NTMFS4939N
功率MOSFET
特点
30 V ， 53 A单N沟道， SO- 8 FL
低R
DS （ ON）
为最大限度地减少传导损耗
低电容，以最大限度地减少驱动器损耗
优化的栅极电荷，以最大限度地降低开关损耗
这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
http://onsemi.com
V
（ BR ） DSS
30 V
R
DS （ ON）
最大
5.5毫瓦@ 10 V
8.0毫瓦@ 4.5 V
D (5,6)
I
D
最大
53 A
应用
CPU电源交付
DC-DC转换器
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
当前
qJA
（注1 ）
功耗
R
qJA
（注1 ）
连续漏极
当前
qJA
≤
10 s
（注1 ）
功耗
R
qJA
≤
10秒（注1 ）
连续漏极
当前
qJA
（注2 ）
功耗
R
qJA
（注2 ）
连续漏极
当前
QJC
（注1 ）
功耗
R
QJC
（注1 ）
脉冲漏
当前
稳定
状态
T
A
= 25°C
T
A
= 100°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 100°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 100°C
T
A
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
=100°C
T
C
= 25°C
T
A
= 25 ° C，T
p
= 10
ms
T
A
= 25°C
P
D
I
DM
I
DMAX
T
J
,
T
英镑
I
S
的dV / D
t
E
AS
P
D
I
D
P
D
I
D
P
D
I
D
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
30
±20
15.7
9.9
2.58
26
17
7.6
9.3
5.9
0.92
53
34
30
159
100
55
to
+150
27
7.0
48
W
A
A
°C
A
V / ns的
mJ
W
A
W
A
W
A
单位
V
V
A
G (4)
S (1,2,3)
N沟道MOSFET
记号
图
D
1
SO- 8扁平引脚
CASE 488AA
风格1
S
S
S
G
4939N
AYWWG
G
D
D
D
A
=大会地点
Y
=年
WW
=工作周
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
设备
NTMFS4939NT1G
NTMFS4939NT3G
包
SO- 8 FL
（无铅）
SO- 8 FL
（无铅）
航运
1500 /
磁带&卷轴
5000 /
磁带&卷轴
通过封装电流限制
工作结存储
温度
源电流（体二极管）
漏极到源极的dV / dt
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源（T
J
= 25 ° C，V
DD
= 50 V, V
GS
= 10 V,
I
L
= 31 A
pk
中，L = 0.1毫亨，R
G
= 25
W)
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
T
L
260
°C
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1，表面安装用1平方式衬垫， 1盎司铜FR4板。
2.表面安装在FR4电路板用最小建议焊盘尺寸。
半导体元件工业有限责任公司， 2009年
2009年9月
第2版
1
出版订单号：
NTMFS4939N/D
NTMFS4939N
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
开关特性
（注6 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
漏源二极管特性
正向二极管电压
V
SD
t
RR
t
a
t
b
Q
RR
L
S
L
D
L
G
R
G
T
A
= 25°C
V
GS
= 0 V ， DIS / DT = 100 A / MS ，
I
S
= 30 A
V
GS
= 0 V,
I
S
= 30 A
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
0.9
0.79
35
18
17
26
nC
ns
1.1
V
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
= 10 V, V
DS
= 15 V,
I
D
= 15 A，R
G
= 3.0
W
9.4
21.4
26.7
3.0
ns
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
反向恢复时间
充电时间
放电时间
反向恢复电荷
封装寄生效应值
源极电感
排水电感
门电感
栅极电阻
0.93
0.005
1.84
1.1
2.0
nH
nH
nH
W
5.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
6.开关特性是独立的工作结点温度。
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3
NTMFS4939N
典型特征
2400
2200
2000
C，电容（pF ）
1800
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
C
OSS
C
国际空间站
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
Q
T
Q
gs
Q
gd
2
4
6
8
C
RSS
0
5
10
15
20
25
30
T
J
= 25°C
V
DD
= 15 V
V
GS
= 10 V
I
D
= 30 A
10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图7.电容变化
1000
I
S
，源电流（ A）
V
DD
= 15 V
I
D
= 15 A
V
GS
= 10 V
T， TIME （ NS ）
100
30
图8.栅极 - 源极和
漏极至源极电压与总充电
V
GS
= 0 V
t
D（关闭）
t
f
t
r
25
20
T
J
= 125°C
15
10
5
0
0.4
T
J
= 25°C
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
10
t
D（上）
1
1
10
R
G
，栅极电阻（ W）
100
图9.电阻开关时间变化
与栅极电阻
E
AS
，单脉冲漏 -
源雪崩能量（兆焦耳）
1000
48
44
40
36
32
28
24
20
16
12
8
4
0
图10.二极管的正向电压与电流
I
D
= 31 A
I
D
，漏电流（ A）
100
100
ms
10
V
GS
= 20 V
单脉冲
T
C
= 25°C
R
DS （ ON）
极限
热限制
套餐限制
0.1
1
10
1毫秒
10毫秒
dc
1
0.1
100
25
50
75
100
125
150
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
T
J
，起动结温（ ° C）
图11.最大额定正向偏置
安全工作区
图12.最大雪崩能量 -
开始结温
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5
QQ：2881677436 复制
