NL17SV16XV5T2
超低电压缓冲
该NL17SV16XV5T2是一款超高性能的单缓冲器
制作亚微米硅栅（ 0.35
m)
CMOS技术
优异的性能下降到0.9 V.该器件非常适用于极端
高速和高驱动器的应用程序。 。另外，限制
电路板空间不再是制约因素。非常小的SOT- 553品牌
该设备适合大多数紧身的设计和空间。
内部电路由三个阶段;包括
缓冲输出，提供高抗噪性和稳定
输出。该NL17SV16XV5T2输入结构提供保护
当外加电压达到3.6 V 。
特点
5
1
SOT553
CASE 463B
1
UN =具体设备守则
D =日期代码
联合国
http://onsemi.com
记号
图
5
极高的速度： 1.5 ns（典型值），在V
CC
= 3.3 V
专为0.9 V至3.6 V操作
过压容差* （ OVT ）输入
允许逻辑翻译
均衡
"24
mA输出驱动@ 3.3伏
近零静态电源电流
超小型SOT - 553 5引脚封装仅为1.6 ×1.6 mm占位面积的
应用
CELLULAR
数码相机
PDA
数字视频
引脚分配
1
2
3
NC
IN A
GND
输出Y
V
CC
*超过
电压容差
（ OVT ）使引脚的功能之外（更高）的
工作电压，以对设备没有损伤或信号完整性。
4
5
功能表
NC
1
5
V
CC
输入A
L
H
输出y
L
H
IN A
2
GND
3
4
输出Y
图1.引脚
（ TOP VIEW ）
订购信息
设备
NL17SV16XV5T2
包
SOT553
航运
4000磁带&卷轴
(178 mm)
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2003
1
2003年12月 - 修订版0
出版订单号：
NL17SV16XV5T2/D
NL17SV16XV5T2
最大额定值
符号
V
CC
V
I
V
O
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
I
GND
T
英镑
T
L
T
J
θ
JA
P
D
MSL
F
R
V
ESD
直流电源电压
直流输入电压
直流输出电压
DC输入二极管电流
DC输出二极管电流
直流输出灌电流
每个电源引脚DC电源电流
每个接地引脚直流接地电流
存储温度范围
焊接温度，从案例1.0毫米10秒
在偏置结温
热阻（注1 ）
功率消耗在静止空气中，在85°C
湿气敏感度
可燃性等级
ESD耐压
氧指数：28 34
人体模型（注2 ）
机器模型（注3 ）
V
I
＆ LT ; GND
V
O
= GND
V
O
= V
CC
等级
价值
-0.5 + 4.6
-0.5 + 4.6
-0.5到V
CC
+0.5
±50
50
+50
±50
±50
±50
- 65 + 150
260
+150
250
250
LEVEL 1
UL 94 V - 0 @在0125
2000
300
V
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
°C
°C
°C
° C / W
mW
最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。暴露于这些条件或条件以外的
表示可能器件的可靠性产生不利影响。在绝对最大额定条件下的功能操作不暗示。实用
操作应仅限于推荐工作条件。
1.测量具有在FR4板上最小焊盘间距，用10毫米×1英寸2盎司铜迹没有空气流动。
2.经测试EIA / JESD22 - A114 -A 。
3.经测试EIA / JESD22 - A115 -A 。
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
OH
/I
OL
正直流电源电压
数字输入电压
输出电压
输出电流
V
CC
= 3.0 V至3.6 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 1.65 V至1.95 V
V
CC
= 1.4 V至1.6 V
V
CC
= 1.1 V至1.3 V
V
CC
= 0.9 V
40
V
CC
= 3.3V
±
0.3 V
0
参数
民
0.9
0
0
最大
3.6
3.6
V
CC
±24
±18
±6
±4
±2
±0.1
+85
10
单位
V
V
V
mA
t
A
t
r
, t
f
工作温度范围。所有封装类型
输入信号上升和下降时间
°C
NS / V
器件结温VERSUS
TIME TO 0.1 ％接合故障
连接点
温度
°C
80
90
100
