NCP1378
PWM电流模式
控制器自由运行
准谐振操作
该NCP1378结合了真正的电流模式调制器和
去磁检测器，以确保充分的边界线/临界
在任何负载/线路条件和最低排放传导模式
电压开关（准谐振操作）。由于其固有的
跳过循环能力，则控制器进入一旦突发模式作为
要求功率低于预定水平。如发生这种情况，在
低峰值电流，无噪声都听不到。内部8.0
ms
定时器防止自由运行频率超过100千赫（因此
低于150千赫兹的CISPR -22 EMI开始限制），而跳过
调节能力允许用户选择的频率，所述
爆折返发生。
变压器磁芯去磁检测是通过辅助完成
绕组，通过专用管脚带来的，也实现了快速过
电压保护（ OVP ） 。一旦OVP已经检测时，IC
永久闭锁。
该NCP1378还具有高效的保护电路，在
过流情况的存在，关闭输出脉冲和
进入安全突发模式，尝试重新启动。一旦故障消失，
该设备自动恢复。最后一个内部1.0 ms软启动
消除了传统的启动应力。
该NCP1378是专为具有低电压应用
UVLO阈值8.4 V（上）和7.5 V（关闭） 。
特点
http://onsemi.com
记号
图表
8
8
1
SOIC8
后缀
CASE 751
1
1378
ALYW
8
1
PDIP7
P后缀
CASE 626B
1
A
WL ，L
YY, Y
WW, W
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
1378P
AWL
YYWW
无铅包装是可用*
自由运行的边界线/临界模式准谐振操作
锁存过压保护
自动恢复短路保护通过UVLO交叉
电流模式具有可调跳周期能力
内部1.0 ms软启动
内部温度关机
内部的前沿消隐
500毫安峰值电流源/汇能力
外部锁存器触发，例如通过过热信号
直接连接光耦
可用于瞬态分析SPICE模型
内置8.0
ms
最低牛逼
关闭
引脚连接
DMG 1
FB 2
CS 3
GND 4
（ TOP VIEW ）
6 V
CC
5 DRV
8 HV
订购信息
设备
NCP1378DR2
包
SOIC8
PDIP7
PDIP7
（无铅）
航运
2500磁带&卷轴
50单位/管
50单位/管
典型应用
电池为基础的业务
NCP1378P
NCP1378PG
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术参考
手动， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
1
2004年10月 - 第1版
出版订单号：
NCP1378/D
NCP1378
4.5
ms
延迟
HV
德马格
4毫安
+
+
V
CC
8.4 V
7.5 V
5.6 V（故障）
故障
MNGT 。
+
OVP
+
PON
5.2 V
+
S
Q
V
CC
DRV
8
ms
消隐
+
+
50毫伏
10 V
RESD
德马格
S*
Q
R* R
司机SRC = 20片= 10
4.2 V
与内部
供应
软启动= 1毫秒
/3
1V
200
mA
当DRV
已关闭
TIMEOUT
RESET
340纳秒
LEB
德马格
FB
GND
超载？
5
ms
TIMEOUT
CS
* S和R的电平触发，而S是缘
触发。 R具有优先于其他投入。
图2.内部电路架构
最大额定值
等级
电源电压
所有其他引脚除了引脚8 （ HV ） ， 6脚最大电压（V
CC
）和引脚5 （ DRV ）
最大电流为除V所有引脚
CC
（6） ，高压（8）和德马格（1）当10伏的ESD
二极管被激活
在引脚1的最大电流
热阻，结到外壳
热阻，结到空气， SOIC版本
热阻，结到空气， PDIP版本
最高结温
温关断
滞后关断
存储温度范围
ESD能力， HBM型号（除V所有引脚
CC
和HV ）
ESD能力，机器型号
引脚8 （ HV ） ，引脚6 （ V最大电压
CC
）去耦至地10
mF
符号
V
CC
， DRV
同上
R
QJC
R
qJA
R
qJA
TJ
最大
V
HV
价值
16
-0.3至10
5.0
+3.0/2.0
57
178
100
150
155
30
-60到+150
2.0
200
500
单位
V
V
mA
mA
° C / W
° C / W
° C / W
°C
°C
°C
°C
kV
V
V
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人压力限值
（不正常的操作条件下），同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，损害
可能发生和可靠性可能会受到影响。
