【NTMS5P02R2功率MOSFET-5.4安培，伏特-20P沟道增强模式单SOIC - 8封装ht】,IC型号NTMS5P02R2_06,NTMS5P02R2_06 PDF资料,NTMS5P02R2

NTMS5P02R2

功率MOSFET

-5.4安培，伏特-20

P沟道增强模式

单SOIC - 8封装

http://onsemi.com

特点

V

DSS

20

V

R

DS （ ON）

典型值

26毫瓦@

4.5

V

I

D

最大

5.4

A

高密度功率MOSFET，超低低R

DS （ ON）

提供更高的效率

小型SOIC - 8表面贴装封装

节省电路板空间

二极管展品高速软恢复

I

DSS

指定高温

漏极至源雪崩能量指定

安装信息的SOIC - 8封装提供

无铅包装是否可用

单P沟道

D

应用

G

S

在便携式和电池供电产品的电源管理，即：

电脑，打印机， PCMCIA卡，蜂窝&无绳电话

标记图&

引脚分配

8

1

SOIC8

CASE 751

13风格

8

D

D D

E5P02x

AYWW

G

1

NC S

s克

E5P02

x

A

Y

WW

G

=具体设备守则

=空或S

=大会地点

=年

=工作周

= Pb-Free包装

（注：微球可在任一位置）

订购信息

设备

NTMS5P02R2

NTMS5P02R2G

包

SOIC8

（无铅）

航运

2500 /磁带&卷轴

。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D

半导体元件工业有限责任公司， 2006年

2006年3月，

第2版

1

出版订单号：

NTMS5P02R2/D

NTMS5P02R2

最大额定值

(T

J

= 25 ° C除非另有说明）

等级

漏极至源极电压

漏极至栅极电压（R

GS

= 1.0毫瓦）

栅极 - 源极电压

连续

热阻

结到环境（注1 ）

总功率耗散@ T

A

= 25°C

连续漏电流@ 25°C

连续漏电流@ 70℃

最大工作功耗

最大工作漏极电流

漏电流脉冲（注4 ）

热阻

结到环境（注2 ）

总功率耗散@ T

A

= 25°C

连续漏电流@ 25°C

连续漏电流@ 70℃

最大工作功耗

最大工作漏极电流

漏电流脉冲（注4 ）

热阻

结到环境（注3 ）

总功率耗散@ T

A

= 25°C

连续漏电流@ 25°C

连续漏电流@ 70℃

最大工作功耗

最大工作漏极电流

漏电流脉冲（注4 ）

工作和存储温度范围

单脉冲漏极 - 源极雪崩能量

起始物为

J

= 25°C

(V

DD

=

20

VDC ，V

GS

=

5.0

VDC ，峰值I

L

=

8.5

APK ， L = 10 mH的，R

G

= 25

W)

最大的铅焊接温度的目的， 1/8“案件从10秒

符号

V

DSS

V

DGR

V

GS

R

qJA

P

D

I

D

I

D

P

D

I

D

I

DM

R

qJA

P

D

I

D

I

D

P

D

I

D

I

DM

R

qJA

P

D

I

D

I

D

P

D

I

D

I

DM

T

J

, T

英镑

E

AS

T

L

价值

20

±10

50

2.5

7.05

5.62

1.2

4.85

28

85

1.47

5.40

4.30

0.7

3.72

20

159

0.79

3.95

3.15

0.38

2.75

12

55

+150

360

260

单位

V

° C / W

W

A

W

A

° C / W

W

A

W

A

° C / W

W

A

W

A

°C

mJ

°C

强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作

推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响

器件的可靠性。

1.安装在一个2 “方形FR- 4板（ 1 ”平方2盎司铜0.06 “厚单面），T

≤

10秒。

2.安装在一个2 “方形FR- 4板（ 1 ”平方2盎司铜0.06 “厚单面），T =稳定状态。

3.最小的FR - 4或G - 10 PCB ，T =稳态。

4.脉冲测试：脉冲宽度= 300

女士，

占空比= 2 ％。

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2

NTMS5P02R2

电气特性

(T

C

= 25 ° C除非另有说明）（注5 ）

特征

开关特性

漏极至源极击穿电压

(V

GS

= 0伏，我

D

=

250

MADC ）

温度系数（正）

零栅极电压漏极电流

(V

DS

=

16

VDC ，V

GS

= 0伏，T

J

= 25°C)

(V

DS

=

16

VDC ，V

GS

= 0伏，T

J

= 125°C)

(V

DS

=

20

VDC ，V

GS

= 0伏，T

J

= 25°C)

门体漏电流

(V

GS

=

10

VDC ，V

DS

= 0伏）

门体漏电流

(V

GS

= + 10V ，V

DS

= 0伏）

基本特征

栅极阈值电压

(V

DS

= V

GS

, I

D

=

250

MADC ）

温度系数（负）

静态漏 - 源极导通电阻

(V

GS

=

4.5

VDC ，我

D

=

5.4

ADC）

(V

GS

=

2.5

VDC ，我

D

=

2.7

ADC）

正向跨导（V

DS

=

9.0

VDC ，我

D

=

5.4

ADC）

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

开关特性

（注6 & 7 ）

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

体漏二极管额定值

（注6 ）

二极管正向导通电压

反向恢复时间

(I

S

=

5.4

ADC ，V

GS

= 0伏，

dI

S

/ DT = 100 A / MS）

反向恢复电荷存储

5.处理措施以防止静电放电是强制性的。

6.指示脉冲测试：脉冲宽度= 300

ms

最大值，占空比= 2 ％。

7.开关特性是独立的工作结温。

(I

S

=

5.4

ADC ，V

GS

= 0 V)