110
120
130
140
时间，时间
1,032,200
419,300
178,700
79,600
37,000
17,800
8,900
时间，岁月
117.8
47.9
20.4
9.4
4.2
2.0
1.0
http://onsemi.com
2
NL17SV16XV5T2
超低电压缓冲
该NL17SV16XV5T2是一款超高性能的单缓冲器
制作亚微米硅栅（ 0.35
m)
CMOS技术
优异的性能下降到0.9 V.该器件非常适用于极端
高速和高驱动器的应用程序。 。另外，限制
电路板空间不再是制约因素。非常小的SOT- 553品牌
该设备适合大多数紧身的设计和空间。
内部电路由三个阶段;包括
缓冲输出，提供高抗噪性和稳定
输出。该NL17SV16XV5T2输入结构提供保护
当外加电压达到3.6 V 。
特点
5
1
SOT553
CASE 463B
1
UN =具体设备守则
D =日期代码
联合国
http://onsemi.com
记号
图
5
极高的速度： 1.5 ns（典型值），在V
CC
= 3.3 V
专为0.9 V至3.6 V操作
过压容差* （ OVT ）输入
允许逻辑翻译
均衡
"24
mA输出驱动@ 3.3伏
近零静态电源电流
超小型SOT - 553 5引脚封装仅为1.6 ×1.6 mm占位面积的
应用
CELLULAR
数码相机
PDA
数字视频
引脚分配
1
2
3
NC
IN A
GND
输出Y
V
CC
*超过
电压容差
（ OVT ）使引脚的功能之外（更高）的
工作电压，以对设备没有损伤或信号完整性。
4
5
功能表
NC
1
5
V
CC
输入A
L
H
输出y
L
H
IN A
2
GND
3
4
输出Y
图1.引脚
（ TOP VIEW ）
订购信息
设备
NL17SV16XV5T2
包
SOT553
航运
4000磁带&卷轴
(178 mm)
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2003
1
2003年12月 - 修订版0
出版订单号：
NL17SV16XV5T2/D
NL17SV16XV5T2
最大额定值
符号
V
CC
V
I
V
O
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
I
GND
T
英镑
T
L
T
J
θ
JA
P
D
MSL
F
R
V
ESD
直流电源电压
直流输入电压
直流输出电压
DC输入二极管电流
DC输出二极管电流
直流输出灌电流
每个电源引脚DC电源电流
每个接地引脚直流接地电流
存储温度范围
焊接温度，从案例1.0毫米10秒
在偏置结温
热阻（注1 ）
功率消耗在静止空气中，在85°C
湿气敏感度
可燃性等级
ESD耐压
氧指数：28 34
人体模型（注2 ）
机器模型（注3 ）
V
I
＆ LT ; GND
V
O
= GND
V
O
= V
CC
等级
价值
-0.5 + 4.6
-0.5 + 4.6
-0.5到V
CC
+0.5
±50
50
+50
±50
±50
±50
- 65 + 150
260
+150
250
250
LEVEL 1
UL 94 V - 0 @在0125
2000
300
V
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
°C
°C
°C
° C / W
mW
最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。暴露于这些条件或条件以外的
表示可能器件的可靠性产生不利影响。在绝对最大额定条件下的功能操作不暗示。实用
操作应仅限于推荐工作条件。
1.测量具有在FR4板上最小焊盘间距，用10毫米×1英寸2盎司铜迹没有空气流动。
2.经测试EIA / JESD22 - A114 -A 。
3.经测试EIA / JESD22 - A115 -A 。
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
OH
/I
OL
正直流电源电压
数字输入电压
输出电压
输出电流
V
CC
= 3.0 V至3.6 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 1.65 V至1.95 V
V
CC
= 1.4 V至1.6 V
V
CC
= 1.1 V至1.3 V
V
CC
= 0.9 V
40
V
CC
= 3.3V
±
0.3 V
0
参数
民
0.9
0
0
最大
3.6
3.6
V
CC
±24
±18
