NTJS4151P
沟槽功率MOSFET
20
V,
4.2
A单P沟道， SC- 88
特点
领先的沟槽技术的低R
DS （ ON）
延长电池寿命
SC -88小外形（ 2×2毫米）的最大电路板
利用率，同SC- 70-6
门二极管的ESD保护
无铅包装是否可用
应用
http://onsemi.com
V
（ BR ） DSS
20
V
R
DS （ ON）
典型值
47毫瓦@
4.5
V
70毫瓦@
2.5
V
180毫瓦@
1.8
V
4.2
A
I
D
最大
高侧负载开关
手机，电脑，数码相机， MP3和掌上电脑
D
SC- 88 （ SOT- 363 ）
1
6
D
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
电流（注1 ）
稳定
状态
t
≤
5s
功耗
（注1 ）
漏电流脉冲
稳定
状态
T
A
= 25
°C
T
A
= 85
°C
T
A
= 25
°C
T
A
= 25
°C
t
p
= 10
ms
P
D
I
DM
T
J
,
T
英镑
I
S
T
L
ESD
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
20
±12
3.3
2.4
4.2
1.0
10
55
to
150
1.3
260
4000
W
A
单位
V
V
A
G
3
顶视图
4
S
D
2
5
D
标记图&
引脚分配
D
1
SC88/SOT363
CASE 419B
1
D
TY
M
G
D
G
=器件代码
=日期代码
= Pb-Free包装
6
TY M
G
G
D
S
工作结温和存储温度
源电流（体二极管）
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
ESD
人体模型（ HBM ）
°
C
A
°C
V
热电阻额定值
（注1 ）
参数
结 - 环境 - 稳态
结到环境
t
≤
5 s
结到铅 - 稳态
符号
R
qJA
R
qJA
R
qJL
最大
125
75
45
单位
° C / W
（注：微球可在任一位置）
订购信息
设备
NTJS4151PT1
NTJS4151PT1G
包
SC88
SC88
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1.表面安装在FR4板采用1平方焊盘尺寸
（铜面积=在平[ 1盎司]包括痕迹1.127 ） 。
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
2006年2月，
第1版
1
出版订单号：
NTJS4151P/D
NTJS4151P
包装尺寸
SC88/SC706/SOT363
CASE 419B -02
ISSUE W
D
e
A3
6
5
4
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3. 419B -01已过时，新标准419B -02 。
暗淡
A
A1
A3
b
C
D
E
e
L
H
E
MILLIMETERS
民
喃最大
0.80
0.95
1.10
0.00
0.05
0.10
0.20 REF
0.10
0.21
0.30
0.10
0.14
0.25
1.80
2.00
2.20
1.15
1.25
1.35
0.65 BSC
0.10
0.20
0.30
2.00
2.10
2.20
英寸
喃最大
0.037 0.043
0.002 0.004
0.008 REF
0.004 0.008 0.012
0.004 0.005 0.010
0.070 0.078 0.086
0.045 0.049 0.053
0.026 BSC
0.004 0.008 0.012
0.078 0.082 0.086
民
0.031
0.000
H
E
1
2
3
E
C
b
6 PL
0.2 (0.008)
A
M
L
E
M
A1
焊接足迹*
0.50
0.0197
0.65
0.025
0.65
0.025
0.40
0.0157
1.9
0.0748
尺度20:1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
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和
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5
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