NTMS7N03R2
功率MOSFET
7安培， 30伏
N沟道SO- 8
特点
超低低R
DS （ ON）
更高的效率延长电池寿命
逻辑电平栅极驱动器
小型SO- 8表面贴装封装
较高的雪崩能量
I
DSS
指定高温
DC- DC转换器
电源管理
电机控制
感性负载
替换MMSF7N03HD ， MMSF7N03Z和MMSF5N03HD在
许多应用程序
等级
漏极至源极电压
漏极至栅极电压（R
GS
= 1.0 M)
栅极 - 源极电压 - 连续
热阻 - 结到环境
（注1 ）
总功率耗散@ T
A
= 25°C
漏电流 - 连续@ T
A
= 25°C
漏电流
- 连续@ T
A
= 70°C
漏电流
- 脉冲（注4 ）
热阻 - 结到环境
（注2 ）
总功率耗散@ T
A
= 25°C
漏电流 - 连续@ T
A
= 25°C
漏电流
- 连续@ T
A
= 70°C
漏电流
- 脉冲（注4 ）
热阻 - 结到环境
（注3）
总功率耗散@ T
A
= 25°C
漏电流 - 连续@ T
A
= 25°C
漏电流
- 连续@ T
A
= 70°C
漏电流
- 脉冲（注4 ）
工作和存储温度范围
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
R
θJA
P
D
I
D
I
D
I
DM
R
θJA
P
D
I
D
I
D
I
DM
R
θJA
P
D
I
D
I
D
I
DM
T
J
, T
英镑
价值
30
30
±
20
50
2.5
8.5
6.8
25
85
1.47
6.5
5.2
18
156
0.8
4.8
3.8
14
- 55
+150
单位
VDC
VDC
VDC
° C / W
瓦
ADC
APK
° C / W
瓦
ADC
APK
° C / W
瓦
ADC
APK
°C
1
http://onsemi.com
典型应用
7安培
30伏特
R
DS （ ON）
= 23毫瓦
N沟道
D
G
S
最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
记号
图
8
SO-8
CASE 751
13风格
E7N03
AYWW
E7N03
A
Y
WW
=器件代码
=大会地点
=年
=工作周
引脚分配
N-C
来源
来源
门
1
2
3
4
8
7
6
5
漏
漏
漏
漏
顶视图
单脉冲Drain - to-Source雪崩
E
AS
288
mJ
能源 - 起始物为
J
= 25°C
(V
DD
= 30伏直流电，V
GS
= 10伏，峰值
I
L
= 12 APK ， L = 4.0 mH的，R
G
= 25
)
1. 2 “ SQ 。 FR- 4印刷电路板安装， （ 2盎司铜0.06 “厚单面） ， 10秒。马克斯。
2. 2 “ SQ 。 FR- 4印刷电路板安装， （ 2盎司铜0.06 “厚单面）
t为稳态。
3.最小FR4或G10的PCB ，T =稳定状态。
4.脉冲测试：脉冲宽度= 300
s,
占空比= 2 ％ 。
订购信息
设备
NTMS7N03R2
包
SO-8
航运
2500 /磁带&卷轴
半导体元件工业有限责任公司， 2002年
1
2002年11月 - 第3版
出版订单号：
NTMS7N03R2/D
NTMS7N03R2
功率MOSFET开关
交换行为是最容易建模和预测
由认识到功率MOSFET是充电
控制。各种开关间隔的长度（ΔT）
由如何快速FET输入电容可确定
从发电机通过电流进行充电。
已发布的电容数据是难以用于
计算的上升和下降，因为漏 - 栅电容
变化很大随施加电压。因此，门
电荷数据被使用。在大多数情况下，令人满意的估计
平均输入电流（I
G（ AV ）
）可以由一个作
驱动电路，使得基本的分析
T = Q / I
G（ AV ）
在上升和下降时间间隔切换时，
阻性负载，V
GS
实际上保持恒定的水平
被誉为高原电压，V
SGP
。因此，上升和下降
时间可近似由下：
t
r
= Q
2
个R
G
/(V
GG
- V
普遍优惠制
)
t
f
= Q
2
个R
G
/V
普遍优惠制
哪里
V
GG
=栅极驱动电压，其中从0变到V
GG
R
G
=栅极驱动电阻
和Q
2
和V
普遍优惠制
从栅极电荷曲线读取。
在导通和关断延迟时间，栅极电流是
不是恒定的。最简单的计算使用合适的
在一个标准方程用于从所述电容值曲线
电压的变化的RC网络。该方程为：
t
D（上）
= R
G
C
国际空间站
在[V
GG
/(V
GG
- V
普遍优惠制
)]
t
D（关闭）
= R
G
C
国际空间站
在（V
GG
/V
普遍优惠制
)
的电容（C
国际空间站
）从电容曲线上读出在
对应于关断状态的条件时的电压
计算牛逼
D（上）
和读出在对应于一个电压
导通状态时，计算吨
D（关闭）
.
