添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13692101218  13751165337
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13692101218
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第467页 > NESG250134-T1-AZ
NEC的NPN硅锗RF晶体管
用于中等输出功率NESG250134
放大（ 800毫瓦）
3 - pin电源MINIMOLD （ 34包装）
特点
本产品适用于
中等输出功率（ 800 mW）的扩增
P
O
= 29 dBm的典型。 @ V
CE
= 3.6 V ，P
in
= 15 dBm时， F = 460 MHz的
P
O
= 29 dBm的典型。 @ V
CE
= 3.6 V ，P
in
= 20 dBm时， F = 900兆赫
最大稳定增益：
味精= 23 dB典型值@ V
CE
= 3.6 V，I
C
= 100 mA时， F = 460 MHz的
SiGe技术：
UHS2 -HV工艺
绝对最大额定值：
V
CBO
= 20 V
3 - pin电源MINIMOLD （ 34包装）
订购信息
产品型号
NESG250134-AZ
NESG250134-T1-AZ
订单号
NESG250134-AZ
NESG250134-T1-AZ
包
3 - Pin电源Minimold
（无铅）
Note1
QUANTITY
25个（非卷轴）
1千件/卷
供给方式
12mm宽压纹带卷
引脚2 （发射极）面对带的穿孔侧
记
1.含铅，除了电极端子的一部分。
备注
如需订购样品评价，请联系您最近的销售网络的CE 。
样本股数量为25个。
绝对最大额定值
(T
A
=+25C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
记
T
j
T
英镑
评级
20
9.2
2.8
500
1.5
150
65
+150
单位
V
V
V
mA
W
°C
°C
记
安装在34.2厘米
2
×
0.8毫米（ t）的玻璃环氧树脂印刷电路板
小心
观察时处理，因为这些器件对静电放电敏感的预防措施。
美国加州东部实验室
NESG250134
热阻
(T
A
= 25°C)
参数
从结点到环境的热阻
记
符号
RTH
J- á
评级
80
单位
° C / W
记
安装在34.2厘米
2
×
0.8毫米（ t）的玻璃环氧树脂印刷电路板
推荐工作范围
(T
A
= 25°C)
参数
集电极到发射极电压
集电极电流
输入功率
记
符号
V
CE
I
C
P
in
分钟。
典型值。
3.6
400
12
马克斯。
4.5
500
17
单位
V
mA
DBM
记
V条件下输入功率
CE
≤
4.5 V ， F = 460 MHz的
NESG250134
电气charachteristics
(T
A
= 25°C)
参数
DC特性
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
射频特性
增益带宽积
插入功率增益
最大稳定增益
线性增益（ 1 ）
线性增益（ 2 ）
输出功率（1）
输出功率（2）
收藏家英法fi效率（ 1 ）
收藏家英法fi效率（ 2 ）
I
CBO
I
EBO
h
FE
注1
f
T
V
CB
= 5 V，I
E
= 0毫安
V
EB
= 0.5 V，I
C
= 0毫安
V
CE
= 3 V，I
C
= 100毫安
V
CE
= 3.6 V，I
C
= 100 mA时， F = 460 MHz的
V
CE
= 3.6 V，I
C
= 100 mA时， F = 460 MHz的
V
CE
= 3.6 V，I
C
= 100 mA时， F = 460 MHz的
V
CE
= 3.6 V，I
C（套）
= 30 MA（ RF OFF） ，
F = 460兆赫，P
in
= 0 dBm的
V
CE
= 3.6 V，I
C（套）
= 30 MA（ RF OFF） ，
F = 900兆赫，P
in
= 0 dBm的
V
CE
= 3.6 V，I
C（套）
= 30 MA（ RF OFF） ，
F = 460兆赫，P
in
= 15 dBm的
V
CE
= 3.6 V，I
C（套）
= 30 MA（ RF OFF） ，
F = 900兆赫，P
in
= 20 dBm的
V
CE
= 3.6 V，I
C（套）
= 30 MA（ RF OFF） ，
F = 460兆赫，P
in
= 15 dBm的
V
CE
= 3.6 V，I
C（套）
= 30 MA（ RF OFF） ，
F = 900兆赫，P
in
= 20 dBm的
80
16
27
120
10
19
23
19
16
29
29
60
60
1
1
180
μA
μA
GHz的
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
%
%
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
味精
|
S
21e
|
2
注2
G
L
G
L
Po
Po
η
c
η
c
注意事项1 。
脉搏测量： PW
≤
350
μs,
占空比
≤
2%
2.
