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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第31页 > NTLTS3107PR2G
NTLTS3107P
功率MOSFET
特点
20
V,
8.3
A单P沟道,
Micro8无铅封装
低R
DS
(上)
为延长电池寿命
表面贴装无铅Micro8为改善热性能
薄型( <1.0毫米)最佳便携设计
低导通电压
这是一个Pb - Free设备
http://onsemi.com
V
( BR ) DSS
20
V
R
DS ( ON)
典型值
12.2毫瓦@
4.5
V
15.6毫瓦@
2.5
V
26.2毫瓦@
1.8
V
P沟道MOSFET
S
价值
20
$8.0
8.3
6.0
12
P
D
I
D
P
D
I
DM
T
J
, T
英镑
I
S
T
L
1.6
3.3
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
t
p
= 10
ms
5.9
3.7
0.8
25
55
to
150
1.6
260
W
A
°C
A
°C
符号
R
qJA
R
qJA
R
qJA
最大
80
38
160
单位
° C / W
° C / W
° C / W
A
1
Micro8 LEADLESS
CASE 846C
A
Y
WW
G
W
D
单位
V
V
A
G
I
D
最大
8.3
A
应用
优化负载管理应用程序
充电控制电池供电系统
手机,数码相机,笔记本电脑,便携式游戏等。
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
电流(注1 )
稳定状态
t
v
10 s
功耗
(注1 )
连续漏极
电流(注2 )
功耗
(注2 )
脉冲漏
电流(注1 )
稳定状态
t
v
10 s
稳定状态
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
符号
V
DSS
V
GS
I
D
记号
1
3107
AYWW
G
工作结温和存储温度
源电流(体二极管)
无铅焊接温度的目的
(从1/8的情况下为10秒)
=大会地点
=年
=工作周
= Pb-Free包装
引脚分配
8
7
6
5
1
热电阻额定值
参数
结 - 环境 - 稳态(注1 )
结 - 环境 - 吨
v
10秒(注1 )
结 - 环境 - 稳态(注2 )
来源
来源
来源
2
3
4
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值(不
正常工作条件下),并同时无效。如果这些限制
超标,设备功能操作不暗示,可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1.表面安装上用1平方FR4板。英寸垫尺寸
(铜,面积为1.127平方英寸[ 1盎司]包括痕迹) 。
2.表面安装在FR4电路板用最小的推荐焊盘尺寸
(铜,面积= TBD平方英寸) 。
(底视图)
订购信息
设备
NTLTS3107PR2G
Micro8
(无铅)
航运
2500 /磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2005年
2005年10月,
第0版
1
出版订单号:
NTLTS3107P/D
NTLTS3107P
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编)
参数
开关特性
漏极至源极击穿电压
漏极至源极击穿电压
温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
基本特征
(注3)
栅极阈值电压
负阈值温度系数
漏极至源极导通电阻
V
GS ( TH)
V
GS ( TH)
/T
J
R
DS ( ON)
V
GS
= V
DS
, I
D
=
250
mA
V
GS
=
4.5
V,I
D
=
8.0
A
V
GS
=
2.5
V,I
D
=
7.0
A
V
GS
=
1.8
V,I
D
=
5.8
A
正向跨导
收费和电容
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
栅 - 源栅极电荷
栅 - 漏“米勒”充电
开关特性
(注4 )
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
SD
t
RR
t
a
t
b
Q
RR
V
GS
= 0 V ,二
S
/ DT = 100 A / MS ,
I
S
=
1.6
A
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
V
GS
=
4.5
V, V
DS
=
10
V,
I
D
=
8.0
A,R
G
= 3.0
W
30
20
250
80
ns
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G( TOT )
Q
G( TH )
Q
GS
Q
GD
V
GS
=
4.5
V, V
DS
=
16
V,
I
D
=
8.0
A
V
GS
= 0 V , F = 1MHz时,
V
DS
=
16
V
4645
465
285
40
3.0
7.0
11
6500
650
400
60
nC
pF
g
FS
V
DS
=
5
V,I
D
=
8.0
A
0.45
3.4
12.2
15.6
26.2
25
S
16
21
1.2
V
毫伏/°C的
mW
V
( BR ) DSS
V(
BR ) DSS
/T
J
I
DSS
I
GSS
V
GS
= 0 V,
V
DS
=
16
V
T
J
= 25°C
V
GS
= 0 V,I
D
=
250
mA
20
11
10
±100
V
毫伏/°C的
mA
nA
符号
测试条件
典型值
最大
单位
V
DS
= 0 V, V
GS
=
$8.0
V
漏源二极管特性
(注3)
正向二极管电压
V
GS
= 0 V,
I
S
=
1.6
A
0.7
0.5
75
28
47
81.5
nC
100
ns
1.2
V
反向恢复时间
充电时间
放电时间
反向恢复电荷
3.脉冲测试:脉冲宽度
v
300
女士,
占空比
v
2%.
