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N64S830HA
64Kb的低功耗串行SRAM的
8K × 8位组织
概观
安森美半导体串行SRAM系列
包括一些集成存储设备
包括本64K串行访问静态
随机存取存储器，内部组织结构
8K字由8位。该装置被设计和
捏造采用安森美半导体的先进
CMOS技术，以提供高速
高性能和低功耗。该器件工作
与单个芯片选择（ CS）输入信号，并使用一
简单的串行外设接口（ SPI ）的串行总线。
在一个单独的数据输入和数据输出线被一起使用
一个时钟的装置内访问数据。该
N64S830HA设备包括一个HOLD引脚
允许通信设备被暂停。
暂停时，输入的脉冲将被忽略。
该设备可以在宽的温度工作在
-40系列
o
C至+ 85
o
C和可以在可用的
几个标准的封装产品。
特点
电源电压范围
2.5至3.6V
- 极低的待机电流
低至1uA的
极低的工作电流
低至3毫安
简单的存储控制
单芯片选择（ CS ）
串行输入（ SI ）和串行输出（ SO ）
灵活的操作模式
单词读写
页模式（ 32字页）
突发模式（全系列）
组织
8K ×8位
自定时写周期
内置写保护（ CS高）
HOLD引脚用于暂停通讯
高可靠性
没有写次数限制
符合RoHS标准的封装
绿色SOIC和TSSOP
DEVICE选项
产品型号
N64S830HAS2
N64S830HAT2
密度
动力
电压（V）
3.0
速度
（兆赫）
20
包
SOIC
TSSOP
典型
待机
当前
1uA
读/写
工作电流
3毫安@ 1MHz的
64Kb
2009 SCILLC 。版权所有。
2009年6月 - 修订版
出版订单号：
N64S830HA/D
N64S830HA
包装刀豆网络gurations
引脚名称
引脚名称
CS
SCK
SI
SO
HOLD
NC
V
CC
V
SS
引脚功能
片选输入
串行时钟输入
串行数据输入
串行数据输出
HOLD输入
无连接
动力
地
CS
SO
NC
VSS
1
8
VCC
HOLD
SCK
SI
SOIC
2
3
4
7
6
5
CS
SO
NC
VSS
1
8
VSS
HOLD
SCK
SI
TSSOP
2
3
4
7
6
5
功能框图
SCK
HOLD
时钟
电路
CS
解码
逻辑
64Kb
SRAM
ARRAY
SDI
DATA IN
接收器
SDO
数据输出
卜FF器
修订版K |页15 2 | www.onsemi.com
N64S830HA
绝对最大额定值
1
项
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
CC
供应相对于V
SS
功耗
储存温度
工作温度
焊接温度和时间
符号
V
IN，OUT
V
CC
P
D
T
英镑
T
A
T
SOLDER
等级
-0.3到V
CC
+0.3
-0.3 4.5
500
-40至125
-40至+85
260
o
C， 10秒
单位
V
V
mW
o
C
o
C
o
C
1.强调大于上述所列可能导致器件的永久性损坏。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以上的本规范的操作部分标明的任何其他条件，操作不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
工作特性（在规定温度范围）
项
电源电压
输入高电压
输入低电压
输出高电压
输出低电压
输入漏电流
输出漏电流
读/写操作
当前
待机电流
符号
V
CC
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
LI
I
LO
I
CC1
I
CC2
I
CC3
I
SB
I
OH
= -0.4mA
I
OL
= 1毫安
CS = V
CC
, V
IN
= 0至V
CC
CS = V
CC
, V
OUT
= 0至V
CC
F = 1MHz时，我
OUT
= 0
F = 10MHz时，我
OUT
= 0
F = FCLK MAX ，我
OUT
= 0
CS = V
CC
, V
IN
= V
SS
或V
CC
1
测试条件
3V器件
分钟。
2.5
0.7× V
CC
–0.3
V
CC
–0.5
0.2
0.5
0.5
3
6
10
4
典型值
1
最大
3.6
V
CC
+0.3
0.8
单位
V
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
A
1.典型值是在Vcc = Vcc的典型值，T测量。
A
= 25°C ，不100 ％测试。
电容
1
项
输入电容
I / O容量
符号
C
IN
C
I / O
测试条件
V
IN
= 0V ， F = 1 MHz时，T
A
= 25
o
C
V
IN
= 0V ， F = 1 MHz时，T
A
= 25
o
C
民
最大
7
7
单位
pF
pF
1，这些参数在设备特性验证，并非100％测试
修订版K |第15 3 | www.onsemi.com
N64S830HA
时序测试条件
项
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序参考电平
输出负载
工作温度
0.1V
CC
0.9 V
CC
5ns
0.5 V
CC
CL = 100pF的
-40至+85
o
C
定时
项
时钟频率
时钟上升时间
时钟下降时间
时钟高电平时间
时钟低电平时间
时钟延迟时间
CS建立时间
CS保持时间
CS禁用时间
SCK为CS
数据建立时间
数据保持时间
时钟输出低电平有效。
输出保持时间
输出禁止时间
HOLD建立时间
HOLD保持时间
HOLD低到输出高阻
高举到输出有效
符号
f
CLK
t
R
t
F
t
HI
t
LO
t
CLD
t
CSS
t
CSH
t
惩教署
t
SCS
t
SU
t
HD
t
V
t
HO
t
DIS
t
HS
t
HH
t
HZ
t
HV
10
10
10
50
0
20
25
25
25
25
50
25
5
10
10
25
分钟。
马克斯。
20
2
2
单位
兆赫
us
us
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
修订版K |第15 4 | www.onsemi.com
N64S830HA
串行输入时序
t
惩教署
CS
t
R
SCK
t
SU
SI
在MSB
t
CSS
t
HD
在LSB
t
F
t
CSH
t
SCS
t
CLD
SO
高-Z
串行输出时序
CS
t
LO
SCK
t
V
SO
t
DIS
MSB OUT
不在乎
LSB OUT
t
HI
t
CSH
SI
保持时间
CS
t
HS
SCK
t
HH
SO
n+2
n+1
t
HZ
SI
n+2
n+1
n
不在乎
n
n
高-Z
t
HS
t
HH
t
HV
n
t
SU
n-1
n-1
HOLD
修订版K |第15 5 | www.onsemi.com
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