【NTMFS4C10N功率MOSFET特点30 V ， 46 A单N沟道， SO- 8 FL低RDS 】,IC型号NTMFS4C10N,NTMFS4C10N PDF资料,NTMFS4C10N经销商,ic,电子元器件-51电子网

NTMFS4C10N

功率MOSFET

特点

30 V ， 46 A单N沟道， SO- 8 FL

低R

DS （ ON）

为最大限度地减少传导损耗

低电容，以最大限度地减少驱动器损耗

优化的栅极电荷，以最大限度地降低开关损耗

这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS

柔顺

（ BR ） DSS

30 V

http://onsemi.com

DS （ ON）

最大

6.95毫瓦@ 10 V

10.8毫瓦@ 4.5 V

D (58)

最大

46 A

应用

CPU电源交付

DC-DC转换器

最大额定值

= 25 ° C除非另有说明）

参数

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

连续漏极

当前

qJA

（注1 ）

功耗

qJA

（注1 ）

连续漏极

当前

qJA

≤

10 s

（注1 ）

功耗

qJA

≤

10秒（注1 ）

连续漏极

当前

qJA

（注2 ）

功耗

qJA

（注2 ）

连续漏极

当前

QJC

（注1 ）

功耗

QJC

（注1 ）

脉冲漏

当前

稳定

状态

= 25°C

= 80°C

= 25°C

= 80°C

= 25°C

= 80°C

= 25°C

=80°C

= 25°C

= 25 ° C，T

= 10

= 25°C

DMAX

英镑

的dV / D

符号

DSS

价值

±20

15.0

11.2

2.49

22.5

16.8

5.6

8.2

6.2

0.75

23.6

132

+150

7.0

°C

V / ns的

单位

G (4)

S (1,2,3)