在高开关速度，寄生电路元件
复杂的分析。 MOSFET的电感
源引，内包装，在电路布线
这是通用的漏极和栅极的电流路径，
产生一个电压，在这减小了栅极驱动器的源
电流。该电压由Ldi上/ dt的测定，但由于di / dt的
是漏极电流的函数，在数学溶液
复杂的。 MOSFET的输出电容也
复杂的数学。最后， MOSFET的
有限的内部栅极电阻，有效地增加了
所述驱动源的电阻，但内阻
难以测量，因此，没有被指定。
电阻开关时间变化与门
电阻（图9）显示了如何典型开关
性能由寄生电路元件的影响。如果
寄生效应不存在时，曲线的斜率将
保持统一的值，而不管开关速度。
用于获得所述数据的电路被构造以最小化
在漏极和栅极电路环路共同电感和
被认为是很容易达到的板装
组件。大多数电力电子负载是感性的;该
图中的数据是使用电阻性负载，其
近似的最佳冷落感性负载。动力
的MOSFET可以安全运行成一个感性负载;
然而，不压井作业减少了开关损耗。
2800
C，电容（pF ）
2400
2000
1600
1200
800
400
0
10
V
DS
= 0 V
C
国际空间站
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
C
RSS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
5
V
GS
0
V
DS
5
10
15
20
GATE -T O型源极或漏极至源极电压（伏）
图7.电容变化
http://onsemi.com
5
NTMS7N03R2
功率MOSFET
7安培， 30伏
N沟道SO- 8
特点
超低低R
DS （ ON）
更高的效率延长电池寿命
逻辑电平栅极驱动器
小型SO- 8表面贴装封装
较高的雪崩能量
I
DSS
指定高温
DC- DC转换器
电源管理
电机控制
感性负载
替换MMSF7N03HD ， MMSF7N03Z和MMSF5N03HD在
许多应用程序
等级
漏极至源极电压
漏极至栅极电压（R
GS
= 1.0 M)
栅极 - 源极电压 - 连续
热阻 - 结到环境
（注1 ）
总功率耗散@ T
A
= 25°C
漏电流 - 连续@ T
A
= 25°C
漏电流
- 连续@ T
A
= 70°C
漏电流
- 脉冲（注4 ）
热阻 - 结到环境
（注2 ）
总功率耗散@ T
A
= 25°C
漏电流 - 连续@ T
A
= 25°C
漏电流
- 连续@ T
A
= 70°C
漏电流
- 脉冲（注4 ）
热阻 - 结到环境
（注3）
总功率耗散@ T
A
= 25°C
漏电流 - 连续@ T
A
= 25°C
漏电流
- 连续@ T
A
= 70°C
漏电流
- 脉冲（注4 ）
工作和存储温度范围
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
R
θJA
P
D
I
D
I
D
I
DM
R
θJA
P
D
I
D
I
D
I
DM
R
θJA
P
D
I
D
I
D
I
DM
T
J
, T
英镑
价值
30
30
±
20
50
2.5
8.5
6.8
25
85
1.47
6.5
5.2
18
