【NTJS3157N沟槽功率MOSFET20 V ， 4.0 A单N沟道， SC- 88特点领先的沟槽】,IC型号NTJS3157NT2G,NTJS3157NT2G PDF资料,NTJS3157NT2G经销商,ic,电子元器件-51电子网

NTJS3157N

沟槽功率MOSFET

20 V ， 4.0 A单N沟道， SC- 88

特点

领先的沟槽技术的低R

DS （ ON）

延长电池寿命

快速开关为提高电路效率

SC- 88小外形封装（ 2 ×2毫米），用于最大电路板

利用率，同SC- 70-6

无铅包可用

应用

http://onsemi.com

（ BR ） DSS

20 V

DS （ ON）

典型值

45毫瓦@ 4.5 V

55毫瓦@ 2.5 V

70毫瓦@ 1.8 V

4.0 A

最大

DC- DC转换器

低压侧负载开关

手机，电脑，数码相机， MP3和掌上电脑

SC- 88 （ SOT- 363 ）

最大额定值

= 25 ° C除非另有说明）

参数

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

连续漏极

电流（注1 ）

稳定

状态

≤

功耗

（注1 ）

漏电流脉冲

稳定

状态

= 25

°C

= 85

°C

= 25

°C

= 25

°C

= 10

英镑

符号

DSS

价值

±8.0

3.2

2.3

4.0

1.0

150

1.6

260

单位

顶视图

标记图&

引脚分配

SOT363

CASE 419B

28风格

T92 M

工作结温和存储温度

源电流（体二极管）

无铅焊接温度的目的

（ 1/8“从案例10秒）

°C

热电阻额定值

（注1 ）

参数

结 - 环境 - 稳态

结到环境

≤

5 s

结到铅 - 稳态

符号

qJA

qJL

最大

125

单位

° C / W

T92

=器件代码

=日期代码

= Pb-Free包装

（注：微球可在任一位置）

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。

施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不

正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制

超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和

可靠性可能受到影响。

1.表面安装在FR4板采用1平方焊盘尺寸

（铜面积=在平[ 1盎司]包括痕迹1.127 ）。

订购信息

请参阅包装详细的订购和发货信息

尺寸部分本数据手册的第5页上。

半导体元件工业有限责任公司， 2006年

2006年2月，

第2版

出版订单号：

NTJS3157N/D

NTJS3157N

电气特性

= 25 ° C除非另有说明）

参数

开关特性

漏极至源极击穿电压

温度COEF网络cient

零栅极电压漏极电流

（ BR ） DSS

DSS

GSS

GS （ TH）

DS （ ON）

= V

, I

= 250

= 4.5 V，I

= 4.0 A

= 2.5 V，I

= 3.6 A

= 1.8 V，I

= 2.0 A

正向跨导

收费和电容

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅 - 漏极电荷

开关特性

（注3）

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

D（上）

D（关闭）

= 0 V ，二

/ DT = 100 A / MS ，

= 1.6 A

=0 V,

= 1.6 A

= 25°C

= 4.5 V, V

= 10 V,

= 0.5 A ，R

= 6.0

6.0

国际空间站

OSS

RSS

G（ TOT ）

= 4.5 V, V

= 10 V,

= 3.2 A

= 0 V ， F = 1.0 MHz时，

= 10 V

500

6.9

1.0

1.8

= 10 V，I

= 3.2 A

= 0 V，I

= 250

= 0 V，I

= 250

= 0 V,

= 16 V

= 25°C

= 85°C

1.0

5.0

±100

毫伏/°C的

符号

测试条件

民

典型值

最大

单位

栅极 - 源极漏电流

基本特征

（注2 ）

栅极阈值电压

负阈值温度

系数

漏极至源极导通电阻

= 0 V, V

±8.0

0.40

4.0

9.0

毫伏/°C的

漏源二极管特性

正向二极管电压

反向恢复时间

充电时间

放电时间

反向恢复电荷

0.7

3.0

5.0

1.0

2.脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

女士，

占空比

≤

2%.

3.开关特性是独立的工作结点温度。

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NTJS3157N

典型性能曲线

= 25 ° C除非另有说明）

漏电流（安培）

0.8 V

1.4 V

1.2 V

= 1.8 V

= 25°C

1.6 V

≥

10 V

55°C

= 125°C

2.5

1.5

0.5

，栅极至源极电压（伏）

25°C

，漏极至源极电压（伏）

图1.区域特征

DS （ON ），

漏极至源极电阻（ W）

0.25

0.2

= 4 A

= 25°C

DS （ON ），

漏极至源极电阻（ W）

0.1

0.09

0.08

0.07

0.06

0.05

0.04

0.03

图2.传输特性

= 25°C

0.15

0.1

= 1.8 V

= 2.5 V

= 4.5 V

漏电流（安培）

0.05

，栅极至源极电压（伏）

图3.导通电阻与栅极 - 源

电压

1.8

DS （ON ），

漏极 - 源极

电阻（标准化）

1.6

1.4

1.2

0.8

0.6

100

10000

图4.导通电阻与漏电流和

栅极电压

= 4.0 A

= 4.5 V

= 0 V

= 150°C

DSS ，

泄漏（ NA）

1000

= 100°C

100

125

150

，结温（ ° C）

，漏极至源极电压（伏）

图5.导通电阻变化与

温度

图6.漏 - 源极漏电流

与电压

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NTJS3157N

典型性能曲线

= 25 ° C除非另有说明）

GS ，

栅 - 源电压（伏）

DS ，

漏 - 源电压（伏）

1400

1200

C，电容（pF ）

1000

800

600

RSS

400

200

RSS

OSS

国际空间站

= 0 V

国际空间站

= 0 V

= 25°C

G（ TOT ）

= 3.2 A

= 25°C

，总栅极电荷（ NC）

栅极 - 源极或漏极至源极

电压（伏）

图7.电容变化

图8.栅极 - 源极和

漏极至源极电压与总充电

100

，源电流（安培）

= 10 V

= 0.5 A

= 4.5 V

D（关闭）

0.2

= 0 V

= 25°C

T， TIME （ NS ）

D（上）

，栅极电阻（欧姆）

100

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

，源极到漏极电压（伏）

图9.电阻开关时间变化

与栅极电阻

图10.二极管的正向电压与电流

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订购信息

设备

NTJS3157NT1

NTJS3157NT1G

NTJS3157NT2

NTJS3157NT2G

NTJS3157NT4

NTJS3157NT4G

包

SC88

（无铅）

SC88

（无铅）

SC88

（无铅）

航运

3000磁带&卷轴

万胶带和放大器;卷轴

有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装

规范手册， BRD8011 / D 。

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SC70-6

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联系人：朱咸华

地址：美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜

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联系人：夏先生朱小姐

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