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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第374页 > NTLUS3A18PZTAG
NTLUS3A18PZ
功率MOSFET
特点
20
V,
8.2
A单P沟道,
2.0x2.0x0.55毫米
mCoolt
UDFN封装
UDFN封装,带有裸漏焊盘为优良的热
传导
低调UDFN 2.0x2.0x0.55毫米的电路板空间节省
超低低R
DS ( ON)
ESD二极管保护门
这些器件是无铅,无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
http://onsemi.com
MOSFET
V
( BR ) DSS
R
DS ( ON)
最大
18毫瓦@
4.5
V
20
V
25毫瓦@
2.5
V
50毫瓦@
1.8
V
90毫瓦@
1.5
V
D
8.2
A
I
D
最大
应用
优化的电源管理应用的便携式
产品,如手机,多媒体平板电脑, PMP , DSC , GPS,及
OTHERS
电池开关
高侧负载开关
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
电流(注1 )
连续漏极
电流(注1 )
功率耗散
化(注1 )
稳定
状态
t
5s
稳定
状态
t
5s
连续漏极
电流(注2 )
稳定
状态
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
TP = 10
ms
P
D
I
DM
T
J
,
T
英镑
V
ESD
I
S
T
L
I
D
P
D
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
20
±8.0
8.2
5.9
12.2
1.7
3.8
5.1
3.7
0.7
25
-55
150
2000
1.7
260
W
A
°C
V
A
°C
A
销1
W
S
D
单位
V
V
A
G
S
P沟道MOSFET
标记图
1
UDFN6
AC MG
( mCOOL ] )
G
CASE 517BG
功率耗散(注2 )
漏电流脉冲
工作结存储
温度
ESD ( HBM , JESD22- A114 )
AC =具体设备守则
M =日期代码
G
= Pb-Free包装
( *注:微球可在任一位置)
引脚连接
源电流(体二极管) (注2 )
无铅焊接温度的目的
( 1/8“从案例10秒)
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.表面安装在FR4板采用1平方焊盘尺寸(铜面积为1.127平方英寸
[ 2盎司]包括痕迹) 。
2.表面安装使用推荐的最小焊盘尺寸FR4板
为30毫米
2
, 2盎司铜。
( TOP VIEW )
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第5页上。
半导体元件工业有限责任公司, 2012
, 2012年7月
第3版
1
出版订单号:
NTLUS3A18PZ/D
NTLUS3A18PZ
热电阻额定值
参数
结 - 环境 - 稳态(注3 )
结 - 环境 - 吨
5秒(注3)
结 - 环境 - 稳态分钟垫(注4 )
3.表面安装在FR4板采用1平方焊盘尺寸(铜面积为1.127平方英寸[ 2盎司]包括痕迹) 。
4.表面安装在FR4板上用30毫米的最小推荐焊盘尺寸
2
, 2盎司铜。
符号
R
θJA
R
θJA
R
θJA
最大
72
33
189
° C / W
单位
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编)
参数
开关特性
漏极至源极击穿电压
漏极至源极击穿电压
温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
基本特征
(注5 )
栅极阈值电压
负阈值温度。系数
漏极至源极导通电阻
V
GS ( TH)
V
GS ( TH)
/T
J
R
DS ( ON)
V
GS
=
4.5
V,I
D
=
7.0
A
V
GS
=
2.5
V,I
D
=
5.0
A
V
GS
=
1.8
V,I
D
=
3.0
A
V
GS
=
1.5
V,I
D
=
1.0
A
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极电荷
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G( TOT )
Q
G( TH )
Q
GS
Q
GD
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
SD
t
RR
t
a
t
b
Q
RR
V
GS
= 0 V , DIS / DT = 100 A / MS ,
I
S
=
1.0
A
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
V
GS
=
4.5
V, V
DD
=
15
V,
I
D
=
4.0
A,R
G
= 1
W
V
GS
=
4.5
V, V
DS
=
15
V;
I
D
=
4.0
A
V
DS
=
5
V,I
D
=
3.0
A
收费,电容&栅极电阻
2240
V
GS
= 0 V , F = 1MHz时,
V
DS
=
15
V
240
210
28
1.0
2.9
8.8
ns
nC
pF
V
GS
= V
DS
, I
D
=
250
mA
0.4
3.0
14.6
19
25
40
40
18
25
50
90
S
1.0
V
毫伏/°C的
mW
V
( BR ) DSS
V
( BR ) DSS
/T
J
I
DSS
I
GSS
V
GS
= 0 V,I
D
=
250
mA
I
D
=
250
毫安,
裁判25℃
V
GS
= 0 V,
V
DS
=
20
V
T
J
= 25°C
20
+10
1.0
±5
V
毫伏/°C的
mA
mA
符号
测试条件
典型值
最大
单位
V
DS
= 0 V, V
GS
=
±5.0
V
开关特性, VGS = 4.5 V
(注6 )
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
漏源二极管的特性
正向二极管电压
反向恢复时间
充电时间
放电时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0 V,
I
S
=
1.0
A
0.63
0.50
26.1
10.2
15.9
12
nC
ns
1.0
V
8.6
15
150
88
5.脉冲测试:脉冲宽度
300
女士,
占空比
2%.
6.开关特性是独立的工作结点温度。
http://onsemi.com
2
NTLUS3A18PZ
典型特征
20
18