156
0.8
4.8
3.8
14
- 55
+150
单位
VDC
VDC
VDC
° C / W
瓦
ADC
APK
° C / W
瓦
ADC
APK
° C / W
瓦
ADC
APK
°C
1
http://onsemi.com
典型应用
7安培
30伏特
R
DS （ ON）
= 23毫瓦
N沟道
D
G
S
最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
记号
图
8
SO-8
CASE 751
13风格
E7N03
AYWW
E7N03
A
Y
WW
=器件代码
=大会地点
=年
=工作周
引脚分配
N-C
来源
来源
门
1
2
3
4
8
7
6
5
漏
漏
漏
漏
顶视图
单脉冲Drain - to-Source雪崩
E
AS
288
mJ
能源 - 起始物为
J
= 25°C
(V
DD
= 30伏直流电，V
GS
= 10伏，峰值
I
L
= 12 APK ， L = 4.0 mH的，R
G
= 25
)
1. 2 “ SQ 。 FR- 4印刷电路板安装， （ 2盎司铜0.06 “厚单面） ， 10秒。马克斯。
2. 2 “ SQ 。 FR- 4印刷电路板安装， （ 2盎司铜0.06 “厚单面）
t为稳态。
3.最小FR4或G10的PCB ，T =稳定状态。
4.脉冲测试：脉冲宽度= 300
s,
占空比= 2 ％ 。
订购信息
设备
NTMS7N03R2
包
SO-8
航运
2500 /磁带&卷轴
半导体元件工业有限责任公司， 2002年
1
2002年11月 - 第3版
出版订单号：
NTMS7N03R2/D
NTMS7N03R2
功率MOSFET开关
交换行为是最容易建模和预测
由认识到功率MOSFET是充电
控制。各种开关间隔的长度（ΔT）
由如何快速FET输入电容可确定
从发电机通过电流进行充电。
已发布的电容数据是难以用于
计算的上升和下降，因为漏 - 栅电容
变化很大随施加电压。因此，门
电荷数据被使用。在大多数情况下，令人满意的估计
平均输入电流（I
G（ AV ）
）可以由一个作
驱动电路，使得基本的分析
T = Q / I
G（ AV ）
在上升和下降时间间隔切换时，
阻性负载，V
GS
实际上保持恒定的水平
被誉为高原电压，V
SGP
。因此，上升和下降
时间可近似由下：
t
r
= Q
2
个R
G
/(V
GG
- V
普遍优惠制
)
t
f
= Q
2
个R
G
/V
普遍优惠制
哪里
V
GG
=栅极驱动电压，其中从0变到V
GG
R
G
=栅极驱动电阻
和Q
2
和V
普遍优惠制
从栅极电荷曲线读取。
在导通和关断延迟时间，栅极电流是
不是恒定的。最简单的计算使用合适的
在一个标准方程用于从所述电容值曲线
电压的变化的RC网络。该方程为：
t
D（上）
= R
G
C
国际空间站
在[V
GG
/(V
GG
- V
普遍优惠制
)]
t
D（关闭）
= R
G
C
国际空间站
在（V
GG
/V
普遍优惠制
)
的电容（C
国际空间站
）从电容曲线上读出在
对应于关断状态的条件时的电压
计算牛逼
D（上）
和读出在对应于一个电压
导通状态时，计算吨
D（关闭）
.
