添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13692101218  13751165337
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13692101218
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第287页 > NDP5060
1996年10月
NDP5060 / NDB5060
N沟道增强型网络场效晶体管
概述
这些N沟道增强型功率场效应
晶体管都采用飞兆半导体专有的，高电池产生
密度， DMOS技术。这非常高密度的过程中有
特别是针对已最大限度地减少通态电阻，
提供出色的开关性能，并能承受高
能量脉冲雪崩和换向模式。
这些装置特别适用于低电压
应用，如汽车， DC / DC转换器，PWM
电机控制和其它电池供电的电路，其中快
开关，低线功率损失，而且瞬态性
是必要的。
特点
26 A， 60 V
DS （ ON）
= 0.05
@ V
GS
= 10 V.
在高温指定临界直流电气参数
温度。
坚固的内部源极 - 漏极二极管可以不需要
外部齐纳二极管瞬态抑制器。
175°C最高结温额定值。
高密度电池设计极低R
DS （ ON）
.
的TO-220和TO- 263 （四
2
PAK ）封装为通孔
和表面贴装应用。
________________________________________________________________________________
D
G
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
参数
漏源电压
T
C
= 25 ° C除非另有笔记
NDP5060
60
60
±20
±40
26
78
68
0.45
-65 175
NDB5060
单位
V
V
V
漏，栅极电压（R
GS
＆ LT ; 1M的
)
栅源电压 - 连续
- 非重复性（T
P
< 50 μS ）
漏电流
- 连续
- 脉冲
A
P
D
总功率耗散@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
W
W / ℃，
°C
T
J
,T
英镑
工作和存储温度范围
1997仙童半导体公司
NDP5060 Rev.A的
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
民
典型值
最大
单位
漏源雪崩额定值
（注1 ）
W
DSS
I
AR
BV
DSS
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
I
D（上）
g
FS
单脉冲漏源雪崩
能源
最大漏源雪崩电流
V
DD
= 30 V，I
D
= 26 A
100
26
mJ
A
开关特性
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V
T
J
= 125°C
门 - 体泄漏，正向
门 - 体泄漏，反向
V
GS
= 20 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -20 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
T
J
= 125°C
静态漏源导通电阻
V
GS
= 10 V，I
D
= 13 A
T
J
= 125°C
通态漏电流
正向跨导
V
GS
= 10 V, V
DS
= 10 V
V
DS
= 10 V，I
D
= 13 A
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
26
9
2
1.4
2.9
2.2
0.04
0.07
60
250
1
100
-100
V
A
mA
nA
nA
基本特征
（注1 ）
栅极阈值电压
4
2.8
0.05
0.08
A
S
V
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
输入电容
输出电容
反向传输电容
630
225
70
pF
pF
pF
开关特性
（注1 ）
打开 - 延迟时间
打开 - 上升时间
打开 - 关闭延迟时间
打开 - 关闭下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= 24 V,
I
D
= 26 A，V
GS
= 10 V
V
DD
= 30 V，I
D
= 26 A,
V
GS
= 10 V ，R
根
= 15
9
95
19
48
20
5
11
20
200
40
100
40
nS
nS
nS
nS
nC
nC
nC
NDP5060 Rev.A的
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
民
典型值
最大
单位
漏源二极管的特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
I
rr
最大连续型漏源二极管的正向电流
最大脉冲漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电流
V
GS
= 0 V，I
S
= 13 A
（注1 ）
V
GS
= 0 V，I
F
= 26 A,
dI
F
/ DT = 100 A / μs的
0.9
54
2.1
26
78
1.3
120
8
A
A
V
ns
A
热特性
R
θ
JC
R
θ
JA
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
2.2
62.5
° C / W
° C / W
注意：
1.脉冲测试：脉冲宽度< 300微秒，占空比< 2.0 ％ 。
NDP5060 Rev.A的
典型电气特性
50
2
V
GS
= 20V
12
10
9.0
漏源导通电阻
1.8
I
D
，漏源电流（A ）
40
V
GS
= 6.0 V
8.0
R
DS （ ON）
归一化
30
1.6
7.0
1.4
7.0
20
8.0
1.2
9.0
10
12
20
6.0
10
1
5.0
0
0.8
0.6
0
1
V
DS
2
3
，漏源电压（V ）
4
5
0
10
I
D
20
30
，漏电流（ A）
40
50
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化与门
电压和漏电流。
2
2.5
I
漏源导通电阻
1.75
D
= 13A
漏源导通电阻
2
V
GS
=10 V
归一化
V
GS
= 10V
R
DS （ ON）
归一化
1.5
TJ = 125°C
1.5
1.25
R
DS （ ON）
1
25°C
1
0.75
-55°C
0.5
-50
-25
0
25
50
75
100
T
J
，结温（ ° C）
125
150
175
0.5
0
10
20
30
I
D
，漏电流（ A）
40
50
图3.导通电阻变化
随温度
.
图4.导通电阻变化与漏
电流和温度
.
40
1.2
25°C
32
I
D
，漏电流（ A）
V
GS （ TH）
归一化
门源阈值电压
V
DS
= 10V
T = -55°C
J
125°C
V
DS
= V
GS
1.1
I
D
= 250A
1
24
0.9
16
0.8
8
0.7
0
2
4
6
8
V
GS
，门源电压（ V）
10
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
T
J
，结温（ ° C）
125
150
175
图5.传输特性
.
图6.门阈值变化与
温度
.
NDP5060 Rev.A的
典型电气特性
（续）
20
10
1.2
漏源击穿电压
I
S
，反向漏电流（ A）
I
D
= 250A
1.15
V
GS
= 0V
TJ = 125°C
25°C
3
1
BV
DSS
归一化
1.1
0.1
1.05
-55°C
0.01
1
0.95
0.001
0.9
-50
-25
0
25
50
75
100
125
T
J
，结温（ ° C）
150
175
0.0001
0
0.3
0.6
0.9
1.2
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
1.5
图7.击穿电压变化与
温度
.
图8.体二极管正向电压
变化与电流和温度
.
1500
20
V
GS
，栅源电压（V ）
1000
I
D
= 26A
西塞
16
V
DS
= 12V
24V
48V
电容（pF）
500
12
科斯
200
8
100
F = 1 MHz的
V
GS
= 0V
CRSS
4
40
1
2
3
5
10
20
V
DS
，漏源极电压（ V）
40
60
0
0
8
16
24
Q
g
，栅极电荷（ NC）
32
40
图9.电容特性
.
图10.栅极电荷特性
.
V
DD
V
IN
D
t
on
t
D（上）
t
r
90%
t
F F
t
D（关闭）
90%
t
f
R
L
V
OUT
DUT
V
O u那样牛逼
V
GS
10%
10%
倒
R
根
G
90%
V
IN
S
10%
50%
50%
脉冲宽度
图11.开关测试电路
.
图12.开关波形
.
NDP5060 Rev.A的
查看更多NDP5060PDF信息
推荐型号
NEF0151331BP-XC
ND3KR16H-R
NJM2800-3342
NCP1530DM30R2
NM24C17UFLZVM8
NCP1052P44
NC2D-JP-DC24V
NDXD2415C
NFV20D220K
NTJS4151P
NCP9004FCT1G
NAND01GW3A0BN1E
NS0013
NRD686M20
NTE5550
NJU7034D
NRT473K04
NSL-7542
NSL7542
NS32532-30
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    NDP5060
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市芯泽盛世科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881147140 复制

