【NTMD6N02R2功率MOSFET6.0安培， 20伏N沟道增强模式双SO- 8封装http://】,IC型号NTMD6N02R2G,NTMD6N02R2G PDF资料,NTMD6N02R2G经销商,ic,电子元器件-51电子网

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NTMD6N02R2

功率MOSFET

6.0安培， 20伏

N沟道增强模式

双SO- 8封装

http://onsemi.com

特点

V

DSS

20 V

R

DS （ ON）

典型值

35毫瓦@ V

GS

= 4.5 V

I

D

最大

6.0 A

超低低R

DS （ ON）

更高的效率延长电池寿命

逻辑电平栅极驱动器

微型双SOIC - 8表面贴装封装

二极管具有高转速，软恢复

较高的雪崩能量

SOIC - 8安装提供的信息

无铅包装是否可用

N沟道

D

G

S

应用

DC-DC转换器

低压电机控制

在便携式和电池供电产品的电源管理，

例如，计算机，打印机，蜂窝和无绳电话

和PCMCIA卡

最大额定值

(T

J

= 25 ° C除非另有说明）

等级

漏极至源极电压

漏极至栅极电压（R

GS

= 1.0毫瓦）

栅极 - 源极电压 - 连续

热阻，

结到环境（注1 ）

总功率耗散@ T

A

= 25°C

连续漏电流@ T

A

= 25°C

连续漏电流@ T

A

= 70°C

漏电流脉冲（注4 ）

热阻，

结到环境（注2 ）

总功率耗散@ T

A

= 25°C

连续漏电流@ T

A

= 25°C

连续漏电流@ T

A

= 70°C

漏电流脉冲（注4 ）

热阻

结到环境（注3 ）

总功率耗散@ T

A

= 25°C

连续漏电流@ T

A

= 25°C

连续漏电流@ T

A

= 70°C

漏电流脉冲（注4 ）

符号

V

DSS

V

DGR

V

GS

R

qJA

P

D

I

D

I

D

I

DM

R

qJA

P

D

I

D

I

D

I

DM

R

qJA

P

D

I

D

I

D

I

DM

价值

20

20

"12

62.5

2.0

6.5

5.5

50

102

1.22

5.07

4.07

40

172

0.73

3.92

3.14

30

单位

V

V

V

° C / W

W

A

A

A

° C / W

W

A

A

A

° C / W

W

A

A

A

8

1

SOIC8

CASE 751

风格11

标记图

＆放大器;引脚分配

源1

门1

源2

门2

1

2

3

4

（ TOP VIEW ）

E6N02 =具体设备守则

A

=大会地点

Y

=年

WW

=工作周

G

= Pb-Free包装

（注：微球可在任一位置）

E6N02

ALYWG

G

8

7

6

5

排水1

排水1

排水2

排水2

订购信息

设备

NTMD6N02R2

NTMD6N02R2G

包

SOIC8

SOIC8

（无铅）

航运

2500 /磁带&卷轴

2500 /磁带&卷轴

1.安装在一个2平方米FR- 4板

（ 1平方2盎司0.06铜厚单面），T < 10秒。

2.安装在一个2平方米FR- 4板

（ 1平方2盎司0.06铜厚单面），T =稳定状态。

3.最小的FR - 4或G - 10 PCB ，T =稳态。

4.脉冲测试：脉冲宽度= 10

女士，

占空比= 2 ％。

半导体元件工业有限责任公司， 2005年

。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D 。

1

出版订单号：

NTMD6N02R2/D

2005年8月 - 第3版

NTMD6N02R2

最大额定值

(T

J

= 25 ° C除非另有说明）（续）

等级

工作和存储温度范围

单脉冲漏极 - 源极雪崩能量 - 起始物为

J

= 25°C

(V

DD

= 20伏，V

GS

= 5.0伏，峰值I

L

= 6.0 APK ， L = 20 mH的，R

G

= 25

W)

最大的铅焊接温度的目的，持续10秒

符号

T

J

, T

英镑

E

AS

T

L

价值

-55到+150

360

260

单位

°C

mJ

°C

电气特性

(T

C

= 25 ° C除非另有说明）（注5 ）

特征

开关特性

漏极至源极击穿电压

(V

GS

= 0伏，我

D

= 250

MADC ）

温度系数（正）

零栅极电压漏极电流

(V

DS

= 20伏，V

GS

= 0伏，T

J

= 25°C)