N沟道MOSFET

记号

图

SO- 8扁平引脚

CASE 488AA

风格1

4C10N

AYWZZ

=大会地点

=年

=工作周

=地段Traceabililty

通过封装电流限制

工作结存储

温度

源电流（体二极管）

漏极到源极的dV / dt

订购信息

设备

NTMFS4C10NT1G

NTMFS4C10NT3G

包

SO- 8 FL

（无铅）

SO- 8 FL

（无铅）

航运

1500 /

磁带&卷轴

5000 /

磁带&卷轴

单脉冲Drain - to-Source雪崩

能源（T

= 25 ° C，V

= 10 V，I

= 25 A

L = 0.1 mH的，R

= 25

（注3）

无铅焊接温度的目的

（ 1/8“从案例10秒）

260

°C

强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大

额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作

工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力

推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。

1，表面安装用1平方式衬垫， 1盎司铜FR4板。

2.表面安装在FR4电路板用最小建议焊盘尺寸。

3.这是绝对最大额定值。部分100 ％在T测试

= 25°C,

= 10 V，I

= 17 APK ，E

= 14兆焦耳。

。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D 。

半导体元件工业有限责任公司， 2013

五月， 2013

第3版

出版订单号：

NTMFS4C10N/D

NTMFS4C10N

热阻最大额定值

参数

结至外壳（漏）

结 - 环境 - 稳态（注4 ）

结 - 环境 - 稳态（注5 ）

结至环境 - （叔

≤

10秒）（注4 ）

4.表面装上用1平方项垫， 1盎司铜FR4板。

5.表面安装在FR4电路板用最小建议焊盘尺寸。

符号

QJC

qJA

价值

5.3

50.3

165.9

22.2

° C / W

单位

电气特性

= 25 ° C除非另有规定编）

参数

开关特性

漏极至源极击穿电压

（瞬态）

漏极至源极击穿电压

温度COEF网络cient

零栅极电压漏极电流

（ BR ） DSS

（ BR ） DSST

（ BR ） DSS

DSS

GSS

GS （ TH）

DS （ ON）

国际空间站

OSS

RSS

国际空间站

G（ TOT ）

G（ TH ）

G（ TOT ）

D（上）

D（关闭）

= 4.5 V, V

= 15 V,

= 15 A，R

= 3.0

= 10 V, V

= 15 V ;我

= 30 A

= 4.5 V, V

= 15 V ;我

= 30 A

= 0 V, V

= 15 V ， F = 1兆赫

= 0 V ， F = 1兆赫，V

= 15 V

= 10 V

= 4.5 V

正向跨导

栅极电阻

收费和电容

输入电容

输出电容

反向传输电容

电容比

总栅极电荷

阈值的栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅 - 漏极电荷

栅极电压平台

总栅极电荷

开关特性

（注7 ）

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

9.0

7.0

987

574

162

0.165

9.7

1.5

2.8

4.8

3.2

18.6

= 25°C

= 30 A

= 15 A

= 0 V,

= 24 V

= 25°C

= 125°C

= 0 V，I

= 250

= 0 V，I

D（ AVAL ）

= 7.1 A,

例

= 25 ° C，T

短暂

= 100纳秒

14.5

1.0

±100

毫伏/°C的

符号

测试条件

民

典型值

最大

单位

栅极 - 源极漏电流

基本特征

（注6 ）

栅极阈值电压

负阈值温度系数

漏极至源极导通电阻

= 0 V, V

±20

= V

, I

= 250

1.3

4.7

5.8

8.9

1.0

2.2

毫伏/°C的

6.95

10.8

= 1.5 V，I

= 15 A

6.脉冲测试：脉冲宽度

300

女士，

占空比

2%.

7.开关特性是独立的工作结点温度。

http://onsemi.com

NTMFS4C10N

电气特性

= 25 ° C除非另有规定编）

参数

开关特性

（注7 ）

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

漏源二极管特性

正向二极管电压

= 0 V ，二

/ DT = 100 A / MS ，

= 30 A

= 0 V,

= 10 A

= 25°C

= 125°C

0.80

0.67

26.7

14.1

12.6

13.7

1.1

D（上）

D（关闭）

= 10 V, V

= 15 V,

= 15 A，R

= 3.0

7.0

4.0

符号

测试条件

民

典型值

最大

单位

反向恢复时间

充电时间

放电时间

反向恢复电荷

6.脉冲测试：脉冲宽度

300

女士，

占空比

2%.

7.开关特性是独立的工作结点温度。

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NTMFS4C10N

典型特征

，漏电流（ A）

0.5

1.0

= 125°C

= 25°C

55°C

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

4.5 5.0

，栅 - 源极电压（ V）

4.0 V

4.2 V至10 V

= 25°C

3.8 V

3.6 V

3.4 V

3.2 V

3.0 V

2.8 V

2.6 V

= 5 V

，漏电流（ A）

，漏极至源极电压（ V）

图1.区域特征

DS （ ON）

，漏源电阻（ W）

DS （ ON）

，漏源电阻（ W）

0.020

0.018

0.016

0.014

0.012

0.010

0.008

0.006

0.004

0.002

3.0

4.0

5.0

6.0

7.0

8.0

9.0

= 30 A

0.020

0.018

0.016

0.014

0.012

0.010

0.008

0.006

0.004

0.002

图2.传输特性

= 25°C

= 4.5 V

= 10 V

，栅 - 源极电压（ V）

，漏电流（ A）

图3.导通电阻与V

1.7

DS （ ON）

，漏 - 源

电阻（标准化）

1.6

1.5

1.4

1.3

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

100

125

150

= 30 A

= 10 V

DSS

，漏电（ NA）

1000

10000

图4.导通电阻与漏电流和

栅极电压

= 0 V

= 150°C

= 125°C

100

= 85°C

，结温（ ° C）

，漏极至源极电压（ V）

图5.导通电阻变化与

温度

图6.漏 - 源极漏电流

与电压

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NTMFS4C10N

典型特征

1200

1000

C，电容（pF ）

800

OSS

600

400

200

RSS

国际空间站

= 0 V

= 25°C

，栅 - 源极电压（ V）

= 25°C

= 15 V

= 10 V

= 30 A

，漏极至源极电压（ V）

，总栅极电荷（ NC）

图7.电容变化

1000

，源电流（ A）

= 15 V

= 15 A

= 10 V

T， TIME （ NS ）

100

，栅极电阻（ W）

100

0.4

D（上）

D（关闭）

图8.栅极 - 源极和

漏极至源极电压与总充电

= 0 V

= 125°C

= 25°C

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

，源极到漏极电压（V ）

图9.电阻开关时间变化

与栅极电阻

，单脉冲漏 -

源雪崩能量（兆焦耳）

100

，漏电流（ A）

100

1毫秒

0 V＆ LT ; V

＆ LT ; 10 V

单脉冲

= 25°C

DS （ ON）

极限

热限制

套餐限制

0.01

0.1

10毫秒

图10.二极管的正向电压与电流

= 17 A

0.1

0.01

100

125

150

，漏极至源极电压（ V）

，起动结温（ ° C）

图11.最大额定正向偏置

安全工作区

图12.最大雪崩能量 -

开始结温

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