初步数据表
NPN硅晶体管NE856M13
特点
新的微型M13包装：
- 小外形晶体管 -
1.0× 0.5× 0.5毫米
- 薄型/ 0.50毫米封装高度
- 更好的RF性能扁平引线型
低噪声系数：
NF = 1.4分贝1 GHz的
高集电极电流：
I
C
MAX =百毫安
外形尺寸
（以毫米单位）
包装外形M13
+0.1
0.5 –0.05
+0.1
0.15 –0.05
1
0.35
0.3
2
XX
1
+0.1
1.0 –0.05
3
0.7
0.35
2
+0.1
0.15 –0.05
0.2
3
+0.1
0.2 –0.05
描述
该NE856M13晶体管被设计为低成本放大器
和振荡器应用。低噪声系数，高增益和高
电流能力等同于宽的动态范围和优良的
线性度。 NEC新的低姿态/扁平引脚风格"M13"包
非常适合当今的便携式无线应用。在NE856
也可在芯片，微x和八个不同的低成本
塑料表面贴装封装形式。
0.1
0.1
0.2
0.5±0.05
+0.1
0.125 –0.05
底部视图
引脚连接
1.发射器
2.基
3.收集
电气特性
(T
A
= 25°C)
EIAJ
1
注册
符号
f
T
NF
|S
21E
|
2
h
FE2
I
CBO
I
EBO
C
RE3
产品型号
数
包装外形
单位
GHz的
dB
dB
A
A
pF
0.7
7
80
民
3
NE856M13
2SC5614
M13
典型值
4.5
1.4
10
145
1
1
1.5
2.5
最大
参数和条件
增益带宽在V
CE
= 3 V，I
C
= 7 mA时， F = 1 GHz的
噪声系数在V
CE
= 3 V，I
C
= 7 mA时， F = 1 GHz的
插入功率增益在V
CE
= 3 V，I
C
= 7 mA时， F = 1 GHz的
正向电流增益在V
CE
= 3 V，I
C
= 7毫安
集电极截止电流在V
CB
= 10 V，I
E
= 0
发射极截止电流在V
EB
= 1 V，I
C
= 0
反馈电容在V
CB
= 3 V，I
E
= 0中，f = 1 MHz的
注意事项：
1.日本电子工业协会。
2.脉冲测量，脉冲宽度
≤
350
s,
占空比
≤
2 %.
3.电容测量与发射器和壳体连接于所述桥的保护端子。
美国加州东部实验室
NE856M13
绝对最大额定值
1
(T
A
= 25°C)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
T2
T
J
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
评级
20
12
3
100
140
150
-65到+150
注意事项：
1.操作中过量的这些参数中的任何一个，可能会导致
在永久性损坏。
安装在1.08厘米2.设备
2
×1.2毫米的玻璃环氧树脂板。
典型性能曲线
(T
A
= 25°C)
集电极电流主场迎战
集电极到发射极电压
100
500
V
CE
= 10 V
正向电流增益 -
集电极电流
正向直流电流增益，H
FE
2
4
6
8
10
12
300
200
集电极电流，I
C
（MA ）
80
60
100
70
50
30
20
40
20
10
0
1
2
3
5
7
10
20
30
50
集电极到发射极电压，V
CE
(V)
集电极电流，I
C
（MA ）
北美的独家代理FOR
射频，微波&光电半导体
美国加州东部实验室
总部 4590帕特里克·亨利·道美国加州圣克拉拉， 95054-1817 （ 408 ） 988-3500 电传34-6393 传真（ 408 ） 988-0279
24小时传真点播： 800-390-3232 （美国和加拿大） 网络连接： http://WWW.CEL.COM
2/09/2000
数据可能会有更改，恕不另行通知
初步数据表
NPN硅晶体管NE856M13
特点
新的微型M13包装：
- 小外形晶体管 -
1.0× 0.5× 0.5毫米
- 薄型/ 0.50毫米封装高度
- 更好的RF性能扁平引线型
低噪声系数：
NF = 1.4分贝1 GHz的
高集电极电流：
I
C
MAX =百毫安
外形尺寸
（以毫米单位）
包装外形M13
+0.1
0.5 –0.05
+0.1
0.15 –0.05
1
0.35
0.3
2
XX
1
+0.1
1.0 –0.05
3
0.7
0.35
2
+0.1
0.15 –0.05
0.2
3
+0.1
0.2 –0.05
描述
该NE856M13晶体管被设计为低成本放大器
和振荡器应用。低噪声系数，高增益和高
电流能力等同于宽的动态范围和优良的
线性度。 NEC新的低姿态/扁平引脚风格"M13"包
非常适合当今的便携式无线应用。在NE856
也可在芯片，微x和八个不同的低成本
塑料表面贴装封装形式。
0.1
0.1
0.2
0.5±0.05
+0.1
0.125 –0.05
底部视图
引脚连接
1.发射器
2.基
3.收集
电气特性
(T
A
= 25°C)
EIAJ
1
注册
符号
f
T
NF
|S
21E
|
2
h
FE2
I
CBO
I
EBO
C
RE3
产品型号
数
包装外形
单位
GHz的
dB
dB
A
A
pF
0.7
7
80
民
3
NE856M13
2SC5614
M13
典型值
4.5
1.4
10
145
1
1
1.5
2.5
最大
参数和条件
增益带宽在V
CE
= 3 V，I
C
= 7 mA时， F = 1 GHz的
噪声系数在V
CE
= 3 V，I
C
= 7 mA时， F = 1 GHz的
插入功率增益在V
CE
= 3 V，I
C
= 7 mA时， F = 1 GHz的
正向电流增益在V
CE
= 3 V，I
C
= 7毫安
集电极截止电流在V
CB
= 10 V，I
E
= 0
发射极截止电流在V
EB
= 1 V，I
C
= 0
反馈电容在V
CB
= 3 V，I
E
= 0中，f = 1 MHz的
注意事项：
1.日本电子工业协会。
2.脉冲测量，脉冲宽度
≤
350
s,
占空比
≤
2 %.
3.电容测量与发射器和壳体连接于所述桥的保护端子。
美国加州东部实验室
NE856M13
绝对最大额定值
1
(T
A
= 25°C)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
T2
T
J
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
评级
20
12
3
100
140
150
-65到+150
注意事项：
1.操作中过量的这些参数中的任何一个，可能会导致
在永久性损坏。
安装在1.08厘米2.设备
2
×1.2毫米的玻璃环氧树脂板。
典型性能曲线
(T
A
= 25°C)
集电极电流主场迎战
集电极到发射极电压
100
500
V
CE
= 10 V
正向电流增益 -
集电极电流
正向直流电流增益，H
FE
2
4
6
8
10
12
300
200
集电极电流，I
C
（MA ）
80
60
100
70
50
30
20
40
20
10
0
1
2
3
5
7
10
20
30
50
集电极到发射极电压，V
CE
(V)
集电极电流，I
C
（MA ）
北美的独家代理FOR
射频，微波&光电半导体
美国加州东部实验室
总部 4590帕特里克·亨利·道美国加州圣克拉拉， 95054-1817 （ 408 ） 988-3500 电传34-6393 传真（ 408 ） 988-0279
24小时传真点播： 800-390-3232 （美国和加拿大） 网络连接： http://WWW.CEL.COM
2/09/2000
数据可能会有更改，恕不另行通知
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