(I

S

=

5.4

ADC ，V

GS

= 0伏，T

J

= 125°C)

V

SD

t

rr

t

a

t

b

Q

RR

0.95

0.72

40

20

0.03

1.25

75

mC

VDC

ns

(V

DS

=

16

VDC ，

V

GS

=

4.5

VDC ，

I

D

=

5.4

ADC）

(V

DD

=

16

VDC ，我

D

=

5.4

ADC ，

V

GS

=

4.5

VDC ，

R

G

= 6.0

W)

(V

DD

=

16

VDC ，我

D

=

1.0

ADC ，

V

GS

=

4.5

VDC ，

R

G

= 6.0

W)

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

合计

Q

gs

Q

gd

18

25

70

55

22

70

65

90

20

4.0

7.0

35

50

125

100

35

nC

ns

(V

DS

=

16

VDC ，V

GS

= 0伏，

F = 1.0兆赫）

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

1375

510

200

1900

900

380

pF

V

GS （ TH）

VDC

0.65

0.9

2.9

0.026

0.037

15

1.25

0.033

0.048

毫伏/°C的

W

V

（ BR ） DSS

VDC

20

15

0.2

1.0

10

100

NADC

100

毫伏/°C的

MADC

符号

民

典型值

最大

单位

I

DSS

I

GSS

I

GSS

NADC

R

DS （ ON）

g

FS

姆欧

http://onsemi.com

3

NTMS5P02R2

12

I

D

，漏极电流（ AMPS ）

10

8

6

4

2

0

1.7

V

GS

=

1.3

V

0.25

0.5

0.75

1

1.25

1.5 1.75

V

DS

，漏极至源极电压（伏）

2

8

V

2.3

V

4.5

V

3.7

V

3.1

V

2.7

V

2.5

V

12

I

D

，漏极电流（ AMPS ）

T

J

= 25°C

2.1

V

DS

≥

10

V

10

8

6

4

2

0

1

1.5

2

2.5

V

GS

，栅极至源极电压（伏）

3

1.9

V

100°C

25°C

T

J

=

55°C

图1.区域特征

R

DS （ ON）

，漏源电阻（ W）

0.08

I

D

=

5.4

A

T

J

= 25°C

0.06

R

DS （ ON）

，漏源电阻（ W）

0.05

图2.传输特性

T

J

= 25°C

0.04

V

GS

=

2.5

V

GS

=

2.7

V

0.03

V

GS

=

4.5

V

0.02

0.04

0.02

0

8

2

4

6

V

GS

，栅极至源极电压（伏）

10

0.01

2

4

8

10

6

I

D

，漏极电流（ AMPS ）

12

R

DS （ ON）

，漏源电阻（标准化）

图3.导通电阻与

栅极 - 源极电压

1.6

1.4

1.2

1

0.8

0.6

50

I

D

=

5.4

A

V

GS

=

4.5

V

10,000

图4.导通电阻与漏电流

与栅极电压

V

GS

= 0 V

I

DSS

，漏电（ NA）

T

J

= 150°C

1000

T

J

= 125°C

25

0

25

50

75

100

125

T

J

，结温（ ° C）

150

100

2

4

6

8

10

12

14

16

18

V

DS

，漏极至源极电压（伏）

20

图5.导通电阻变化与

温度

图6.漏 - 源极漏电流

与电压

http://onsemi.com

4

NTMS5P02R2

V

GS，栅 - 源电压（伏）

V

DS

= 0 V

C

国际空间站

V

GS

= 0 V

T

J

= 25°C

5

4

3

2

1

0

I

D

=

5.4

A

T

J

= 25°C

QT

V

DS

Q1

Q2

V

GS

20

16

12

8

4

0

V

DS ，漏极至源极电压（伏）

4000

C，电容（pF ）

3000

C

RSS

2000

C

国际空间站

1000

C

RSS

10

5

0

V

GS

V

DS

栅 - 源或

漏 - 源电压（伏）

5

10

15

20

C

OSS

0

4

8

12

16

20

24

Q

g

，总栅极电荷（ NC）

图8.栅极至源极和漏极 - 源

电压与总充电

图7.电容变化

1000

I

S

，源电流（安培）

V

DD

=

16

V

I

D

=

5.4

A

V

GS

=

4.5

V

T， TIME （ NS ）

5

4

3

2

1

0

V

GS

= 0 V

T

J

= 25°C

t

D（关闭）

t

f

t

r

100

t

D（上）

10

1

10

R

G

，栅极电阻（欧姆）

100

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1

V

SD

，源极到漏极电压（伏）

图9.电阻开关时间变化

与栅极电阻

图10.二极管的正向电压与电流

漏极至源极二极管特性

100

ID ，漏极电流（ AMPS ）

V

GS

= 20 V

单脉冲

T

C

= 25°C

1毫秒

10

的di / dt

10毫秒

1

R

DS （ ON）

极限

热限制

套餐限制

0.1

1

10

I

S

t

rr

t

a

t

b

时间

dc

100

t

p

I

S

0.25 I

S

0.1

V

DS

，漏极至源极电压（伏）

图11.最大额定正向偏置

安全工作区

图12.二极管的反向恢复波形

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5