源
雪崩能量（兆焦耳）
280
图10.二极管的正向电压与电流
ID = 45一
240
200
160
120
80
40
0
25
50
75
100
125
150
175
100
0.1
0.10
1
10
100
VDS ，漏极至源极电压（伏）
TJ ，起动结温（ ° C）
图11.最大额定正向偏置
安全工作区
图12.最大雪崩能量 -
开始结温
http://onsemi.com
4
QQ：2880707522 复制
