NTLUS3A18PZ
功率MOSFET
特点
20
V,
8.2
A单P沟道,
2.0x2.0x0.55毫米
mCoolt
UDFN封装
UDFN封装,带有裸漏焊盘为优良的热
传导
低调UDFN 2.0x2.0x0.55毫米的电路板空间节省
超低低R
DS ( ON)
ESD二极管保护门
这些器件是无铅,无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
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MOSFET
V
( BR ) DSS
R
DS ( ON)
最大
18毫瓦@
4.5
V
20
V
25毫瓦@
2.5
V
50毫瓦@
1.8
V
90毫瓦@
1.5
V
D
8.2
A
I
D
最大
应用
优化的电源管理应用的便携式
产品,如手机,多媒体平板电脑, PMP , DSC , GPS,及
OTHERS
电池开关
高侧负载开关
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
电流(注1 )
连续漏极
电流(注1 )
功率耗散
化(注1 )
稳定
状态
t
≤
5s
稳定
状态
t
≤
5s
连续漏极
电流(注2 )
稳定
状态
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
TP = 10
ms
P
D
I
DM
T
J
,
T
英镑
V
ESD
I
S
T
L
I
D
P
D
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
20
±8.0
8.2
5.9
12.2
1.7
3.8
5.1
3.7
0.7
25
-55
150
2000
1.7
260
W
A
°C
V
A
°C
A
销1
W
S
D
单位
V
V
A
G
S
P沟道MOSFET
标记图
1
UDFN6
AC MG
( mCOOL ] )
G
CASE 517BG
功率耗散(注2 )
漏电流脉冲
工作结存储
温度
ESD ( HBM , JESD22- A114 )
AC =具体设备守则
M =日期代码
G
= Pb-Free包装
( *注:微球可在任一位置)
引脚连接
源电流(体二极管) (注2 )
无铅焊接温度的目的
( 1/8“从案例10秒)
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.表面安装在FR4板采用1平方焊盘尺寸(铜面积为1.127平方英寸
[ 2盎司]包括痕迹) 。
2.表面安装使用推荐的最小焊盘尺寸FR4板
为30毫米
2
, 2盎司铜。
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订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第5页上。
半导体元件工业有限责任公司, 2012
, 2012年7月
第3版
1
出版订单号:
NTLUS3A18PZ/D
NTLUS3A18PZ
热电阻额定值
参数
结 - 环境 - 稳态(注3 )
结 - 环境 - 吨
≤
5秒(注3)
结 - 环境 - 稳态分钟垫(注4 )
3.表面安装在FR4板采用1平方焊盘尺寸(铜面积为1.127平方英寸[ 2盎司]包括痕迹) 。
4.表面安装在FR4板上用30毫米的最小推荐焊盘尺寸
2
, 2盎司铜。
符号
R
θJA
R
θJA
R
θJA
最大
72
33
189
° C / W
单位
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编)
参数
开关特性
漏极至源极击穿电压
漏极至源极击穿电压
温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
基本特征
(注5 )
栅极阈值电压
负阈值温度。系数
漏极至源极导通电阻
V
GS ( TH)
V
GS ( TH)
/T
J
R
DS ( ON)
V
GS
=
4.5
V,I
D
=
7.0
A
V
GS
=
2.5
V,I
D
=
5.0
A
V
GS
=
1.8
V,I
D
=
3.0
A
V
GS
=
1.5
V,I
D
=
1.0
A
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极电荷
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G( TOT )
Q
G( TH )
Q
GS
Q
GD
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
SD
t
RR
t
a
t
b
Q
RR
V
GS
= 0 V , DIS / DT = 100 A / MS ,
I
S
=
1.0
A
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
V
GS
=
4.5
V, V
DD
=
15
V,
I
D
=
4.0
A,R
G
= 1
W
V
GS
=
4.5
V, V
DS
=
15
V;
I
D
=
4.0
A
V
DS
=
5
V,I
D
=
3.0
A
收费,电容&栅极电阻
2240
V
GS
= 0 V , F = 1MHz时,
V
DS
=
15
V
240
210
28
1.0
2.9
8.8
ns
nC
pF
V
GS
= V
DS
, I
D
=
250
mA
0.4
3.0
14.6
19
25
40
40
18
25
50
90
S
1.0
V
毫伏/°C的
mW
V
( BR ) DSS
V
( BR ) DSS
/T
J
I
DSS
I
GSS
V
GS
= 0 V,I
D
=
250
mA
I
D
=
250
毫安,
裁判25℃
V
GS
= 0 V,
V
DS
=
20
V
T
J
= 25°C
20
+10
1.0
±5
V
毫伏/°C的
mA
mA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
V
DS
= 0 V, V
GS
=
±5.0
V
开关特性, VGS = 4.5 V
(注6 )
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
漏源二极管的特性
正向二极管电压
反向恢复时间
充电时间
放电时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0 V,
I
S
=
1.0
A
0.63
0.50
26.1
10.2
15.9
12
nC
ns
1.0
V
8.6
15
150
88
5.脉冲测试:脉冲宽度
≤
300
女士,
占空比
≤
2%.
6.开关特性是独立的工作结点温度。
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2
NTLUS3A18PZ
典型特征
100
10
ms
100
ms
1毫秒
1
V
GS
=
8
V
单脉冲
T
C
= 25°C
R
DS ( ON)
极限
热限制
套餐限制
1
10
10毫秒
I
D
,漏电流( A)
10
0.1
dc
0.01
0.1
100
V
DS
,漏极至源极电压( V)
R(T ),有效瞬态热响应
图13.最大额定正向偏置
安全工作区
80
70
60
50
40
30
20
10
0.2
0.1
单脉冲
1E05
1E04
1E03
1E02
T,时间(S )
1E01
1E+00
1E+01
1E+02
1E+03
0.05
0.02
0.01
占空比= 0.5
R
qJA
= 72_C / W
0
1E06
图14. FET热响应
设备订货信息
设备
NTLUS3A18PZTAG
NTLUS3A18PZTBG
NTLUS3A18PZTCG
包
UDFN6
(无铅)
UDFN6
(无铅)
UDFN6
(无铅)
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格,包括部分方向和磁带大小,请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册, BRD8011 / D 。
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