I
D
,漏电流( A)
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
V
GS
=
1.8
V
1.5
V
4.5
to
2.5
V
2.0
V
20
18
I
D
,漏电流( A)
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
T
J
= 125°C
0.5
1
T
J
= 25°C
V
DS
10
V
T
J
=
55°C
1.5
2
2.5
V
DS
,漏极至源极电压( V)
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
图1.区域特征
R
DS ( ON)
,漏源电阻( W)
0.10
0.09
0.08
0.07
0.06
0.05
0.04
0.03
0.02
0.01
0.00
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
T
J
= 25°C
I
D
=
4.0
A
R
DS ( ON)
,漏源电阻( W)
0.060
0.050
0.040
0.030
图2.传输特性
T
J
= 25°C
V
GS
=
1.8
V
V
GS
=
2.5
V
0.020
0.010
0.000
V
GS
=
4.5
V
1
3
5
7
9
11
13
15
17
19
V
GS
,栅极电压(V )
I
D
,漏电流( A)
图3.导通电阻与栅极 - 源
电压
1.6
R
DS ( ON)
归一化漏 -
源电阻( W)
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
50
25
0
25
50
75
100
T
J
,结温( ° C)
125
150
100
V
GS
=
4.5
V
I
D
=
4.0
A
I
DSS
,漏电( NA)
100000
图4.导通电阻与漏电流和
栅极电压
T
J
= 125°C
10000
T
J
= 85°C
1000
2
4
6
8
10
12
14
16
18
V
DS
,漏极至源极电压( V)
20
图5.导通电阻变化与
温度
图6.漏 - 源极漏电流
与电压
http://onsemi.com
3
NTLUS3A18PZ
典型特征
4000
3600
C,电容(pF )
3200
2800
2400
2000
1600
1200
800
400
0
0
C
RSS
2
4
6
8
10
12
14
16
18
C
OSS
C
国际空间站
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
F = 1 MHz的
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
5
Q
T
4
V
DS
3
2 Q
GS
1
0
Q
GD
V
DS
=
15
V
I
D
=
4.0
A
T
J
= 25°C
0
5
10
15
20
25
V
GS
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
30
V
DS
,漏极至源极电压( V)
20
V
DS
,漏极至源极电压( V)
Q
G
,总栅极电荷( NC)
图7.电容变化
1000.0
t
D(关闭)
100.0
t
f
t
r
10.0
V
GS
=
4.5
V
V
DD
=
15
V
I
D
=
4.0
A
1
10
R
G
,栅极电阻( W)
t
D(上)
10.0
I
S
,源电流( A)
图8.栅极 - 源极和
漏极至源极电压与总充电
T, TIME ( NS )
1.0
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
=
55°C
0.1
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.0
100
V
SD
,源极到漏极电压(V )
图9.电阻开关时间变化
与栅极电阻
0.95
0.85
0.75
功率(W)的
V
GS ( TH)
(V)
0.65
0.55
0.45
0.35
0.25
0.15
50
25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
=
250
mA
225
200
175
150
125
100
75
50
25
图10.二极管的正向电压与电流
0
10m
1m
100m
10
1000
T
J
,结温( ° C)
单脉冲时间(s )
图11.阈值电压
图12.单脉冲最大功率
耗散
http://onsemi.com
4
NTLUS3A18PZ
典型特征
100
10
ms
100
ms
1毫秒
1
V
GS
=
8
V
单脉冲
T
C
= 25°C
R
DS ( ON)
极限
热限制
套餐限制
1
10
10毫秒
I
D
,漏电流( A)
10
0.1
dc
0.01
0.1
100
V
DS
,漏极至源极电压( V)
R(T ),有效瞬态热响应
图13.最大额定正向偏置
安全工作区
80
70
60
50
40
30
20
10
0.2
0.1
单脉冲
1E05
1E04
1E03
1E02
T,时间(S )
1E01
1E+00
1E+01
1E+02
1E+03
0.05
0.02
0.01
占空比= 0.5
R
qJA
= 72_C / W
0
1E06
图14. FET热响应
设备订货信息
设备
NTLUS3A18PZTAG
NTLUS3A18PZTBG
NTLUS3A18PZTCG
UDFN6
(无铅)
UDFN6
(无铅)
UDFN6
(无铅)
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格,包括部分方向和磁带大小,请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册, BRD8011 / D 。
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5
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    NTLUS3A18PZTAG
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881969403 复制
电话:13410665908
联系人:王小姐
地址:福田区华强北远望数码城一楼B1016
NTLUS3A18PZTAG
ON/安森美
21+
1000
DFN8
原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:316279873 复制 点击这里给我发消息 QQ:2110158237 复制 点击这里给我发消息 QQ:932480677 复制 点击这里给我发消息 QQ:1298863740 复制

