【初步数据表NP160N055TUKMOS场效应描述R07DS0592EJ0100Rev.1.0020】,IC型号NP160N055TUK,NP160N055TUK PDF资料,NP160N055TUK经销商,ic,电子元器件-51电子网

初步

数据表

NP160N055TUK

MOS场效应

描述

R07DS0592EJ0100

Rev.1.00

2011年12月12日

该NP160N055TUK是N沟道MOS场效应晶体管设计用于高电流开关应用。

特点

超低导通电阻

R

DS （ ON）

= 2.10 m MAX 。（V

GS

= 10 V，I

D

= 80 A)

低C

国际空间站

: C

国际空间站

= 7500 pF的典型。（V

DS

= 25 V)

专为汽车应用和AEC- Q101标准

订购信息

产品型号

NP160N055TUK-E1-AY

*

1

NP160N055TUK-E2-AY

注意：

*

1

铅电镀

纯Sn （锡）

填料

大坪（ E1型）

带800的P /卷

大坪（ E2型）

包

TO-263-7pin

(MP-25ZT)

*1

无铅（此产品不包含铅，在外部电极）

绝对最大额定值

(T

A

= 25°C)

项

漏源极电压（V

GS

= 0 V)

门源电压（V

DS

= 0 V)

漏电流（ DC ）（T

C

= 25°C)

漏电流（脉冲）

*

1

总功率耗散（T

C

= 25°C)

总功率耗散（T

A

= 25°C)

通道温度

储存温度

重复性雪崩电流

*

2

重复性雪崩能量

*

2

符号

V

DSS

V

GSS

I

D（ DC）的

I

D（脉冲）

P

T1

P

T2

T

ch

T

英镑

I

AR

E

AR

评级

55

20

160

640

250

1.8

175

-55至175

51

260

单位

V

A

W

°C

A

mJ

注意事项：

*1

T

C

= 25 ° C，P

W

10

s,

占空比

1%

*2

R

G

= 25

,

V

GS

= 20

0 V

热阻

通道到外壳热阻

通道到环境的热阻

R

TH（ CH-C ）

R

第（章-a）的

0.60

83.3

° C / W

R07DS0592EJ0100 Rev.1.00

2011年12月12日

第1页6

NP160N055TUK

电气特性

(T

A

= 25°C)

项

零栅极电压漏极电流

栅极漏电流

门源阈值电压

正向转移导纳

*

1

漏极至源极导通电阻

*

1

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

体二极管正向电压

*

1

反向恢复时间

反向恢复电荷

注意：

*1

脉冲测试

符号

I

DSS

I

GSS

V

GS （ TH）

| y

fs

|

R

DS （ ON）

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

G

Q

GS

Q

GD

V

F（ S- D）的

t

rr

Q

rr

分钟。

—

2.0

60

—

典型值。

—

3.0

120

1.75

7500

770

270

30

14

100

11

126

32

31

0.9

62

135

马克斯。

1

100

4.0

—

2.10

11250

1160

490

70

40

200

30

189

—

1.5

—

单位

A

nA

V

S

m

pF

ns

nC

V

ns

nC

测试条件

V

DS

= 55 V, V

GS

= 0 V

V

GS

=

20

V, V

DS

= 0 V

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250

A

V

DS

= 5 V，I

D

= 80 A

V

GS

= 10 V，I

D

= 80 A

V

DS

= 25 V

V

GS

= 0 V

F = 1 MHz的

V

DD

= 28 V，I

D

= 80 A

V

GS

= 10 V

R

G

= 0

V

DD

= 44 V

V

GS

= 10 V

I

D

= 160 A

I

F

= 160 A，V

GS

= 0 V

I

F

= 160 A，V

GS

= 0 V

的di / dt = 100 A / μs的

测试电路1雪崩能力

D.U.T.

R

G

= 25

Ω

PG 。

V

GS

= 20

→

0 V

50

Ω

测试电路2开关时间

D.U.T.

L

V

DD

PG 。

R

G

R

L

V

DD

V

GS

电波表

V

GS

0

10%

V

GS

90%

V

DS

90%

10%

BV

DSS

I

D

V

DD

I

AS

V

DS

V

GS

0

V

DS

电波表

V

DS

0

t

D（上）

t

on

τ

= 1

μs

占空比

≤

1%

t

r

t

D（关闭）

t

关闭

t

f

起始物为

ch

测试电路3栅极电荷

D.U.T.

