1996年1月
NDP603AL / NDB603AL
N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管
概述
这些N沟道逻辑电平增强型功率
场效应晶体管都采用飞兆半导体生产的
专有的，高密度， DMOS技术。这
非常高密度的工艺特别适合于
最大限度地减少通态电阻。
这些设备是
特别适用于低电压应用，如
DC / DC转换效率高的开关电路
其中，快速开关，低线的功率损耗，并
需要抗瞬变。
特点
25A ， 30V 。
DS （ ON）
= 0.022
@ V
GS
=10V
.
在高温指定临界直流电气参数
温度。
坚固的内部源极 - 漏极二极管可以不需要
外部齐纳二极管瞬态抑制器。
高密度电池设计极低R
DS （ ON）
.
175°C最高结温额定值。
______________________________________________________________________________
D
G
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
参数
漏源电压
T
C
= 25 ° C除非另有说明
NDP603AL
30
± 20
25
（注1 ）
NDB603AL
单位
V
V
A
栅源电压 - 连续
漏电流
- 连续
- 脉冲
100
50
0.4
-65 175
275
W
W / ℃，
°C
°C
P
D
总功率耗散@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
T
J
,T
英镑
T
L
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的目的，
8分之1 ＆ QUOT ;从案例5秒
热特性
R
θ
JC
R
θ
JA
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
2.5
62.5
° C / W
° C / W
1997仙童半导体公司
NDP603AL.SAM
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
民
典型值
最大
单位
漏源雪崩额定值
（注2 ）
W
DSS
I
AR
BV
DSS
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
单脉冲漏源雪崩
能源
最大漏源雪崩电流
V
DD
= 15 V，I
D
= 25 A
100
25
mJ
A
开关特性
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门 - 体泄漏，正向
门 - 体泄漏，反向
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= 20 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -20 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
T
J
= 125
o
C
V
DS
= V
GS
, I
D
= 10毫安
T
J
= 125
o
C
R
DS （ ON）
静态漏源导通电阻
V
GS
= 10 V，I
D
= 25 A
T
J
= 125 C
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 10 A
I
D（上）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
V
SD
通态漏电流
V
GS
= 10 V, V
DS
= 10 V
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 10 V
正向跨导
V
DS
= 10 V，I
D
= 25 A
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
1100
540
175
pF
pF
pF
60
15
18
S
o
30
10
100
-100
V
A
nA
nA
基本特征
（注2 ）
栅极阈值电压
1.1
0.7
1.4
1
1.5
1.1
1.85
1.5
0.019
0.028
0.031
3
2.2
3
2.2
0.022
0.045
0.04
A
V
开关特性
（注2 ）
打开 - 延迟时间
打开 - 上升时间
打开 - 关闭延迟时间
打开 - 关闭下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= 10 V,
I
D
= 25 A，V
GS
= 10 V
V
DD
= 15 V，I
D
= 25 A,
V
GS
= 10 V ，R
根
= 24
15
70
90
80
28
5
7
30
110
150
130
40
7
10
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
漏源二极管的特性和最大额定值
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
V
GS
= 0 V，I
S
= 25 A
（注2 ）
25
1.3
A
V
注意：
1.最大直流电流受限于封装。
2.脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％ 。
NDP603AL.SAM
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