【数据表NESG2021M05NPN硅锗RF晶体管的低噪声，高增益放大扁平引脚4引脚薄型超级Minim】,IC型号NESG2021M05-A,NESG2021M05-A PDF资料,NESG2021M05-A经销商,ic,电子元器件-51电子网

数据表

NESG2021M05

NPN硅锗RF晶体管的低噪声，高增益放大

扁平引脚4引脚薄型超级Minimold （ M05 ）

特点

该器件是低噪声，高增益低电流扩增的理想选择。

NF = 0.9 dB典型值。，G

= 18.0分贝TYP 。 @ V

= 2 V，I

= 3毫安， F = 2 GHz的

NF = 1.3 dB典型值。，G

= 10.0分贝TYP 。 @ V

= 2 V，I

= 3 mA时， F = 5.2 GHz的

最大稳定功率增益：味精= 22.5分贝TYP 。 @ V

= 3 V，I

= 10 mA时， F = 2 GHz的

高击穿电压技术，硅锗Tr的。采用： V

首席执行官

（绝对最大额定值） = 5.0 V

扁平引脚4引脚薄型超minimold （ M05 ）封装

R09DS0034EJ0300

修订版3.00

2012年6月20日

<R>

订购信息

产品型号

NESG2021M05

NESG2021M05-T1

备注

订单号

NESG2021M05-A

NESG2021M05-T1-A

包

扁平引线4针thin-

类型夜宵minimold

（ M05 ， 2012 PKG ）

（无铅）

QUANTITY

50个

（无卷）

3千件/卷

供给方式

8毫米宽压纹带卷

引脚3 （珍藏）， 4针

（发射极）面对穿孔

磁带的侧

如需订购评估样品，请联系您最近的销售部门。

样本股数量为50个。

绝对最大额定值（T

= +25°C)

参数

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流

总功耗

结温

储存温度

注意：

符号

CBO

首席执行官

EBO

合计

记

英镑

评级

13.0

5.0

1.5

175

150

+150

单位

°C

安装在1.08厘米

1.0毫米（ t）的玻璃环氧树脂印刷电路板

小心

观察时处理，因为这些器件对静电放电敏感的预防措施。

标记<R>表示主要修改点。

"场：修订部分可以通过在PDF文件中复制一个"<R>"和"Find指定它是什么很容易搜索到。

R09DS0034EJ0300牧师3.00

2012年6月20日

第12页1

NESG2021M05

<R>

电气特性（T

= +25°C)