http://onsemi.com
3
NCP1378
电气特性
（对于典型值T
j
= 25 ℃，最小/最大值T
j
= 0 ° C至+ 125°C ，最大牛逼
j
= 150℃ ，V
CC
= 11 V
除非另有说明）。
特征
供电部分
V
CC
越来越多的等级。电流源打开，关闭
V
CC
降低的等级。电流源打开上
V
CC
VCC之间的短途旅行
ON
和Vcc的
民
V
CC
降低等级，在该闭锁阶段结束
IC内部消费，不上针5 ， F输出负载
SW
= 60千赫
IC内部消费，在引脚5，F 1.0 nF的输出负载
SW
= 60千赫
IC内部消费，闭锁期，V
CC
= 6.0 V
内部启动电流源
(T
j
u
0°C)
高压电流源，V
CC
= 7.8 V
高压电流源，V
CC
= 0
输出驱动器
输出电压上升时间@ CL = 1.0 nF的，输出信号的10-90 ％
输出电压下降时间@ CL = 1.0 nF的，输出信号的10-90 ％
源电阻
沉电阻
电流比较器
（引脚5未加载）
输入偏置电流@ 1.0V的输入电平的引脚3
最大内部电流设定点
传播延迟，从目前检测到门关闭状态
前沿消隐时间
在关闭时间内当前偏移注入的CS引脚
过电压部分
(V
CC
= 11 V)
经过对采样时间延迟
OVP内部参考电平
反馈部分
(V
CC
= 11 V ， 5脚装载了1.0 KW ）
内部上拉电阻
引脚3电流给定值的分频比
内部软启动
退磁检测模块
输入阈值电压（ VPIN 1减小）
迟滞（ VPIN 1减小）
输入钳位电压
高邦（宜宾1 = 3.0 mA）的
低状态（宜宾1 = -2.0毫安）
德马格传输延迟
内置输入电容在VPIN 1 = 1.0 V
T中之后内部消隐延迟
ON
在T 1，最大值
j
= 0 ° C，请参阅特性曲线。
1
1
1
1
1
1
1
V
th
V
H
VC
H
VC
L
T
DEM
C
PAR
T
空白
30
8.0
0.9
50
20
10
0.7
240
10
8.0
90
12
0.5
ns
pF
ms
mV
mV
V
2
RUP
Iratio
TSS
20
3.3
1.0
kW
ms
1
1
T
样品
V
REF
4.6
4.5
5.2
6.3
ms
V
3
3
3
3
3
I
IB
I
极限
T
DEL
T
LEB
Iskip
0.9
0.02
1.0
110
340
200
1.1
160
mA
V
ns
ns
mA
5
5
5
5
T
r
T
f
R
OH
R
OL
10
4.0
40
20
20
10
36
20
ns
ns
W
W
8
8
IC1
IC2
2.4
4.0
4.5
6.0
mA
mA
6
6
6
6
6
6
6
VCC
ON
VCC
民
VCC
HYST
VCC
LATCH
ICC1
ICC2
ICC3
7.8
7.0
0.8
8.4
7.5
5.5
1.0
1.6
220
9.0
8.2
1.3
（注1 ）
2.0
（注1 ）
V
V
V
mA
mA
mA
针
符号
民
典型值
最大
单位
http://onsemi.com
4
NCP1378
PWM电流模式
控制器自由运行
准谐振操作
该NCP1378结合了真正的电流模式调制器和
去磁检测器，以确保充分的边界线/临界
在任何负载/线路条件和最低排放传导模式
电压开关（准谐振操作）。由于其固有的
跳过循环能力，则控制器进入一旦突发模式作为
要求功率低于预定水平。如发生这种情况，在
低峰值电流，无噪声都听不到。内部8.0
ms
定时器防止自由运行频率超过100千赫（因此
低于150千赫兹的CISPR -22 EMI开始限制），而跳过
调节能力允许用户选择的频率，所述
爆折返发生。
变压器磁芯去磁检测是通过辅助完成
绕组，通过专用管脚带来的，也实现了快速过
电压保护（ OVP ） 。一旦OVP已经检测时，IC
永久闭锁。
该NCP1378还具有高效的保护电路，在
过流情况的存在，关闭输出脉冲和
进入安全突发模式，尝试重新启动。一旦故障消失，
该设备自动恢复。最后一个内部1.0 ms软启动
消除了传统的启动应力。
该NCP1378是专为具有低电压应用
UVLO阈值8.4 V（上）和7.5 V（关闭） 。
特点
http://onsemi.com
记号
图表
8
8
1
SOIC8
后缀
CASE 751
1
1378
ALYW
8
1
PDIP7
P后缀
CASE 626B
1
A
WL ，L
YY, Y
WW, W
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
1378P
AWL
YYWW
无铅包装是可用*
自由运行的边界线/临界模式准谐振操作
锁存过压保护