4.开关的特点是独立的工作结点温度。
http://onsemi.com
2
NTLTS3107P
32
I
D
,漏电流( A)
V
GS
= 10 V
5V
24
3.6 V
16
3.2 V
2.8 V
2.4 V
8
1.2 V
0
2
4
2V
1.8 V
6
8
10
0
0
32
4.5 V
I
D
,漏电流( A)
4V
24
16
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
=
55°C
8
0
2
4
6
V
DS
,漏极至源极电压( V)
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
图1.区域特征
R
DS ( ON)
,漏源电阻( W)
R
DS ( ON)
,漏源电阻( W)
图2.传输特性
0.026
V
GS
=
4.5
V
0.022
T
J
= 125°C
0.018
T
J
= 25°C
0.014
T
J
=
55°C
0.01
0
5
10
15
20
I
D
,漏电流( A)
25
30
0.026
V
GS
=
2.5
V
0.022
T
J
= 125°C
0.018
T
J
= 25°C
0.014
T
J
=
55°C
0.01
0
5
10
15
20
I
D
,漏电流( A)
25
30
图3.导通电阻与
漏电流和温度
R
DS ( ON)
,漏源电阻( W)
0.02
T
J
= 25°C
0.019
0.018
0.017
0.016
0.015
V
GS
= 4.5 V
0.014
0
6
12
18
24
30
V
GS
= 3.5 V
V
GS
= 2.5 V
R
DS ( ON)
,漏源电阻( W)
0.06
0.055
0.05
0.045
0.04
0.035
0.03
0.025
0.02
0.015
0.01
1
图4.导通电阻与
漏电流和温度
I
D
= 13.2 A
I
D
= 3.5 A
2
3
4
5
I
D
,漏电流( A)
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
图5.导通电阻与漏电流
与栅极电压
图6.导通电阻与栅极电压
http://onsemi.com
3
NTLTS3107P
R
DS ( ON)
,漏极 - 源极电阻
(归一化)
1.4
I
D
=
8
A
V
GS
=
4.5
V
1.2
V
GS
,阈值方差(V )
0.2
0.1
0
0.1
0.2
0.3
0.4
50
I
D
=
250
mA
1
0.8
0.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
25
0
25
50
75
100
125 150
T
J
,结温( ° C)
T
J
,结温( ° C)
图7.导通电阻变化与
温度
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
10000
8000
C,电容(pF )
6000
4000
2000
0
0
4
8
12
16
T
J
= 25°C
V
GS
= 0 V
C
国际空间站
5
4.5
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
0
10
图8.阈值电压
I
D
= 3.2 A
T
J
= 25°C
C
OSS
20
20
30
40
50
60
栅极 - 源极或漏极至源极电压( V)
Q
g
,总栅极电荷( NC)
图9.电容变化
图10.栅极至源极和
漏极至源极电压与总充电
10000
I
S
,源电流( A)
V
DS
=
10
V
I
D
=
1
A
V
GS
=
10
V
t
D(关闭)
100
t
f
100
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
1000
T, TIME ( NS )
10
1
10
t
D(上)
t
r
1
1
10
R
G
,栅极电阻( W)
100
0.1
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
V
SD
,源极到漏极电压(V )
图11.电阻开关时间
变化与栅极电阻
图12.二极管的正向电压与
当前
http://onsemi.com
4
NTLTS3107P
包装尺寸
Micro8 LEADLESS
CASE 846C -01
问题B
A
W
Y
T
J
座位
飞机
注意事项:
1.尺寸和公差符合ASME
Y14.5M , 1994年。
2.控制尺寸:毫米。
3.终端# 1标识符和终端
编号规则应符合
JESD 95-1 SPP- 012 。终端#1详细
标识符是可选的,但必须是
位于指定的区域。 THE
TERMINAL # 1的标识符可以是
霉菌或明显的特点。
4.尺寸D适用于金属化
终端和测量之间
0.25毫米和0.30毫米终端的一角。
尺寸L1是终端回力
从包边,高达0.1 mm的
可接受。 L1是可选的。
5.人口减少是可能的
对称的方式。
6.可选SIDE VIEW可显示引线5和
8删除。
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
L1
P
U
MILLIMETERS
最大
3.30 BSC
3.30 BSC
0.85
0.95
0.25
0.35
1.30
1.50
2.55
2.75
0.65 BSC
0.95
1.15
0.25 BSC
0.00
0.05
0.35
0.45
0.00
0.10
1.28
1.38
0.20
AA
8
2X
0.15 T
2X
0.15 T
注4
0.10号T W
0.05号T W
D
8X
8
1
2
3
4
G
6X
详细
U
4X
安森美半导体
是半导体元件工业,LLC ( SCILLC )的注册商标。 SCILLC保留随时更改,恕不另行通知的权利
1
