NTHD5904N
功率MOSFET
20 V ， 4.5 A ，双N沟道， ChipFETt
特点
低R
DS （ ON）
和快速开关速度
无铅ChipFET包装有小40 ％，体积比TSOP - 6 。
理想器件的应用电路板空间非常珍贵。
ChipFET包装具有优异的耐热能力。非常适合
应用传热是必需的。
无铅包可用
应用
V
（ BR ） DSS
20 V
http://onsemi.com
R
DS （ ON）
典型值
40毫瓦@ 4.5 V
I
D
最大
4.5 A
55毫瓦@ 2.5 V
DC-DC降压或升压转换器
低端开关
优化的电池和低侧开关中的应用
计算机和便携式设备
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
电流（注1 ）
稳定
状态
t
≤
5s
功耗
（注1 ）
连续漏极
电流（注2 ）
功耗
（注2 ）
漏电流脉冲
稳定
状态
T
A
=25°C
T
A
=85°C
T
A
=25°C
T
A
=25°C
T
A
=25°C
稳定
状态
t
p
=10
ms
T
A
=85°C
T
A
=25°C
P
D
I
DM
T
J
,
T
英镑
I
S
T
L
P
D
I
D
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
20
±8.0
3.3
2.4
4.5
1.13
2.5
1.8
0.64
10
-55
150
2.6
260
W
A
°C
A
°C
W
A
单位
V
V
A
N沟道MOSFET
D
1
, D
2
G
1
, G
2
S
1
, S
2
ChipFET
CASE 1206A
方式2
针
连接
D
1
8
D
1
7
D
2
6
1 S
1
2 G
1
3 S
2
4 G
2
1
2
3
4
记号
图
8
7
6
5
（ TOP VIEW ）
D3 M
G
工作结温和存储温度
源电流（体二极管）
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
热电阻额定值
参数
结 - 环境 - 稳态（注1 ）
结 - 环境 - 吨
≤
5秒（注1 ）
结 - 环境 - 稳态（注2 ）
符号
R
qJA
R
qJA
R
qJA
最大
110
60
195
单位
° C / W
D
2
5
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1.表面安装在FR4板采用1平方焊盘尺寸（铜面积为1.127平方英寸
[ 1盎司]包括痕迹） 。
2.表面安装在FR4电路板使用推荐的最小焊盘尺寸
（铜面积=在平0.214 ） 。
3. ESD额定值信息：人体模型（ HBM ） 0级。
D3 =具体设备守则
M =月守则
G
= Pb-Free包装
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年11月 - 第2版
出版订单号：
NTHD5904N/D
NTHD5904N
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
开关特性
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
I
DSS
V
GS
= 0 V
V
GS
= 0 V, V
DS
= 16 V
V
GS
= 0 V, V
DS
= 16 V ，T
J
= 125°C
栅极 - 源极漏电流
基本特征
（注4 ）
栅极阈值电压
漏极 - 源极导通电阻
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
mA
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 3.3 A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 2.3 A
正向跨导
收费和电容
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏极电荷
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏极电荷
开关特性
（注5 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
漏源二极管特性
正向二极管电压
反向恢复时间
充电时间
放电时间
反向恢复电荷
V
SD
t
RR
t
a
t
b
Q
RR
V
GS
= 0 V，I
S
= 2.6 A,
dI
S
/ DT = 100 A / MS
V
GS
= 0 V，I
S
= 2.6 A
0.8
19.5
6.0
13
7.0
nC
1.15
V
ns
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 16 V,
I
D
= 3.3 A，R
G
= 2.5
W
6.0
17
17
5.1
ns
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
G（ TH ）
Q
GS
Q
GD
Q
G（ TOT ）
Q
G（ TH ）
Q
GS
Q
GD
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 10 V,
I
D
= 3.3 A
V
GS
= 2.5 V, V
DS
= 16 V,
I
D
= 3.3 A
V
GS
= 0 V ， F = 1.0 MHz时，
V
DS
= 16 V
465
65
30
4.0
0.4
0.8
2.0
6.0
0.5
0.8
1.7
nC
nC
pF
g
FS
V
DS
= 10 V，I
D
= 3.3 A
0.6
0.75
40
55
6.0
1.2
65
105
S
V
mW
I
GSS
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"8.0
V
20
1.0
10
"100
nA
V
mA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
4.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
5.开关特性是独立的工作结点温度。
订购信息
设备
NTHD5904NT1
NTHD5904NT1G
NTHD5904NT3
NTHD5904NT3G
包
ChipFET
ChipFET
（无铅）
ChipFET
ChipFET
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
2
NTHD5904N
包装尺寸
ChipFET ]
CASE 1206A -03
ISSUE摹
D
8
7
6
5
q
L
5
6
3
7
2
8
1
H
E
1
2
3
4
E
4
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米。
3.模具浇口毛刺不得超过0.13mm的每一面。
4.引线框架成型体偏移水平
和垂直不得超过0.08的MM。
5.尺寸A和B ，不包括模具浇口毛刺。
6.无毛边允许在顶部和底部的铅
表面。
暗淡
A
b
c
D
E
e
e1
L
H
E
q
MILLIMETERS
喃
最大
1.05
1.10
0.30
0.35
0.15
0.20
3.05
3.10
1.65
1.70
0.65 BSC
0.55 BSC
0.28
0.35
0.42
1.80
1.90
2.00
5 ° NOM
民
1.00
0.25
0.10
2.95
1.55
英寸
喃
0.041
0.012
0.006
0.120
0.065
0.025 BSC
0.022 BSC
0.011
0.014
0.071
0.075
5 ° NOM
民
0.039
0.010
0.004
0.116
0.061
最大
0.043
0.014
0.008
0.122
0.067
e1
e
b
c
方式2 ：
PIN 1 。
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
源1
门1
源2
门2
排水2
排水2
排水1
排水1
A
0.05 (0.002)
0.017
0.079
焊接足迹*
2.032
0.08
0.457
0.018
0.635
0.025
0.635
0.025
1.092
0.043
2.032
0.08
0.178
0.007
0.457
0.018
0.711
0.028
0.66
0.026
尺度20:1
mm
英寸
0.66
0.026
0.254
0.010
尺度20:1
mm
英寸
BASIC
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
方式2
http://onsemi.com
5
QQ：2880707522 复制