±6
±4
±2
±0.1
+85
10
单位
V
V
V
mA
t
A
t
r
, t
f
工作温度范围。所有封装类型
输入信号上升和下降时间
°C
NS / V
器件结温VERSUS
TIME TO 0.1 ％接合故障
连接点
温度
°C
80
90
100
110
120
130
140
时间，时间
1,032,200
419,300
178,700
79,600
37,000
17,800
8,900
时间，岁月
117.8
47.9
20.4
9.4
4.2
2.0
1.0
http://onsemi.com
2
NL17SV16XV5T2
超低电压缓冲
该NL17SV16XV5T2是一款超高性能的单缓冲器
制作亚微米硅栅（ 0.35
m)
CMOS技术
优异的性能下降到0.9 V.该器件非常适用于极端
高速和高驱动器的应用程序。 。另外，限制
电路板空间不再是制约因素。非常小的SOT- 553品牌
该设备适合大多数紧身的设计和空间。
内部电路由三个阶段;包括
缓冲输出，提供高抗噪性和稳定
输出。该NL17SV16XV5T2输入结构提供保护
当外加电压达到3.6 V 。
特点
http://onsemi.com
记号
图
联合国MG
G
极高的速度： 1.5 ns（典型值），在V
CC
= 3.3 V
专为0.9 V至3.6 V操作
过压容限（ OVT ） *允许输入逻辑转换
均衡
"24
mA输出驱动@ 3.3伏
近零静态电源电流
超小型SOT - 553 5引脚封装仅为1.6 ×1.6 mm占位面积的
超小型SOT - 553 5引脚封装，仅为1.6 ×1.6× 0.6毫米
这些无铅器件
CELLULAR
数码相机
PDA
数字视频
NC
1
5
V
CC
SOT553
XV5后缀
CASE 463B
UN
=器件代码
M
=日期代码*
A
=大会地点
Y
=年
W
=工作周
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
典型应用
引脚分配
1
2
3
4
5
NC
IN A
GND
输出Y
V
CC
IN A
2
GND
3
4
输出Y
功能表
输入A
输出y
L
H
图1.引脚
（ TOP VIEW ）
IN A
L
H
1
图2.逻辑符号
输出Y
订购信息
设备
NL17SV16XV5T2
包
航运
*过压容限（ OVT ）使输入引脚的功能之外（高）
他们的工作电压，以对设备没有损伤或信号完整性。
SOT- 553 * 4000 /磁带&卷轴
NL17SV16XV5T2G SOT- 553 * 4000 /磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
*这个包本身是无铅。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
2005年9月，
第2版
1
出版订单号：
NL17SV16XV5T2/D
NL17SV16XV5T2
最大额定值
符号
V
CC
V
I
V
O
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
I
GND
T
英镑
T
L
T
J
q
JA
P
D
MSL
F
R
V
ESD
直流电源电压
直流输入电压
直流输出电压
DC输入二极管电流
DC输出二极管电流
直流输出灌电流
每个电源引脚DC电源电流
每个接地引脚直流接地电流
存储温度范围
焊接温度，从案例1.0毫米10秒
在偏置结温
热阻（注1 ）
功率消耗在静止空气中，在85°C
湿气敏感度
可燃性等级
ESD耐压
氧指数：28 34
人体模型（注2 ）
机器模型（注3 ）
V
I
＆ LT ; GND
V
O
= GND
V
O
= V
CC
等级
价值
0.5
到+ 4.6
0.5
到+ 4.6
0.5
到V
CC
+0.5
±50
50
+50
±50
±50
±50
65 150
260
+150
250
250
LEVEL 1
UL 94 V - 0 @在0125
2000
300
V
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
°C
°C
°C
° C / W
mW
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
1.测量具有在FR4板上最小焊盘间距，用10毫米×1英寸2盎司铜迹没有空气流动。
2.经测试EIA / JESD22 - A114 -A 。
3.经测试EIA / JESD22 - A115 -A 。
