NTE2940

MOSFET

N沟道，增强模式

高速开关

产品特点：

D

低静态漏源导通电阻

D

改进的感应耐用

D

快速开关时间

D

低输入电容

D

扩展安全工作区

D

TO220类型隔离套餐

绝对最大额定值：

漏源极电压（注1 ） ，V

DSS

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60V

漏极 - 栅极电压（R

GS

= 1MΩ ，注1 ） ，V

DGR

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60V

栅源电压，V

GS

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

±20V

漏电流，我

D

连续

T

C

= + 25°C 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15A

T

C

= + 100°C 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10A

脉冲（注2）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 60A

栅电流（脉冲） ，我

GM

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

±1.5A

单脉冲雪崩能量（注3 ） ，E

AS

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9.5mJ

雪崩电流，我

AS

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15A

总功率耗散（T

C

= + 25°C ） ，磷

D

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48W

减免上述25 ℃。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.32W /°C的

工作结温范围，T

J

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

55°

到+ 175℃

存储温度范围，T

英镑

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

55°

到+ 175℃

（从情况下， 5秒焊接过程中， 1/8“ ） ，T最大的铅温度

L

. . . . . . . . . . . . . . +300°C

热阻：

最大结到外壳，R

thJC

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3.12K / W

典型案例到水槽（安装表面平整，光滑，并涂油） ，R

乡镇卫生院

。 。 。 。 。 。 。 0.5K / W

最大结到环境（自由空气操作） ，R

thJA

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 62.5K / W

注1中。T

J

= + 25°至+ 175 ℃。

注2：重复评级：脉冲宽度有限的最高结温。

注3， L = 100μH ，V

DD

= 25V ，R

G

= 25Ω ，起始物为

J

= +25°C.

电气特性：

(T

C

= + 25°C ，除非另有规定）

参数

漏源击穿电压

栅极阈值电压

门源漏进

门源漏反向

零栅极电压漏极电流

静态漏源导通电阻

正向跨导

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

总栅极电荷

（栅极 - 源极加上栅极 - 漏极）

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极（ “米勒” ）费

连续源电流

脉冲源电流

二极管的正向电压

反向恢复时间

符号

BV

DSS

V

GS （ TH）

I

GSS

I

GSS

I

DSS

R

DS （ ON）

g

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

gs

Q

gd

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

（体二极管）

（体二极管）注2

T

J

= + 25 ° C，I

S

= 15A ，V

GS

= 0V ，说明4

T

J

= + 25 ° C，I

F

= 15A ，二

F

/ DT = 100A / μs的

V

GS

= 10V ，我

D

= 15A ，V

DS

= 0.8最大。

评级

评级（栅极电荷基本上indepen

indepen-

操作温度的凹痕）

V

DD

= 0.5 BV

DSS ，

I

D

= 15A ，Z

O

= 24,

,

（ MOSFET开关时间基本上是

独立的工作温度）

测试条件

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

V

GS

= 20V

V

GS

=

20V

V

DS

=最大。评级，V

GS

= 0

V

DS

= 0.8最大。评级，T

C

= +150°C

V

GS

= 10V ，我

D

= 8A ，注4

V

DS

≥

50V ，我

D

= 8A ，注4

V

GS

= 0V, V

DS

= 25V ， F = 1MHz的

民

60

2.0

5.6

典型值

635

218

105

6.3

12.3

最大

4.0

100

100

250

1000

0.10

30

90

40

30

33

1.5

60

1.5

310

单位

V

V

nA

nA

A

A

姆欧

pF

pF

pF

ns

ns

ns

ns

nC

nC

nC

A

A

V

ns

源极 - 漏极二极管额定值和特性

注2：重复评级：脉冲宽度有限的最高结温。

注4：脉冲测试：脉冲宽度

≤

300μS ，占空比

≤

2%.