NTMS4873NF
功率MOSFET
特点
30 V ， 11.5 A， N沟道， SO- 8
低R
DS （ ON）
为最大限度地减少传导损耗
低电容，以最大限度地减少驱动器损耗
包括SyncFET肖特基二极管
优化的栅极电荷，以最大限度地降低开关损耗
SOIC - 8表面贴装封装节省电路板空间
这是一个Pb - Free设备
http://onsemi.com
V
（ BR ） DSS
30 V
R
DS （ ON）
最大
12毫瓦@ 10 V
15毫瓦@ 4.5 V
I
D
最大
11.5 A
应用
同步FET的DC- DC转换器
低端笔记本非VCORE转换器
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
当前
qJA
（注1 ）
功耗
qJA
（注1 ）
连续漏极
当前
qJA
（注2 ）
功耗
qJA
（注2 ）
连续漏极
当前
qJA
, t
v
10 s
（注1 ）
功耗
R
qJA
, t
v
10秒（注1 ）
漏电流脉冲
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
稳定
状态
T
A
= 70°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25 ° C，T
p
= 10
ms
P
D
I
DM
T
J
,
T
英镑
I
S
E
AS
P
D
I
D
P
D
I
D
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
30
±20
8.9
7.2
1.39
7.1
5.7
0.87
11.5
9.2
2.31
56
55
to
150
3.3
60.5
W
A
°C
A
mJ
W
A
1
N沟道
单位
V
V
A
W
A
G
S
D
标记图/
引脚分配
来源
来源
来源
门
1
4873NF
AYWWG
G
8
漏
漏
漏
漏
SO8
CASE 751
12风格
顶视图
工作结温和存储温度
源电流（体二极管）
单脉冲漏极 - 源极雪崩能量
(T
J
= 25 ° C，V
DD
= 30 V, V
GS
= 10 V,
I
L
= 11 A
pk
， L = 1 mH的，R
G
= 25
W)
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
4873NF =器件代码
A
=大会地点
Y
=年
WW
=工作周
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
设备
NTMS4873NFR2G
包
航运
SO8
2500 /磁带&卷轴
（无铅）
T
L
260
°C
热阻最大额定值
参数
结 - 环境 - 稳态（注1 ）
结 - 环境 - 吨
v
10秒（注1 ）
结到脚（漏极）
结 - 环境 - 稳态（注2 ）
符号
R
qJA
R
qJA
R
QJF
R
qJA
价值
89.9
54.2
35.6
143
单位
° C / W
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1. Surfacemounted使用1平方米，在垫2盎司铜FR4板。
2. Surfacemounted使用推荐的最小焊盘尺寸FR4板。
半导体元件工业有限责任公司， 2009年
2009年1月
第1版
1
出版订单号：
NTMS4873NF/D
QQ：2880707522 复制