电话:0755-82561519
联系人:李先生
地址:深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
NTLUS3A18PZTAG
ON/安森美
2418+
2500
UDFN6
正规报关原装现货系列订货技术支持
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1871955283 复制 点击这里给我发消息 QQ:2942939487 复制

电话:0755-83226745/82584980
联系人:马小姐
地址:福田区振华路深纺大厦A座1708室
NTLUS3A18PZTAG
ON
21+
4500
UDFN6
只做原装正品,提供一站式BOM配单服务
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:229754250 复制

电话:0755-83254070/18680328178
联系人:李小姐
地址:深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技工业园4栋9层9B10房
NTLUS3A18PZTAG
Onsemi
新年份
15000
NA
原装现货质量保证,可出样品可开税票
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:575915585 复制

电话:0755-23991909
联系人:林裕忠
地址:深圳市福田区中航路国利大厦新亚洲电子市场二期N4C478房间
NTLUS3A18PZTAG
ONSEMI/安森美
1750+
5980
DFN
原装进口低价实单必成
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
NTLUS3A18PZTAG
ON/安森美
21+
10000
UDFN6
全新原装正品/质量有保证
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电话:13410665908
联系人:王小姐
地址:福田区华强北远望数码城一楼B1016
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ON/安森美
21+
1000
DFN8
原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2581021098 复制

电话:0755-22929859
联系人:朱先生
地址:深圳福田区振兴路华康大厦211
NTLUS3A18PZTAG
ON
2025+
26820
6-UDFN
【原装优势★★★绝对有货】
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电话:0755-83242658
联系人:廖先生
地址:广东深圳市福田区华强北路赛格科技园4栋西3楼3A31-32室★十佳优质供应商★
NTLUS3A18PZTAG
ON
24+
3635
DFN
100%原装正品,只做原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1184826453 复制

电话:13510131896
联系人:欧阳
地址:龙岗区布吉街道粤宝花园3栋514
NTLUS3A18PZTAG
ON
15+
25738
UDFN6
原装正品开17点增值税
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