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
OH
/I
OL
正直流电源电压
数字输入电压
输出电压
输出电流
V
CC
= 3.0 V至3.6 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 1.65 V至1.95 V
V
CC
= 1.4 V至1.6 V
V
CC
= 1.1 V至1.3 V
V
CC
= 0.9 V
40
V
CC
= 3.3V
±
0.3 V
0
参数
民
0.9
0
0
最大
3.6
3.6
V
CC
±24
±18
±6
±4
±2
±0.1
+85
10
单位
V
V
V
mA
t
A
t
r
, t
f
工作温度范围。所有封装类型
输入信号上升和下降时间
°C
NS / V
器件结温VERSUS
TIME TO 0.1 ％接合故障
连接点
温度
°C
80
90
100
110
120
130
140
时间，时间
1,032,200
419,300
178,700
79,600
37,000
17,800
8,900
时间，岁月
117.8
47.9
20.4
9.4
4.2
2.0
1.0
http://onsemi.com
2
NL17SV16XV5T2
包装尺寸
SOT - 553 ， 5 LEAD
CASE 463B -01
问题B
D
X
5
4
A
L
1
2
3
E
Y
b
5 PL
0.08 (0.003)
注意事项：
1.尺寸和公差PER
ANSI Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米
3.最大引线厚度INCLUDES
铅涂层厚度。最低LEAD
厚度为最小厚度
基础材料。作者：
暗淡
A
b
c
D
E
e
L
H
E
MILLIMETERS
喃
最大
0.55
0.60
0.22
0.27
0.13
0.18
1.60
1.70
1.20
1.30
0.50 BSC
0.10
0.20
0.30
1.50
1.60
1.70
民
0.50
0.17
0.08
1.50
1.10
英寸
喃
最大
0.022
0.024
0.009
0.011
0.005
0.007
0.063
0.067
0.047
0.051
0.020 BSC
0.004
0.008
0.012
0.059
0.063
0.067
民
0.020
0.007
0.003
0.059
0.043
H
E
e
c
M
X Y
焊接足迹*
0.3
0.0118
0.45
0.0177
1.35
0.0531
1.0
0.0394
0.5
0.5
0.0197 0.0197
尺度20:1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格，可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序
旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并SCILLC及其高级人员，雇员，子公司，关联公司，
和分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称， SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律，并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行：
N.美国技术支持：
免费电话800-282-9855
安森美半导体文学配送中心
美国/加拿大
P.O. 61312盒，凤凰城，亚利桑那州85082-1312 USA
电话：
480-829-7710或800-344-3860免费电话美国/加拿大
日本：
安森美半导体，日本顾客焦点中心
2-9-1 Kamimeguro ，目黑区，东京，日本153-0051
传真：
480-829-7709或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电话：
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电子邮件：
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安森美半导体网站：
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为了文学：
