NTL4502N
四功率MOSFET
24 V ， 15 A ， N沟道， PInPAKt套餐
特点
四个N沟道MOSFET在单个封装
高漏极电流（高达80A每个设备，单脉冲吨
p
＆ LT ; 10
s,
http://onsemi.com
V
（ BR ） DSS
R
DS （ ON）
典型值
8.0毫欧@ 4.5 V
24 V
11.2毫欧@ 10 V
15 A
I
D
最大
（注1 ）
应用
DC-DC转换器
主板/服务器稳压器
电信/工业电源
H桥电路
低压电机控制
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
电流（注1 ）
稳定
状态
t为10秒
功耗
（注1 ）
稳定
状态
t为10秒
连续漏极
电流（注2 ）
功耗
（注2 ）
漏电流脉冲
tp=10
s
稳定
状态
T
A
=25°C
T
A
=85°C
T
A
=25°C
P
D
I
DM
T
J
, T
英镑
I
S
EAS
I
D
T
A
=25°C
T
A
=85°C
T
A
=25°C
T
A
=25°C
P
D
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
24
±20
15
10.9
18.8
2.9
4.5
11.4
8.2
1.7
32
-55到150
15
80
W
A
°C
A
mJ
A
W
单位
V
V
A
S1 D1 S2 G1 G2 D2
1 2 3 4 5 6
D1 16
D4 15
工作结存储
温度
源电流（体二极管）
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源 - （V
DD
= 25 V, V
G
= 10 V，I
PK
=60 A,
L = 0.1 mH的，R
G
= 1.0千瓦）
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
订购信息
设备
NTL4502NT1
包
PInPAK
航运
1500 /卷
T
L
260
°C
半导体元件工业有限责任公司， 2003
1
2003年8月 - 第2版
1
16
CASE 495
PInPAK
风格1
xx
A
Y
WW
R
QJC
= 1.5
° C / W）
高输入阻抗，易于驱动的
超低导通电阻（R
DS （ ON）
）提供低传导损耗
非常快速开关时间提供低开关损耗
低寄生电感
低存储电荷的高效开关
非常低V
SD
理想的同步整流
200％的足迹减量相比其它相似的DPAK解决方案
同一电源
先进的无铅功率集成封装（ PInPAK ）
记号
图
16
1
NTL4502N
AYWW
=具体设备守则
=大会地点
=年
=工作周
7 D2
8 D3
14 13 12 11 10 9
S4 D4 G4 S3 D3 G3
（底视图）
引脚布局图
出版订单号：
NTL4502N/D
NTL4502N
热电阻额定值
参数
结至外壳（漏）
结 - 环境 - 稳态（注1 ）
结 - 环境 - t≤10秒（注1 ）
结 - 环境 - 稳态（注2 ）
符号
R
QJC
R
qJA
R
qJA
R
qJA
最大
1.5
43
27.5
75
单位
° C / W
1.表面安装在FR4板采用1平方焊盘尺寸（铜面积为1.127平方英寸[ 1盎司]包括痕迹） 。
2.表面安装在FR4电路板用最小的推荐焊盘尺寸（铜面积为0.440平方英寸） 。
1 (S1)
2 （D 1） 3（ G 1 ）
4 (S2)
5 (D2)
6 (G2)
(D1) 16
7 (D2)
(D4) 15
8 (D3)
14 (S4)
13（ D4）的12 （G4）
11 (S3)
图10（ D 3 ）9（ G3）
示意图（俯视图）
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2
QQ：2881677436 复制
