【NTMS4816N功率MOSFET特点30 V ， 11 A， N沟道， SO- 8低RDS （ O】,IC型号NTMS4816NR2G,NTMS4816NR2G PDF资料,NTMS4816NR2G经销商,ic,电子元器件-51电子网

NTMS4816N

功率MOSFET

特点

30 V ， 11 A， N沟道， SO- 8

低R

DS （ ON）

为最大限度地减少传导损耗

低电容，以最大限度地减少驱动器损耗

优化的栅极电荷，以最大限度地降低开关损耗

这是一个Pb - Free设备

（ BR ） DSS

30 V

16毫瓦@ 4.5 V

http://onsemi.com

DS （ ON）

最大

10毫瓦@ 10 V

11 A

最大

应用

磁盘驱动器

DC- DC转换器

打印机

最大额定值

= 25 ° C除非另有说明）

参数

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

连续漏极

当前

qJA

（注1 ）

功耗

qJA

（注1 ）

连续漏极

当前

qJA

（注2 ）

功耗

qJA

（注2 ）

连续漏极

当前

qJA

, t

10 s

（注1 ）

功耗

qJA

, t

10秒（注1 ）

漏电流脉冲

稳定

状态

稳定

状态

稳定

状态

稳定

状态

稳定

状态

= 25°C

= 70°C

= 25°C

= 70°C

= 25°C

= 70°C

= 25°C

英镑

符号

DSS

价值

±20

9.0

7.2

1.37

6.8

5.4

0.78

8.8

2.04

-55

150

2.7

°C

单位

N沟道

标记图/

引脚分配

漏

4816N

AYWWG

SO-8

CASE 751

12风格

来源

门

顶视图

4816N =器件代码

=大会地点

=年

=工作周

= Pb-Free包装

（注：微球可在任一位置）

= 25 ° C，T

= 10

工作结温和存储温度

源电流（体二极管）

单脉冲漏极至源雪崩能源

= 25 ° C，V

= 30 V, V

= 10 V,

= 12.5 A

中，L = 1.0毫亨，R

= 25

无铅焊接温度的目的

（ 1/8“从案例10秒）

订购信息

260

°C

设备

NTMS4816NR2G

符号

qJA

QJF

qJA

价值

91.5

61.3

22.5

159.5

单位

° C / W

包

SO-8

（无铅）

航运

2500 /磁带&卷轴

热阻最大额定值

参数

结 - 环境 - 稳态（注1 ）

结 - 环境 - 吨

10秒（注1 ）

结到脚（漏极）

结 - 环境 - 稳态（注2 ）

。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D 。

强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大

额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作

工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力

推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。

在平1 Surfacemounted使用1平方米的焊盘尺寸（铜区FR4板= 1.127

[ 1盎司]包括痕迹）。

2. Surfacemounted使用推荐的最小焊盘尺寸FR4板。

半导体元件工业有限责任公司， 2007年

2007年12月 - 修订版0

出版订单号：

NTMS4816N/D

NTMS4816N

电气特性

= 25 ° C除非另有规定编）

参数

开关特性

漏极至源极击穿电压

温度COEF网络cient

零栅极电压漏极电流

（ BR ） DSS

DSS

= 25°C

= 100°C

= 0 V，I

= 250

1.0

±100

毫伏/°C的

符号

测试条件

民

典型值

最大

单位

= 0 V, V

= 24 V

栅极 - 源极漏电流

基本特征

（注3）

栅极阈值电压

负阈值温度

系数

漏极至源极导通电阻

GSS

= 0 V, V

±20

GS （ TH）

DS （ ON）

= V

, I

= 250

1.5

6.0

3.0

毫伏/°C的

= 10 V，I

= 9 A

= 4.5 V，I

= 7.2 A

8.2

12.7

正向跨导

= 1.5 V，I

= 9 A

收费，电容和栅极电阻

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

阈值的栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极电荷

总栅极电荷

国际空间站

OSS

RSS

G（ TOT ）

G（ TH ）

G（ TOT ）

= 10 V, V

= 15 V，I

= 9 A

= 4.5 V, V

= 15 V，I

= 9 A

= 0 V ， F = 1.0兆赫，V

= 25 V

1060

220

126

9.2

2.4

4.4

3.8

18.3

开关特性

（注4 ）

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

D（上）

D（关闭）

= 10 V, V

= 15 V,

= 1.0 A，R

= 6.0

8.0

3.8

21.6

8.0

漏源二极管的特性

正向二极管电压

= 0 V，I

= 2.7 A

= 25°C

= 125°C

0.75

0.55

= 0 V ，D

= 100 A / MS ，

= 2.7 A

9.0

1.0

反向恢复时间

充电时间

放电时间

反向恢复电荷

封装寄生效应值

源极电感

排水电感

门电感

栅极电阻

= 25°C

0.66

0.20

1.5

2.3

3.脉冲测试：脉冲宽度= 300

女士，

占空比

2%.