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有关更多信息，请联系您
当地销售代表。
http://onsemi.com
5
NL17SV16XV5T2/D
AND8139/D
超低电压
MiniGatet设备解决
1.2 V接口问题
弗雷德Zlotnick ：编制
安森美半导体
http://onsemi.com
应用说明
许多集成电路，如微处理器和
DSP的需要在非常低的电压，以便运营
节省电力并没有结束消散。出现问题时，
设计师有一个装置，如DSP，在1.2伏特和操作
需要与其他半导体工作在接口
3.3伏以上。
当3.3 V之间进行接口（或任何
介于1.2 V和3.3 V ），在一个单一的答案电压
解决了所有的问题，简单地以最小的电路板空间，
是NL17SVyyyXV5T2家庭。与六个可用
装置，该信号可以被施加到输入和赞助商
到DSP在最快的时间（最小延迟） ，
同时，占用极小的电路板空间和消费
最小功率。
设计人员可能会问，为什么不干脆用电阻
进行分压？电阻器当然是可以用于
一些应用程序，但它们消耗的功率和限制
工作频率，并创建一个延迟（当设计师
包括：输入装置中的C ） 。图1示出了
用两个电阻来限制在DSP上的电压。为
简单起见，本文将不考虑公差
问题。将要留给读者如果他选择这
的方法。在任何情况下，我们将使用V
1
= 3.3 V, V
2
= 1.2 V,
F = 35 MHz时，和C
IN
= 10 PF 。如果640
和330
电阻器
3.3 V
使用时，该电路将执行所需的电压
师。加载将是330
并绘制1.0毫安时
该设备上。如果它被假定为是一个占空比为50％ ，然后
的功率消耗为简单的电阻分压器将
为16毫瓦。这个功率消耗是如此之高，以致它会
立即排除。如果我们会用更大的价值
电阻器，所述频率响应会受到损害，并
35兆赫是不可能的。通过这个延迟时间
电路将是大约15到20毫微秒。
第二个可能的方案可能是使用一个晶体管。如果
一个NPN晶体管被使用时，它需要一个电压
类似的划分方案的图1中的数据将
需要是相同的，以便保持频率响应
到> 50 MHz的F
3dB
。功耗将是实际上
比为无源情况高，因为我们将有一个
从1.2伏到收集第三电阻器（图2）。我们
还会有一个5.0毫瓦的功率耗散因
输出电阻。此溶液将消耗> 20毫瓦
电力和再次悍然高的功率预算。
此外，制造商将必须放置3份
（ 3电阻和一个晶体管或1的BRT加一
电阻器） 。延迟时间会比被动更长
溶液上方，因此更加昂贵，并会提出
绝对比简单的电阻分压器没有优势。
1.2 V
R1
1.2 V
3.3 V
640
220
1.2 V
220
R2
图1 。
图2中。
半导体元件工业有限责任公司， 2003
1
2003年12月 - 修订版0
出版订单号：
AND8139/D
AND8139/D
但是应当注意到，该信号被反相的情况下
晶体管。这可能是也可能不是期望的。事实上，
相位反转将是唯一可行的理由
喜欢的晶体管的情况下通过无源电阻分压器。
将要呈现的最后一个选项将是
安森美半导体子一伏的家庭， NL17SVxx
产品。我们的选择反相或不反相
输出。由于设备过压容限（ OVT ）
在它们的输入端，设计者可以简单地套用3.3伏
信号到该装置的输入端。对于这种应用，
图3示出了电源电压的设备将是1.2
五，这保证输出将是逻辑电平兼容
同，它是驱动设备。
3.3 V
1.2 V
0
由于3.3 V逻辑只驱动一个容性输入，
有在输入很少的功耗。为了计算
消耗的总功率，我们必须使用不同的公式
依赖于功率耗散电容（C
PD
）为
的主要因素。为了计算在栅极上的功率损耗，该
计算公式为：
PD
+
（ CPD
@
VCC2
@
f)
)
（ICC
@
VCC ）
在35兆赫和C
PD
20 PF ，方程工程以
2.0毫瓦的总功率，其中约50 ％的功率
消耗的漏电流和在开关50％。该
延迟时间仅为10毫微秒（最坏情况） ，在V
CC
1.2 V.
结论
NL17SV16XV5T2
网络连接gure 3 。
为逻辑电平转换的使用单栅的保存
的90％所需的无源解决方案，甚至电源的
更相比，晶体管溶液。制造商
只需要放置一个部分相对于两个或两个以上的任何其它
的方法。时间延迟是更快，更小的电路
依赖。输出可以被任一反相或不反相
（通过选择适当的单栅器件） 。该电路
容易操作过去的50 MHz时，如果需要的话，在1.2 V.很明显
这是因为逻辑电平的唯一可行的解决
翻译在低功耗。
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