(V

DS

= 20伏，V

GS

= 0伏，T

J

= 125°C)

门体漏电流（Ⅴ

GS

= + 12VDC ，V

DS

= 0伏）

门体漏电流（Ⅴ

GS

= -12伏直流，V

DS

= 0伏）

基本特征

栅极阈值电压

(V

DS

= V

GS

, I

D

= 250

MADC ）

温度系数（负）

静态漏 - 源极导通电阻

(V

GS

= 4.5伏，我

D

= 6.0 ADC）

(V

GS

= 4.5伏，我

D

= 4.0 ADC）

(V

GS

= 2.7伏，我

D

= 2.0 ADC）

(V

GS

= 2.5伏，我

D

= 3.0 ADC）

正向跨导（V

DS

= 12 VDC，我

D

= 3.0 ADC）

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

开关特性

（注6及7 ）

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

(V

DS

= 16伏，

V

GS

= 4.5伏，

I

D

= 6.0 ADC）

(V

DD

= 16伏直流，我

D

= 4.0 ADC ，

V

GS

= 4.5伏，

R

G

= 6.0

W)

(V

DD

= 16伏直流，我

D

= 6.0 ADC ，

V

GS

= 4.5伏，

R

G

= 6.0

W)

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

合计

Q

gs

Q

gd

12

50

45

80

11

35

45

60

12

1.5

4.0

20

90

75

130

18

65

75

110

20

nC

ns

ns

(V

DS

= 16伏，V

GS

= 0伏，

F = 1.0兆赫）

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

785

260

75

1100

450

180

pF

V

GS （ TH）

0.6

R

DS （ ON）

g

FS

0.028

0.028

0.033

0.035

10

0.035

0.043

0.048

0.049

姆欧

0.9

3.0

1.2

VDC

毫伏/°C的

W

V

（ BR ） DSS

20

I

DSS

I

GSS

I

GSS

1.0

10

100

100

NADC

NADC

19.2

VDC

毫伏/°C的

MADC

符号

民

典型值

最大

单位

5.处理措施以防止静电放电是强制性的

6.指示脉冲测试：脉冲宽度= 300

ms

最大值，占空比= 2 ％。

7.开关特性是独立的工作结温。

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2

NTMD6N02R2

电气特性

(T

C

= 25 ° C除非另有说明）（续）（注8）

特征

体漏二极管额定值

（注9 ）

二极管正向导通电压

(I

S

= 4.0 ADC ，V

GS

= 0伏）

(I

S

= 6.0 ADC ，V

GS

= 0伏）

(I

S

= 6.0 ADC ，V

GS

= 0伏，T

J

= 125°C)

