【NTMFS4709N功率MOSFET30 V ， 94 A单N沟道， SOIC- 8 FL特点低RD】,IC型号NTMFS4709NT3G,NTMFS4709NT3G PDF资料,NTMFS4709NT3G经销商,ic,电子元器件-51电子网

NTMFS4709N

功率MOSFET

30 V ， 94 A单N沟道， SOIC- 8 FL

特点

低R

DS （ ON）

为最大限度地减少传导损耗

低电容，以最大限度地减少驱动器损耗

优化的栅极电荷，以最大限度地降低开关损耗

这些无铅器件

http://onsemi.com

V

（ BR ） DSS

30 V

R

DS （ ON）

典型值

2.85毫瓦@ 10 V

4.0毫瓦@ 4.5 V

I

D

最大

94 A

应用

VCORE应用

DC- DC转换器

低端开关

最大额定值

(T

J

= 25 ° C除非另有说明）

等级

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

连续漏极

当前

qJA

（注1 ）

功耗

R

qJA

（注1 ）

连续漏极

当前

qJA

（注2 ）

功耗

R

qJA

（注2 ）

连续漏极

当前

QJC

（注1 ）

功耗

R

QJC

（注1 ）

脉冲漏电流

租金

由电流限制

包

工作结

储存温度

源电流（体二极管）

漏极至源极

单脉冲Drain - to-Source雪崩

能T

J

= 25 ° C，V

DD

= 50 V, V

GS

= 10 V,

I

L

= 30 A

pk

中，L = 1.0毫亨，R

G

= 25

W

无铅焊接温度的目的

（ 1/8“从案例10秒）

T

A

= 25°C

T

A

= 85°C

T

A

= 25°C

T

A

= 25°C

稳定

状态

T

A

= 85°C

T

A

= 25°C

T

C

= 25°C

T

C

= 85°C

T

C

= 25°C

T

A

= 25°C,

t

p

= 10

ms

T

A

= 25°C

P

D

I

DM

I

Dmaxpkg

T

J

,

T

英镑

I

S

dv / dt的

E

AS

P

D

I

D

P

D

I

D

符号

V

DSS

V

GS

I

D

价值

30

±20

18

13

2.35

11

8.0

0.91

94

68

62.5

140

-55

+150

62.5

10

450

W

A

°C

A

V / ns的

mJ

W

A

W

A

单位

V

A

N沟道

D

G

S

标记图&

引脚分配

D

1

SOIC - 8扁平引脚

CASE 488AA

风格1

4709N

A

Y

WW

G

S

G

D

4709N

AYWW

G

D

=具体设备守则

=大会地点

=年

=工作周

= Pb-Free包装

（注：微球可在任一位置）

订购信息

设备

包

航运

NTMFS4709NT1G SOIC - 8 FL 1500 / APE &卷轴

T

（无铅）

NTMFS4709NT3G SOIC - 8 FL 5000 / APE &卷轴

T

（无铅）

。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D 。

T

L

260

°C

强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大

额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作

工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力

推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。

1.表面安装上使用1平方式衬垫， 1盎司铜FR4板。

2.表面安装在FR4电路板用最小建议焊盘尺寸。

半导体元件工业有限责任公司， 2007年

1

2007年7月 - 第3版

出版订单号：

NTMFS4709N/D

NTMFS4709N

热阻最大额定值

等级

结至外壳（漏）

结 - 环境 - 稳态（注3 ）

结 - 环境 - 稳态（注4 ）

3.表面装上用1平方英寸垫， 1盎司铜FR4板。

4.表面安装在FR4电路板用最小建议焊盘尺寸。

符号

R

QJC

R

qJA

R

qJA

价值

2.0

53.2

137.8

单位

° C / W

电气特性

(T

J

= 25 ° C除非另有规定编）

参数

开关特性

漏极至源极击穿电压

温度COEF网络cient

零栅极电压漏极电流

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） DSS

/T

J

符号

测试条件

民

典型值

最大

单位

V

GS

= 0 V，I

D

= 250

mA

30

5.6

V

毫伏/°C的

1.0

10

±100

nA

mA

I

DSS

V

GS

= 0 V,

V

DS

= 24 V

T

J

= 25°C

T

J

= 125°C

栅极 - 源极漏电流

基本特征

（注5 ）

栅极阈值电压

负阈值温度系数

漏极至源极导通电阻

I

GSS

V

DS

= 0 V, V

GS

=

±20

V

GS （ TH）

V

GS （ TH）

/T

J

R

DS （ ON）

V

GS

= V

DS

ID = 250

mA

1.0

5.6

3.0

V

毫伏/°C的

V

GS

= 11.5 V

I

D

= 30 A

I

D

= 15 A

2.8

2.85

4.0

41

S

3.6

5.5

mW

V

GS

= 10 V

V

GS

= 4.5 V

I

D

= 30 A

I

D

= 30 A

I

D

= 15 A

正向跨导

收费和电容

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

阈值的栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极电荷

总栅极电荷

阈值的栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极电荷

开关特性

（注6 ）

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

g

FS

V

DS

= 15 V，I

D

= 15 A

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

Q

G（ TOT ）

Q

G（ TH ）

Q

GS

Q

GD

Q

G（ TOT ）

Q

G（ TH ）

Q

GS

Q

GD

V

GS

= 11.5 V, V

DS

= 15 V;