I

G

= 2毫安

PG 。

50

Ω

R

L

V

DD

R07DS0592EJ0100 Rev.1.00

2011年12月12日

第2 6

NP160N055TUK

典型特征

(T

A

= 25°C)

正向偏置安全的降额因子

工作区

总功耗对比

外壳温度

300

胸苷 - 百分比额定功率 - ％

120

P

T

- 总功率Disslpation - 含

100

80

60

40

20

0

250

200

150

100

50

0

25

50

75

100

125

150

175

0

25

50

75

100

125

150

175

T

C

- 外壳温度 - C

T

C

- 外壳温度 - C

正向偏置安全工作区

1000

R

DS （ ON）

有限

(V

GS

=10 V)

I

D（脉冲）

= 640 A

PW

=1

00

I

D

- 漏电流 - 一个

100

I

D（ DC）的

= 160 A

μ

s

PW

功耗有限公司

=1

ms

10

PW

二次击穿有限公司

=1

0m

s

1

DC

T

C

= 25°C

单脉冲

0.1

1

10

100

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

瞬态热阻与脉冲宽度

1000

R

日（T ）

- 瞬态热阻 - C / W

100

R

第（章-a）的

= 83.3C / W

10

1

R

TH（ CH-C ）

= 0.60 ° C / W

0.1

单脉冲

0.01

0.1 m

1m

10 m

100 m

1

10

100

1000

PW - 脉冲宽度 - S

R07DS0592EJ0100 Rev.1.00

2011年12月12日

第3页6

NP160N055TUK

漏电流与

漏源极电压

700

600

正向传递特性

1000

100

I

D

- 漏电流 - 一个

500

400

300

200

100

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

V

GS

= 10 V

脉冲

1.2

1.4

1.6

I

D

- 排水个当前 - 一个

10

1

0.1

0.01

T

A

= –55°C

25°C

85°C

150°C

175°C

V

DS

= 10 V

脉冲

0

1

2

3

4

5

6

0.001

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

V

GS

- 栅极至源极电压 - V

V

GS （ TH）

- 门源阈值电压 - V

门源阈值电压 -

通道温度

正向转移导纳主场迎战

漏电流

|y

fs

| - 正向转移导纳 - S

4

1000

T

A

= –55°C

25°C

85°C

150°C

175°C

3

100

2

10

V

DS

= 5 V

脉冲

1

10

100

1000

1

V

DS

= V

GS

I

D

= 250

μA

0

–100

–50

0

50

100

150

200

T

ch

- 通道温度 - C

I

D

- 漏电流 - 一个

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

5

4

3

2

1

0

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

漏极至源极导通电阻与

漏电流

漏极至源极导通电阻与

栅极至源极电压

5

4

3

2

1

0

V

GS

= 10 V

脉冲

1

10

100

1000

I

D

= 80 A

脉冲

0

5

10

15

20

I

D

- 漏电流 - 一个

V

GS

- 栅极至源极电压 - V

R07DS0592EJ0100 Rev.1.00

2011年12月12日

第4 6

NP160N055TUK

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

漏极至源极导通电阻与

通道温度

5

4

3

2

1

0

–100

V

GS

= 10 V

I

D

= 80 A

脉冲

–50

0

50

100

150

200

电容与漏源极电压

100000

C

国际空间站

, C

OSS

, C

RSS

- 电容-PF

10000

C

国际空间站

1000

C

OSS

V

GS

= 0 V

F = 1 MHz的

100

0.1

1

10

C

RSS

100

T

ch

- 通道温度 - C

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

开关特性

1000

动态输入/输出特性

55

11

10

V

DD

= 44 V

28 V

11 V

t

D（上）

, t

r

, t

D（关闭）

, t

f

- 开关时间 - NS

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

50

45

40

35

30

25

20

15

10

5

0

20

40

V

DS

60

80

I

D

= 160 A

100

120

V

GS

9

8

7

6

5

4

3

2

1

0

140

100

t

D（关闭）

t

D（上）

t

r

t

f

10

V

DD

= 28 V

V

GS

= 10 V

R

G

= 0

Ω

1

0.1

1

10

100

1000

I

D

- 漏电流 - 一个

Q

G

- 栅极电荷 - 数控

源极到漏极二极管的正向电压

1000

100

反向恢复时间对比

漏电流

100

V

GS

= 0 V

t

rr

- 反向恢复时间 - NS

I

F

- 二极管正向电流 - 一个

V

GS

= 10 V

10

1

脉冲

0.1

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

的di / dt = 100 A / μs的

V

GS

= 0 V

1

0.1

1

10

100

1000

V

F（ S- D）的

- 源极到漏极电压 - V

I

F

- 漏电流 - 一个

R07DS0592EJ0100 Rev.1.00

2011年12月12日

分页： 5 6

V

GS

- 栅极至源极电压 - V