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保,声明或保证,也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用,并特别声明,任何和所有责任,包括但不限于特殊,间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格,可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数,包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计,意,或授权用作系统组件用于外科植入到体内,或其他应用程序
旨在支持或维持生命,或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿并SCILLC及其高级人员,雇员,子公司,关联公司,
和分销商对所有索赔,费用,损失,费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关,即使此类索赔称, SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律,并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行:
N.美国技术支持:
免费电话800-282-9855
安森美半导体文学配送中心
美国/加拿大
P.O. 61312盒,凤凰城,亚利桑那州85082-1312 USA
电话:
480-829-7710或800-344-3860免费电话美国/加拿大
日本:
安森美半导体,日本顾客焦点中心
2-9-1 Kamimeguro ,目黑区,东京,日本153-0051
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有关更多信息,请联系您
当地销售代表。
顶视图
E
7
6
5
索引区
B
7
6
5
注6
AA
C
0.10 T
8X
0.08 T
L
8X
SIDE VIEW
L1
F
P
详细
注4
焊接足迹*
2.75
H
VIEW AA -AA
1.23
1.50
3.60
0.40
8X
0.58
0.65间距
8X
0.33
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息,请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册, SOLDERRM / D 。
http://onsemi.com
5
NTLTS3107P/D
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    NTLTS3107PR2G
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:13510131896
联系人:欧阳
地址:龙岗区布吉街道粤宝花园3栋514
NTLTS3107PR2G
ON
15+
8803
MICRO-8
原装现货热卖
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电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
NTLTS3107PR2G
onsemi
24+
10000
-
原厂一级代理,原装现货
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电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
NTLTS3107PR2G
ON/安森美
24+
12300
DFN-8
全新原装现货,原厂代理。
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联系人:销售部
地址:深圳市罗湖区北站路1号中贸大厦402
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ON Semiconductor
24+
22000
000¥/片,原装正品假一赔百!
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电话:0755-82723761/82772189
联系人:夏先生 朱小姐
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格科技园3栋东座10楼A2室(本公司为一般纳税人,可开增票)
NTLTS3107PR2G
ON
25+
3250
MICRO-8LESS
全新原装正品特价售销!
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
NTLTS3107PR2G
ON
21+
15000
原封装
全新原装正品/质量有保证
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
NTLTS3107PR2G
√ 欧美㊣品
▲10/11+
9855
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联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
NTLTS3107PR2G
ON
21+
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√ 欧美㊣品
▲10/11+
9109
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8722
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