(I

S

= 6.0 ADC ，V

GS

= 0伏，

dI

S

/ DT = 100 A / MS）

反向恢复电荷存储

8.处理措施以防止静电放电是强制性的。

9.指示脉冲测试：脉冲宽度= 300

ms

最大值，占空比= 2 ％。

V

SD

0.83

0.88

0.75

30

15

15

0.02

1.1

1.2

mC

VDC

符号

民

典型值

最大

单位

反向恢复时间

t

rr

t

a

t

b

Q

RR

ns

12

I D ，漏极电流（ AMPS ）

10

8

10 V

2.5 V

4.5 V

3.2 V

2.0 V

ID ，漏极电流（ AMPS ）

T

J

= 25°C

1.8 V

12

V

DS

≥

10 V

10

8

6

4

2

0

100°C

25°C

6

4

2

0

V

GS

= 1.5 V

T

J

= 55°C

0

0.25

0.5

0.75

1

1.25

1.5

V

DS

，漏极至源极电压（伏）

1.75

0.5

1

1.5

2

V

GS

，栅极至源极电压（伏）

2.5

RDS （ ON），漏极至源极电阻（欧姆）

0.07

0.06

0.05

0.04

0.03

0.02

0.01

0

0

2

4

6

8

V

GS

，栅极至源极电压（伏）

10

I

D

= 6.0 A

T

J

= 25°C

RDS （ ON），漏极至源极电阻（欧姆）

图1.区域特征

图2.传输特性

0.05

T

J

= 25°C

0.04

V

GS

= 2.5 V

0.03

4.5 V

0.02

0.01

1

3

5

7

9

I

D

，漏极电流（ AMPS ）

11

13

图3.导通电阻与

栅极 - 源极电压

图4.导通电阻与漏电流

与栅极电压

http://onsemi.com

3

NTMD6N02R2

RDS （ ON），漏极 - 源极电阻

（归一化）

1.6

I

D

= 6.0 A

V

GS

= 4.5 V

1000

V

GS

= 0 V

T

J

= 125°C

100°C

10

1.2

我DSS ，漏电（ NA）

1.4

100

1

1

25°C

0.8

0.6

50

0.1

0.01

25

0

25

50

75

100

125

T

J

，结温（ ° C）

150

4

8

12

16

V

DS

，漏极至源极电压（伏）

20

图5.导通电阻变化与

温度

图6.漏 - 源极漏电流

与电压

VGS ，栅极至源极电压（伏）

2500

V

DS

= 0 V

C

国际空间站

V

GS

= 0 V

5

QT

4

V

DS

3

Q1

Q2

I

D

= 6 A

V

DS

= 16 V

V

GS

= 4.5 V

T

J

= 25°C

V

GS

20

T

J

= 25°C

C，电容（pF ）

2000

16

1500

C

RSS

12

1000

C

国际空间站

C

OSS

2

8

500

C

RSS

0

10

5

0

V

GS

V

DS

5

10

15

1

0

0

4

8

12

16

Q

g

，总栅极电荷（ NC）

4

0

20

栅极 - 源极或漏极至源极电压（伏）

图7.电容变化

图8.栅极至源极和漏极 - 源

电压与总充电

1000

V

DS

= 16 V

I

D

= 6.0 A

V

GS

= 4.5 V

T， TIME （ NS ）

100

t

f

t

r

t

D（关闭）

10

1

t

D（上）

10

R

G

，栅极电阻（欧姆）

100

图9.电阻开关时间变化

与栅极电阻

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4

V DS ，漏极至源极电压（伏）

NTMD6N02R2

漏极至源极二极管特性

5

I S ，源电流（安培）

V

GS

= 0 V

T

J

= 25°C

100

I D ，漏极电流（ AMPS ）

V

GS

= 20 V

单脉冲

T

C

= 25°C

10

1毫秒

10毫秒

1

R

DS （ ON）

极限

热限制

套餐限制

0.1

1

10

4

100

ms

3

2

1

0

0.1

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

V

SD

，源极到漏极电压（伏）

dc

100

V

DS

，漏极至源极电压（伏）

图10.二极管的正向电压与电流

图11.最大额定正向偏置

安全工作区

的di / dt

I

S

t

rr

t

a

t

b

时间

t

p

I

S

0.25 I

S

图12.二极管的反向恢复波形

典型电气特性

1

Rthja （t）的有效瞬态

热阻

D = 0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

0.01

t

2

占空比D = T

1

/t

2

1.0E03

1.0E02

1.0E01

T，时间（S ）

1.0E+00

t

1

P

（ PK）

R

QJC

（吨）= R（T ）R

QJC

D曲线任选一功率

脉冲序列如图

读取时间AT＆T

1

T

J（下PK）

T

C

= P

（ PK）

R

QJC

(t)

1.0E+01

1.0E+02

1.0E+03

0.1

单脉冲

0.001

1.0E05

1.0E04

图13.热响应

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5

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-

终端采购配单精选

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2500

SOP8

原装订货实单确认

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ON

24+

9850

SOP8

进口原装正品现货

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2

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联系人：小邹

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7580

原厂封装

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28500

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113849

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十年专营，供应原装正品！热卖现货！

深圳市华创欧科技有限公司

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联系人：朱先生

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深圳市珩瑞科技有限公司

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电话：0755-82578309/18898790342

联系人：李小姐

地址：深圳市福田区华强北海外装饰大厦B座7B33

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电话：0755-83223003

联系人：朱

地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316

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全新原装现货，原厂代理。

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