在高开关速度，寄生电路元件
复杂的分析。 MOSFET的电感
源引，内包装，在电路布线
这是通用的漏极和栅极的电流路径，
产生一个电压，在这减小了栅极驱动器的源
电流。该电压由Ldi上/ dt的测定，但由于di / dt的
是漏极电流的函数，在数学溶液
复杂的。 MOSFET的输出电容也
复杂的数学。最后， MOSFET的
有限的内部栅极电阻，有效地增加了
所述驱动源的电阻，但内阻
难以测量，因此，没有被指定。
电阻开关时间变化与门
电阻（图9）显示了如何典型开关
性能由寄生电路元件的影响。如果
寄生效应不存在时，曲线的斜率将
保持统一的值，而不管开关速度。
用于获得所述数据的电路被构造以最小化
在漏极和栅极电路环路共同电感和
被认为是很容易达到的板装
组件。大多数电力电子负载是感性的;该
图中的数据是使用电阻性负载，其
近似的最佳冷落感性负载。动力
的MOSFET可以安全运行成一个感性负载;
然而，不压井作业减少了开关损耗。
2800
C，电容（pF ）
2400
2000
1600
1200
800
400
0
10
V
DS
= 0 V
C
国际空间站
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
C
RSS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
5
V
GS
0
V
DS
5
10
15
20
GATE -T O型源极或漏极至源极电压（伏）
图7.电容变化
http://onsemi.com
5
NTMS7N03R2
功率MOSFET
7安培， 30伏
N沟道SOIC- 8
特点
http://onsemi.com
超低低R
DS （ ON）
更高的效率延长电池寿命
逻辑电平栅极驱动器
小型SOIC - 8表面贴装封装
较高的雪崩能量
I
DSS
指定高温
无铅包装是否可用
7安培
30伏特
R
DS （ ON）
= 23毫瓦
N沟道
D
典型应用
DC-DC转换器
电源管理
电机控制
感性负载
替换MMSF7N03HD ， MMSF7N03Z和MMSF5N03HD
在许多应用中
G
S
记号
图
8
8
1
SOIC8
CASE 751
13风格
1
E7N03
AYWWG
G
A
=大会地点
Y
=年
WW
=工作周
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
引脚分配
N +
来源
来源
门
1
2
3
4
8
7
6
5
漏
漏
漏
漏
顶视图
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年6月 - 第4版
出版订单号：
NTMS7N03R2/D
NTMS7N03R2
最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
漏极至栅极电压（R
GS
= 1.0毫瓦）
栅极 - 源极电压 - 连续
热阻，结到环境（注1 ）
总功率耗散@ T
A
= 25°C
漏电流 - 连续@ T
A
= 25°C
漏电流
- 连续@ T
A
= 70°C
漏电流
- 脉冲（注4 ）
热阻，结到环境（注2 ）
总功率耗散@ T
A
= 25°C
漏电流 - 连续@ T
A
= 25°C
漏电流
- 连续@ T
A
= 70°C
漏电流
- 脉冲（注4 ）
热阻，结到环境（注3 ）
总功率耗散@ T
A
= 25°C
漏电流 - 连续@ T
A
= 25°C
漏电流
- 连续@ T
A
= 70°C
漏电流
- 脉冲（注4 ）
工作和存储温度范围
单脉冲漏极 - 源极雪崩能量 - 起始物为
J
= 25°C
(V
DD
= 30伏直流电，V
GS
= 10伏，峰值
I
L
= 12 APK ， L = 4.0 mH的，R
G
= 25
W)
1.
2.
3.
4.
2英寸平方米。 FR- 4印刷电路板安装， （ 2盎司铜0.06英寸厚单面） ， 10秒。马克斯。
2英寸平方米。 FR- 4印刷电路板安装， （ 2盎司铜0.06英寸厚单面） ，T =稳定状态。
最低FR4或G10的PCB ，T =稳定状态。
脉冲测试：脉冲宽度= 300
女士，
占空比= 2 ％ 。
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
R
qJA
P
D
I
D
I
D
I
DM
R
qJA
P
D
I
D
I
D
I
DM
R
qJA
P
D
I
D
I
D
I
DM
T
J
, T
英镑
E
AS
价值
30
30
±
20
50
2.5
8.5
6.8
25
85
1.47
6.5
5.2
18
156
0.8
4.8
3.8
14
- 55 + 150
288
单位
VDC
VDC
VDC
° C / W
W
ADC
APK
° C / W
W
ADC
APK
° C / W
W
ADC
APK
°C
mJ
ATTRIBUTES
特征
ESD保护
人体模型
机器型号
带电器件模型
价值
1E级
A级
CLASS 0
订购信息
设备
NTMS7N03R2
NTMS7N03R2G
包
SOIC8
SOIC8
（无铅）
航运
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
2
NTMS7N03R2
典型电气特性
20
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