4.开关的特点是独立的工作结点温度。

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NTMS4816N

典型性能曲线

10V

漏电流（安培）

4.5 V

4.2 V

3.8 V

= 25°C

3.6 V

漏电流（安培）

≥

10 V

3.4 V

2.8 V

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.2 V

3.0 V

3.0

= 100°C

= 25°C

= -55°C

，漏极至源极电压（伏）

，栅极至源极电压（伏）

图1.区域特征

DS （ON ），

漏极至源极电阻（ W）

0.050

0.045

0.040

0.035

0.030

0.025

0.020

0.015

0.010

0.005

= 25°C

= 9 A

DS （ON ），

漏极至源极电阻（ W）

0.02

0.0175

0.015

0.0125

0.01

0.0075

0.005

0.0025

图2.传输特性

= 25°C

= 4.5 V

= 10 V

，栅极至源极电压（伏）

漏电流（安培）

图3.导通电阻与栅极 - 源

电压

1.6

DS （ON ），

漏 - 源

电阻（标准化）

1.5

1.4

1.3

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

-50

100

-25

100

125

150

，结温（ ° C）

DSS

，漏电（ NA）

10000

= 9 A

= 10 V

100000

图4.导通电阻与漏电流和

栅极电压

= 0 V

= 150°C

1000

= 100°C

，漏极至源极电压（伏）

图5.导通电阻变化与

温度

图6.漏 - 源极漏电流

与电压

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NTMS4816N

典型性能曲线

1500

VGS ，栅极至源极电压（伏）

= 25°C

C，电容（pF ）

1200

国际空间站

= 0 V

= 9 A

= 25°C

，总栅极电荷（ NC）

VDS ，漏极至源极电压（伏）

900

600

OSS

300

RSS

漏 - 源电压（伏）

图7.电容变化

图8.栅极至源极和

漏极至源极电压与总充电

1000

，源电流（安培）

= 15 V

= 1 A

= 10 V

100

T， TIME （ NS ）

D（关闭）

D（上）

4.5

3.5

2.5

1.5

0.5

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

= 0 V

= 25°C

，栅极电阻（欧姆）

100

，源极到漏极电压（伏）

图9.电阻开关时间

变化与栅极电阻

EAS ，单脉冲漏极 - 源

雪崩能量（兆焦耳）

100

ID ，漏极电流（ AMPS ）

100

1毫秒

= 20 V

单脉冲

= 25°C

DS （ ON）

极限

热限制

套餐限制

10毫秒

图10.二极管的正向电压与电流

= 12.5 A

0.1

0.01

0.1

100

，漏极至源极电压（伏）

125

100

，起动结温（ ° C）

150

图11.最大额定正向偏置

安全工作区

图12.最大雪崩能量 -

开始结温

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NTMS4816N

包装尺寸

SOIC-8

CASE 751-07

ISSUE AJ

-X-

0.25 (0.010)

-Y-

-Z-

0.25 (0.010)

座位

飞机

注意事项：

1.尺寸和公差PER

ANSI Y14.5M ， 1982年。

2.控制尺寸：毫米。

3，维A和B不包括

模具的突起。

4.最大模具PROTRUSION 0.15 （ 0.006 ）

每边。

5.尺寸D不包括密封条

前伸。允许的dambar

突出应该0.127 （ 0.005 ） TOTAL

超过D尺寸的

最大的物质条件。

6. 751-01 THRU 751-06已经过时。 NEW

标准为751-07 。

MILLIMETERS

民

最大

4.80

5.00

3.80

4.00

1.35

1.75

0.33

0.51

1.27 BSC

0.10

0.25

0.19

0.25

0.40

1.27

0.25

0.50

5.80

6.20

英寸

民

最大

0.189

0.197

0.150

0.157

0.053

0.069

0.013

0.020

0.050 BSC

0.004

0.010

0.007

0.010

0.016

0.050

0.010

0.020

0.228

0.244

X 45

0.10 (0.004)

旋转Z Y

暗淡

焊接足迹*

1.52

0.060

风格12 ：

PIN 1.源

2.源

3.源

4.门

5.排水

6.排水

7.排水

8.排水

7.0

0.275

4.0

0.155

0.6

0.024

1.270

0.050

SCALE 6 ： 1

英寸

*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息

详细信息，请下载安森美半导体焊接与

安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。

安森美半导体

和

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