参数

DC特性

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

射频特性

增益带宽积

插入功率增益

噪声图（1）

噪声图（2）

相关联的增益（ 2）

反向传输电容

最大稳定功率增益

增益1 dB压缩输出

动力

三阶互调

失真输出截获

点

符号

CBO

EBO

注1

21e

注2

味精

注3

O（1 dB为单位）

OIP

测试条件

= 5 V，I

= 0

= 1 V，I

= 0

= 2 V，I

= 5毫安

= 3 V，I

= 10 mA时， F = 2 GHz的

= 3 V，I

= 10 mA时， F = 2 GHz的

= 2 V，I

= 3毫安， F = 2 GHz时，

= Z

SOPT

, Z

= Z

LOPT

= 2 V，I

= 3 mA时， F = 5.2千兆赫，

= Z

SOPT

, Z

= Z

LOPT

= 2 V，I

= 3毫安， F = 2 GHz时，

= Z

SOPT

, Z

= Z

LOPT

= 2 V，I

= 3 mA时， F = 5.2千兆赫，

= Z

SOPT

, Z

= Z

LOPT

= 2 V，I

= 0中，f = 1 MHz的

= 3 V，I

= 10 mA时， F = 2 GHz的

= 3 V，I

= 12 mA时， F = 2 GHz时，

= Z

SOPT

, Z

= Z

LOPT

= 3 V，I

= 12 mA时， F = 2 GHz时，

= Z

SOPT

, Z

= Z

LOPT

分钟。

130

17.0

15.0

20.0

典型值。

190

19.0

0.9

1.3

18.0

10.0

0.1

22.5

9.0

17.0

马克斯。

100

260

1.2

0.2

单位

GHz的

DBM

注意事项： 1，脉冲测量： PW

≤

350

S，占空比

≤

2.集电极基极电容，当发射器接地

3.味精=

分类

<R>

秩

记号

价值

FB / YFB

T1G

130 260

R09DS0034EJ0300牧师3.00

2012年6月20日

第12页2

NESG2021M05

典型特征（T

= + 25 ℃，除非另有规定）

总功耗

- 环境温度

总功耗P

合计

（ mW）的

反向传输电容

与集电极 - 基极电压

反向传输电容C

（PF ）

250

安装在玻璃环氧树脂印刷电路板

（ 1.08厘米

1.0毫米（ t））的

200

175

0.3

F = 1 MHz的

0.2

150

100

0.1

100

125

150

环境温度T

(C)

集电极基极电压V

(V)

集电极电流主场迎战

基地发射极电压

100

0.1

0.01

0.001

= 1 V

集电极电流I

（MA ）

集电极电流主场迎战

基地发射极电压

100

0.1

0.01

0.001

= 2 V

集电极电流I

（MA ）

0.0001

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

0.0001

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

基极至发射极电压V

(V)

基极至发射极电压V

(V)

集电极电流主场迎战

基地发射极电压

100

0.1

0.01

0.001

= 3 V

集电极电流I

（MA ）

集电极电流主场迎战

集电极到发射极电压

= 20

200

180

160

140

120

100

集电极电流I

（MA ）

0.0001

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

基极至发射极电压V

(V)

集电极到发射极电压V

(V)

备注

该图显示的标称特性。

R09DS0034EJ0300牧师3.00

2012年6月20日

第12页3

NESG2021M05

直流电流增益主场迎战

集电极电流

1 000

= 1 V

1 000

= 2 V

直流电流增益主场迎战

集电极电流

直流电流增益

100

直流电流增益

100

0.1

100

0.1

100

集电极电流I

（MA ）

集电极电流I

（MA ）

直流电流增益主场迎战

集电极电流

1 000

= 3 V

直流电流增益

100

0.1

100

集电极电流I

（MA ）

备注

该图显示的标称特性。

R09DS0034EJ0300牧师3.00

2012年6月20日

第12页4

NESG2021M05

增益带宽积

与集电极电流

增益带宽乘积F

（千兆赫）

增益带宽乘积F

（千兆赫）

增益带宽积

与集电极电流

= 2 V

F = 2 GHz的

= 1 V

F = 2 GHz的

集电极电流I

（MA ）

100

集电极电流I

（MA ）

100

增益带宽积

与集电极电流

增益带宽乘积F

（千兆赫）

插入功率增益| S

21e

（ dB）的

最大可用功率增益MAG （分贝）

最大稳定功率增益MSG（分贝）

插入功率增益，

MAG ， MSG与频率的关系

0.1

100

21e

味精

MAG

= 1 V

= 10毫安

= 3 V

F = 2 GHz的

集电极电流I

（MA ）

100

频率f（ GHz）的

插入功率增益，

MAG ， MSG与频率的关系

插入功率增益| S

21e

（ dB）的

最大可用功率增益MAG （分贝）

最大稳定功率增益MSG（分贝）

插入功率增益，

MAG ， MSG与频率的关系

插入功率增益| S

21e

（ dB）的

最大可用功率增益MAG （分贝）

最大稳定功率增益MSG（分贝）

21e

0.1

味精

MAG

= 2 V

= 10毫安

21e

0.1

味精

MAG

= 3 V

= 10毫安

100

频率f（ GHz）的

备注

该图显示的标称特性。

R09DS0034EJ0300牧师3.00

2012年6月20日

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