2.4 V
2.8 V
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
1
6V
5V
3.2 V
V
GS
= 10 V
8V
7V
10
3.4 V
I D ，漏极电流（ AMPS ）
3.6 V
3.8 V
4V
4.6 V
T
J
= 25°C
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
3.5
T
J
= 100°C
55°C
25°C
V
DS
= 10 V
3V
图1.区域特征
R DS （ ON） ，漏极至源极电阻（欧姆）
R DS （ ON） ，漏极至源极电阻（欧姆）
图2.传输特性
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
I
D
= 3.5 A
T
J
= 25°C
0.05
T
J
= 25°C
0.04
0.03
V
GS
= 4.5 V
10 V
0.02
0.01
0
0
5
10
15
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
图3.导通电阻与
栅极 - 源极电压
图4.导通电阻与漏电流
与栅极电压
R DS （ ON） ，漏极 - 源极电阻
（归一化）
2
V
GS
= 10 V
I
D
= 3.5 A
1000
V
GS
= 0 V
我DSS ，漏电（ NA）
T
J
= 125°C
100
1.5
1
T
J
= 100°C
10
0.5
0
5
0
1
2
0
25
50
75
100
125
5 T，结温（ ° C）
J
150
0
10
20
30
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图5.导通电阻变化与
温度
图6.漏极 - 源极漏
电流与电压
http://onsemi.com
4
NTMS7N03R2
功率MOSFET开关
交换行为是最容易建模和预测
由认识到功率MOSFET是充电
控制。各种开关间隔的长度（申）
由如何快速FET输入电容可确定
从发电机通过电流进行充电。
已发布的电容数据是难以用于
计算的上升和下降，因为漏 - 栅电容
变化很大随施加电压。因此，门
电荷数据被使用。在大多数情况下，令人满意的估计
平均输入电流（I
G（ AV ）
）可以由一个作
驱动电路，使得基本的分析
T = Q / I
G（ AV ）
在上升和下降时间间隔切换时，
阻性负载，V
GS
实际上保持恒定的水平
被誉为高原电压，V
SGP
。因此，上升和下降
时间可近似由下：
t
r
= Q
2
个R
G
/(V
GG
V
普遍优惠制
)
t
f
= Q
2
个R
G
/V
普遍优惠制
哪里
V
GG
=栅极驱动电压，其中从0变到V
GG
R
G
=栅极驱动电阻
和Q
2
和V
普遍优惠制
从栅极电荷曲线读取。
在导通和关断延迟时间，栅极电流是
不是恒定的。最简单的计算使用合适的
在一个标准方程用于从所述电容值曲线
电压的变化的RC网络。该方程为：
t
D（上）
= R
G
C
国际空间站
在[V
GG
/(V
GG
V
普遍优惠制
)]
t
D（关闭）
= R
G
C
国际空间站
在（V
GG
/V
普遍优惠制
)
的电容（C
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）从电容曲线上读出在
对应于关断状态的条件时的电压
计算牛逼
D（上）
和读出在对应于一个电压
导通状态时，计算吨
D（关闭）
.
在高开关速度，寄生电路元件
复杂的分析。 MOSFET的电感
源引，内包装，在电路布线
这是通用的漏极和栅极的电流路径，
产生一个电压，在这减小了栅极驱动器的源
电流。该电压由Ldi上/ dt的测定，但由于di / dt的
是漏极电流的函数，在数学溶液
复杂的。 MOSFET的输出电容也
复杂的数学。最后， MOSFET的
有限的内部栅极电阻，有效地增加了
所述驱动源的电阻，但内阻
难以测量，因此，没有被指定。
电阻开关时间变化与门
电阻（图9）显示了如何典型开关
性能由寄生电路元件的影响。如果
寄生效应不存在时，曲线的斜率将
保持统一的值，而不管开关速度。
用于获得所述数据的电路被构造以最小化
在漏极和栅极电路环路共同电感和
被认为是很容易达到的板装
组件。大多数电力电子负载是感性的;该
图中的数据是使用电阻性负载，其
近似的最佳冷落感性负载。动力
的MOSFET可以安全运行成一个感性负载;
然而，不压井作业减少了开关损耗。
2800
C，电容（pF ）
2400
2000
1600
1200
800
400
0
10
V
DS
= 0 V
C
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V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
C
RSS
C
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C
OSS
C
RSS
5
V
GS
0
V
DS
5
10
15
20
栅极 - 源极或漏极至源极电压（伏）
图7.电容变化
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