I

D

= 30 A

V

GS

= 4.5 V, V

DS

= 15 V;

I

D

= 30 A

V

GS

= 0 V ， F = 1MHz时，

V

DS

= 12 V

2370

1240

305

20

2.4

4.5

11

48

4.0

6.5

10.6

nC

pF

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

GS

= 4.5 V, V

DS

= 15 V,

I

D

= 30 A，R

G

= 3.0

W

16

173

20

105

ns

5.脉冲测试：脉冲宽度

"300

女士，

占空比

"2%

6.开关特性是独立的工作结点温度。

http://onsemi.com

2

NTMFS4709N

电气特性

(T

J

= 25 ° C除非另有规定编）

参数

开关特性

（注6 ）

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

漏源二极管的特性

正向二极管电压

V

SD

V

GS

= 0 V,

I

S

= 20 A

V

GS

= 0 V,

I

S

= 50 A

V

GS

= 0 V,

I

S

= 20 A

反向恢复时间

充电时间

放电时间

反向恢复电荷

封装寄生效应值

栅极电阻

R

G

T

A

= 25°C

0.65

W

t

RR

t

a

t

b

Q

RR

V

GS

= 0 V,

d

IS

/d

t

= 100 A / MS ，

I

S

= 25 A

T

J

= 25°C

T

J

= 25°C

T

J

= 125°C

0.75

0.85

0.7

48

23

25

55

nC

ns

1.0

V

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

GS

= 11.5 V, V

DS

= 15 V,

I

D

= 30 A，R

G

= 3.0

W

8.5

87

31.5

8.5

ns

符号

测试条件

民

典型值

最大

单位

5.脉冲测试：脉冲宽度

"300

女士，

占空比

"2%

6.开关特性是独立的工作结点温度。

http://onsemi.com

3

NTMFS4709N

60

50

40

30

20

10

2.2 V

0

2

4

6

8

10

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

0

1

2

2.6 V

10 V

4.5 V

3.5 V

V

GS

= 3 V

I

D

，漏电流（ A）

60

T

J

= 25°C

50

40

30

20

10

T

J

= 125°C

T

J

= 25°C

T

J

= -55°C

3

4

5

V

DS

≥

10 V

I

D

，漏电流（ A）

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

图1.区域特征

R

DS （ ON）

，漏源电阻（ W）

R

DS （ ON）

，漏源电阻（ W）

0.006

V

GS

= 11.5 V

0.005

T = 125°C

0.004

0.003

中T = 25℃

0.002

0.001

0

10

20

30

40

50

60

I

D

，漏电流（ A）

T = -55°C

T = 150℃

0.005

图2.传输特性

T

J

= 25°C

0.004

V

GS

= 4.5 V

0.003

V

GS

= 11.5 V

0.002

0.001

0

10

20

30

40

50

60

I

D

，漏电流（ A）

图3.导通电阻与漏电流

和温度

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极电阻

（归一化）

2

I

D

= 30 A

V

GS

= 10 V

1.5

I

DSS

，漏电（ NA）

10000

100000

图4.导通电阻与漏电流

与栅极电压

V

GS

= 0 V

T

J

= 150°C

1

1000

0.5

T

J

= 125°C

0

-50

100

-25

0

25

50

75

100

125

150

0

5

10

15

20

25

30

T

J

，温度（° C）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图5.导通电阻变化与

温度

图6.漏 - 源极漏电流

与电压

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4

NTMFS4709N

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

4000

T

J

= 25°C

C

国际空间站

C，电容（pF ）

3000

C

国际空间站

2000

C

RSS

1000

C

OSS

C

RSS

10

15

20

25

12

10

8

6

4

2

0

10

20

30

Q

g

，总栅极电荷（ NC）

Q

gs

Q

gd

Q

T

0

10

V

DS

= 0 V

5

V

GS

0

V

GS

= 0 V

5

V

DS

I

D

= 30 A

T

J

= 25°C

40

50

栅极 - 源极或漏极至源极电压（ V）

图7.电容变化

图8.栅极至源极和

漏极至源极电压与总充电

1000

30

V

DD

= 15 V

I

D

= 30 A

V

GS

= 11.5 V

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

GS

= 0 V

T

J

= 25°C

I

S

，源电流（ A）

T， TIME （ NS ）

100

20

10

t

D（上）

10

1

10

R

G

，栅极电阻（ W）

100

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1

V

SD

，源极到漏极电压（V ）

图9.电阻开关时间变化

与栅极电阻

EAS ，单脉冲漏极 - 源

雪崩能量（兆焦耳）

700

图10.二极管的正向电压与

当前

I

D

= 36 A

600

500

400

300

200

100

0

25

50

75

100

125

150

T

J

，起动结温（ ° C）

图11.最大雪崩能量对比

开始结温

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