自动恢复短路保护通过UVLO交叉
电流模式具有可调跳周期能力
内部1.0 ms软启动
内部温度关机
内部的前沿消隐
500毫安峰值电流源/汇能力
外部锁存器触发，例如通过过热信号
直接连接光耦
可用于瞬态分析SPICE模型
内置8.0
ms
最低牛逼
关闭
引脚连接
DMG 1
FB 2
CS 3
GND 4
（ TOP VIEW ）
6 V
CC
5 DRV
8 HV
订购信息
设备
NCP1378DR2
包
SOIC8
PDIP7
PDIP7
（无铅）
航运
2500磁带&卷轴
50单位/管
50单位/管
典型应用
电池为基础的业务
NCP1378P
NCP1378PG
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术参考
手动， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
1
2004年10月 - 第1版
出版订单号：
NCP1378/D
NCP1378
4.5
ms
延迟
HV
德马格
4毫安
+
+
V
CC
8.4 V
7.5 V
5.6 V（故障）
故障
MNGT 。
+
OVP
+
PON
5.2 V
+
S
Q
V
CC
DRV
8
ms
消隐
+
+
50毫伏
10 V
RESD
德马格
S*
Q
R* R
司机SRC = 20片= 10
4.2 V
与内部
供应
软启动= 1毫秒
/3
1V
200
mA
当DRV
已关闭
TIMEOUT
RESET
340纳秒
LEB
德马格
FB
GND
超载？
5
ms
TIMEOUT
CS
* S和R的电平触发，而S是缘
触发。 R具有优先于其他投入。
图2.内部电路架构
最大额定值
等级
电源电压
所有其他引脚除了引脚8 （ HV ） ， 6脚最大电压（V
CC
）和引脚5 （ DRV ）
最大电流为除V所有引脚
CC
（6） ，高压（8）和德马格（1）当10伏的ESD
二极管被激活
在引脚1的最大电流
热阻，结到外壳
热阻，结到空气， SOIC版本
热阻，结到空气， PDIP版本
最高结温
温关断
滞后关断
存储温度范围
ESD能力， HBM型号（除V所有引脚
CC
和HV ）
ESD能力，机器型号
引脚8 （ HV ） ，引脚6 （ V最大电压
CC
）去耦至地10
mF
符号
V
CC
， DRV
同上
R
QJC
R
qJA
R
qJA
TJ
最大
V
HV
价值
16
-0.3至10
5.0
+3.0/2.0
57
178
100
150
155
30
-60到+150
2.0
200
500
单位
V
V
mA
mA
° C / W
° C / W
° C / W
°C
°C
°C
°C
kV
V
V
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人压力限值
（不正常的操作条件下），同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，损害
可能发生和可靠性可能会受到影响。
http://onsemi.com
3
NCP1378
电气特性
（对于典型值T
j
= 25 ℃，最小/最大值T
j
= 0 ° C至+ 125°C ，最大牛逼
j
= 150℃ ，V
CC
= 11 V
除非另有说明）。
特征
供电部分
V
CC
越来越多的等级。电流源打开，关闭
V
CC
降低的等级。电流源打开上
V
CC
VCC之间的短途旅行
ON
和Vcc的
民
V
CC
降低等级，在该闭锁阶段结束
IC内部消费，不上针5 ， F输出负载
SW
= 60千赫
IC内部消费，在引脚5，F 1.0 nF的输出负载
SW
= 60千赫
IC内部消费，闭锁期，V
CC
= 6.0 V
内部启动电流源
(T
j
u
0°C)
高压电流源，V
CC
= 7.8 V
高压电流源，V
CC
= 0
输出驱动器
输出电压上升时间@ CL = 1.0 nF的，输出信号的10-90 ％
输出电压下降时间@ CL = 1.0 nF的，输出信号的10-90 ％
源电阻
沉电阻
电流比较器
（引脚5未加载）
输入偏置电流@ 1.0V的输入电平的引脚3
最大内部电流设定点
传播延迟，从目前检测到门关闭状态
前沿消隐时间
在关闭时间内当前偏移注入的CS引脚
过电压部分
(V
CC
= 11 V)
经过对采样时间延迟
OVP内部参考电平
反馈部分
(V
CC
= 11 V ， 5脚装载了1.0 KW ）
内部上拉电阻
引脚3电流给定值的分频比
内部软启动
退磁检测模块
输入阈值电压（ VPIN 1减小）
迟滞（ VPIN 1减小）
输入钳位电压
高邦（宜宾1 = 3.0 mA）的