电话：0755-89697985
联系人：李
地址：深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
NDP5060
Fairchild Semiconductor
24+
10000
-
原厂一级代理，原装现货
深圳市创芯联盈电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881793588 复制

电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
NDP5060
VBSEMI
2443+
23000
TO220AB
一级代理专营，原装现货，价格优势
深圳市诺洋电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881501653 复制

电话：0755-83223003
联系人：朱
地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316
NDP5060
FSC
24+
8420
TO-220AB
全新原装现货，原厂代理。
深圳市华斯顿电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1002316308 复制 点击这里给我发消息 QQ：515102657 复制
电话：0755-83777708/83777607/82799993
联系人：朱咸华
地址：美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
NDP5060
VB
25+23+
35500
TO220AB
绝对原装进口现货！渠道优势供应!
深圳市裕硕科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1454677900 复制 点击这里给我发消息 QQ：1909637520 复制
电话：0755-23613962/82706142
联系人：雷小姐
地址：深圳市福田区华强北街道华红社区红荔路3002号交行大厦一单元711
NDP5060
FSC
2024+
9675
TO-220AB
优势现货，全新原装进口
深圳市海虹微电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881443942 复制

电话：0755-83291010 83678410
联系人：赵小姐
地址：深圳市福田区华强北华联发大厦西座402
NDP5060
FAIRCHILD/仙童
22+
33000
百分百进口正品原装现货 支持实单！
北京元坤国际科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
NDP5060
FAIRCHILD
21+
3789
TO-220
全新原装正品/质量有保证
北京显周科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：5645336 复制
电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
地址：北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
NDP5060
√ 欧美㊣品
▲10/11+
8941
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
北京首天伟业科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：刘经理
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
NDP5060
FAIRCHILD/HARRIS
14+
56000
DIP
全新原装正品/质量有保证
深圳市华美锐科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2850388356 复制 点击这里给我发消息 QQ：2850388351 复制
电话：0755-83039139
联系人：邓小姐
地址：深圳市福田区福华路29号16G(深圳市华美锐科技有限公司)
NDP5060
FAIRCHILD
2249
原装正品！价格优势！
查询更多NDP5060供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！