低状态（宜宾1 = -2.0毫安）
德马格传输延迟
内置输入电容在VPIN 1 = 1.0 V
T中之后内部消隐延迟
ON
在T 1，最大值
j
= 0 ° C，请参阅特性曲线。
1
1
1
1
1
1
1
V
th
V
H
VC
H
VC
L
T
DEM
C
PAR
T
空白
30
8.0
0.9
50
20
10
0.7
240
10
8.0
90
12
0.5
ns
pF
ms
mV
mV
V
2
RUP
Iratio
TSS
20
3.3
1.0
kW
ms
1
1
T
样品
V
REF
4.6
4.5
5.2
6.3
ms
V
3
3
3
3
3
I
IB
I
极限
T
DEL
T
LEB
Iskip
0.9
0.02
1.0
110
340
200
1.1
160
mA
V
ns
ns
mA
5
5
5
5
T
r
T
f
R
OH
R
OL
10
4.0
40
20
20
10
36
20
ns
ns
W
W
8
8
IC1
IC2
2.4
4.0
4.5
6.0
mA
mA
6
6
6
6
6
6
6
VCC
ON
VCC
民
VCC
HYST
VCC
LATCH
ICC1
ICC2
ICC3
7.8
7.0
0.8
8.4
7.5
5.5
1.0
1.6
220
9.0
8.2
1.3
（注1 ）
2.0
（注1 ）
V
V
V
mA
mA
mA
针
符号
民
典型值
最大
单位
http://onsemi.com
4
NCP1378
PWM电流模式
控制器自由运行
准谐振操作
该NCP1378结合了真正的电流模式调制器和
去磁检测器，以确保充分的边界线/临界
在任何负载/线路条件和最低排放传导模式
电压开关（准谐振操作）。由于其固有的
跳过循环能力，则控制器进入一旦突发模式作为
要求功率低于预定水平。如发生这种情况，在
低峰值电流，无噪声都听不到。内部8.0
ms
定时器防止自由运行频率超过100千赫（因此
低于150千赫兹的CISPR -22 EMI开始限制），而跳过
调节能力允许用户选择的频率，所述
爆折返发生。
变压器磁芯去磁检测是通过辅助完成
绕组，通过专用管脚带来的，也实现了快速过
电压保护（ OVP ） 。一旦OVP已经检测时，IC
永久闭锁。
该NCP1378还具有高效的保护电路，在
过流情况的存在，关闭输出脉冲和
进入安全突发模式，尝试重新启动。一旦故障消失，
该设备自动恢复。最后一个内部1.0 ms软启动
消除了传统的启动应力。
该NCP1378是专为具有低电压应用
UVLO阈值8.4 V（上）和7.5 V（关闭） 。
特点
http://onsemi.com
记号
图表
8
8
1
SOIC8
后缀
CASE 751
1
1378
ALYW
G
8
1
A
L， WL
Y, YY
W, WW
G
或G
PDIP7
P后缀
CASE 626B
1
1378P
AWL
YYWWG
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
= Pb-Free包装
自由运行的边界线/临界模式准谐振操作
锁存过压保护
自动恢复短路保护通过UVLO交叉
电流模式具有可调跳周期能力
内部1.0 ms软启动
内部温度关机
内部的前沿消隐
500毫安峰值电流源/汇能力
外部锁存器触发，例如通过过热信号
直接连接光耦
可用于瞬态分析SPICE模型
内置8.0
ms
最低牛逼
关闭
无铅包可用*
引脚连接
DMG 1
FB 2
CS 3
GND 4
（ TOP VIEW ）
6 V
CC
5 DRV
8 HV
订购信息
设备
NCP1378DR2
NCP1378DR2G
NCP1378P
NCP1378PG
包
SOIC8
SOIC8
（无铅）
PDIP7
PDIP7
（无铅）
航运
2500磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
50单位/铁
50单位/铁
典型应用
电池为基础的业务
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术参考
手动， SOLDERRM / D 。
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
出版订单号：
NCP1378/D
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
2006年10月，
第4版
1
NCP1378
4.5
ms
延迟
HV
德马格
4毫安
+
+
V
CC
8.4 V
7.5 V
5.6 V（故障）
与内部
供应
故障
MNGT 。
+
OVP
PON
5.2 V
+
S
+
Q
V
CC
DRV
司机SRC = 20片= 10
4.2 V
8
ms
消隐
+
+
50毫伏
10 V
RESD
德马格
S*
Q
R* R
软启动= 1毫秒
1V
FB
/3
GND
超载？
5
ms
TIMEOUT
TIMEOUT
RESET
200
mA
当DRV
已关闭
340纳秒
LEB
德马格
CS
* S和R的电平触发，而S是缘
触发。 R具有优先于其他投入。
图2.内部电路架构
最大额定值
等级
电源电压，V
CC
针，连续电压
瞬态电源电压，持续时间< 10毫秒，四
CC
< 20毫安
电源电压
所有其他引脚除了引脚8 （ HV ） ， 6脚最大电压（V
CC
）和引脚5 （ DRV ）
最大电流为除V所有引脚
CC
（6） ，高压（8）和德马格（1）当10伏的ESD
二极管被激活
在引脚1的最大电流
热阻，结到外壳
热阻，结到空气， SOIC版本
热阻，结到空气， PDIP版本
最高结温
温关断
滞后关断
存储温度范围
ESD能力， HBM型号（除V所有引脚
CC
和HV ）
符号
V
CC
STATIC
V
CC
脉冲
V
CC
， DRV
同上
R
QJC
R
qJA
R
qJA
TJ
最大
价值
18
25
16
0.3
10
5.0
+3.0/2.0
57
178
100
150
155
30
60
+150
2.0
单位
V
V
V
V
mA
mA
° C / W
° C / W
° C / W
°C
°C
°C
°C
kV
http://onsemi.com
3
NCP1378
最大额定值
等级
ESD能力，机器型号
引脚8 （ HV ） ，引脚6 （ V最大电压
CC
）去耦至地10
mF
符号
V
HV
价值
200
500
单位
V
V
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
除非另有说明）。
电气特性
（对于典型值T
j
= 25 ℃，最小/最大值T
j
= 0 ° C至+ 125°C ，最大牛逼
j
= 150℃ ，V
CC
= 11 V
特征
供电部分
V
CC
越来越多的等级。电流源打开，关闭
最低工作电压在导通之后
V
CC
VCC之间的短途旅行
ON
和Vcc的
关闭
V
CC
降低等级，在该闭锁阶段结束
IC内部消费，不上针5 ， F输出负载
SW
= 60千赫
IC内部消费，在引脚5，F 1.0 nF的输出负载
SW
= 60千赫
IC内部消费，闭锁期，V
CC
= 6.0 V
内部启动电流源
(T
j
u
0°C)
高压电流源，V
CC
= 7.8 V
高压电流源，V
CC
= 0
输出驱动器
输出电压上升时间@ CL = 1.0 nF的，输出信号的10-90 ％
输出电压下降时间@ CL = 1.0 nF的，输出信号的10-90 ％
源电阻
沉电阻
电流比较器
（引脚5未加载）
输入偏置电流@ 1.0V的输入电平的引脚3
最大内部电流设定点
传播延迟，从目前检测到门关闭状态
前沿消隐时间
在关闭时间内当前偏移注入的CS引脚
过电压部分
(V
CC
= 11 V)
经过对采样时间延迟
OVP内部参考电平
反馈部分
(V
CC
= 11 V ， 5脚装载了1.0 KW ）
内部上拉电阻
引脚3电流给定值的分频比
内部软启动
退磁检测模块
输入阈值电压（ VPIN 1减小）
迟滞（ VPIN 1减小）
1
1
V
th
V
H
30
50
20
90
mV
mV
2
RUP
Iratio
TSS
20
3.3
1.0
kW
ms
1
1
T
样品
V
REF
4.6
4.5
5.2
6.3
ms
V
3
3
3
3
3
I
IB
I
极限
T
DEL
T
LEB
Iskip
0.9
0.02
1.0
110
340
200
1.1
160
mA
V
ns
ns
mA
5
5
5
5
T
r
T
f
R
OH
R
OL
10
4.0
40
20
20
10
36
20
ns
ns
W
W
8
8
IC1
IC2
2.4
4.0
4.5
6.0
mA
mA
6
6
6
6
6
6
6
VCC
ON
VCC
关闭
VCC
HYST
VCC
LATCH
ICC1
ICC2
ICC3
7.8
7.0
0.8
8.4
7.5
5.5
1.0
1.6
220
9.0
8.2
1.3
（注1 ）
2.0
（注1 ）
V
V
V
mA
mA
mA
针
符号
民
典型值
最大
单位
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4
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