味精=
S
21
S
12
h
FE
分类
秩
记号
h
FE
价值
FB
SN
80至180
NESG250134
典型CHARACHTERISTICS
(T
A
= + 25 ° C，除非另有规定编）
总功耗
- 环境温度
反向传输电容C
re
（PF ）
2.0
总功耗P
合计
（ mW）的
1.6
1.2
0.8
0.4
自然忽视
安装在玻璃环氧树脂印刷电路板
（ 34.2厘米
2
×
0.8毫米（ t））的
反向传输电容
与集电极 - 基极电压
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
2
4
6
8
10
F = 1 MHz的
1.5
0
25
50
75
100
125
150
环境温度T
A
(C)
集电极基极电压V
CB
(V)
集电极电流主场迎战
基地发射极电压
1,000
集电极电流I
C
（MA ）
100
10
1
0.1
0.01
0.001
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
V
CE
= 3 V
集电极电流I
C
（MA ）
1,000
100
10
1
0.1
0.01
0.001
集电极电流主场迎战
基地发射极电压
V
CE
= 4 V
0.0001
0.4
0.0001
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
基极至发射极电压V
BE
(V)
基极至发射极电压V
BE
(V)
集电极电流主场迎战
集电极到发射极电压
500
集电极电流I
C
（MA ）
400
300
200
100
10毫安
9毫安
8毫安
7毫安
6毫安
5毫安
4毫安
3毫安
2毫安
I
B
= 1毫安
1
2
3
4
5
0
集电极到发射极电压V
CE
(V)
备注
该图表显示的标称特性。
NESG250134
直流电流增益主场迎战
集电极电流
1,000
V
CE
= 3 V
1,000
直流电流增益主场迎战
集电极电流
V
CE
= 4 V
直流电流增益
FE
100
直流电流增益
FE
100
集电极电流I
C
（MA ）
1,000
100
10
10
10
10
100
集电极电流I
C
（MA ）
1,000
增益带宽积
与集电极电流
20
增益带宽乘积F
T
（千兆赫）
16
12
8
4
0
10
增益带宽乘积F
T
（千兆赫）
V
CE
= 3 V
F = 460 MHz的
20
16
12
8
4
0
10
增益带宽积
与集电极电流
V
CE
= 3.6 V
F = 460 MHz的
100
集电极电流I
C
（MA ）
1,000
100
集电极电流I
C
（MA ）
1,000
增益带宽积
与集电极电流
20
增益带宽乘积F
T
（千兆赫）
16
12
8
4
0
10
插入功率增益| S
21e
|
2
（ dB）的
最大可用功率增益MAG （分贝）
最大稳定功率增益MSG（分贝）
V
CE
= 4 V
F = 460 MHz的
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0.1
插入功率增益，
MAG ， MSG与频率的关系
V
CE
= 3 V
I
C
= 100毫安
味精
MAG
|S
21e
|
2
1
频率f（ GHz）的
10
100
集电极电流I
C
（MA ）
1,000
备注
该图表显示的标称特性。
查看更多NESG250134-T1-AZPDF信息
推荐型号
N82284B
NRA684K20
NME2415M
N08T1630C1BT
NAND256W3A2BZA1F
NAP0515
N74F323D
NASE221M35V10X10.5LBF
NX6301GI
N82S23AA
NIF9N05CLT1G
NTE3009
NTJS3157NT2G
NXA66-12P3V3C
NT805-552
NX5032GA
NE615D
NJU7231L28
NE216.013AX01
NJM2538
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    NESG250134-T1-AZ
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市能元时代电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2885658492 复制 点击这里给我发消息 QQ：2885637848 复制
电话：0755-84502810
联系人：甘先生
地址：深圳市龙岗区布澜路76号东久创新科技园7栋A1306室/香港九龙观塘成业街19-21号成业工业大厦8/F14室
NESG250134-T1-AZ
RENESAS
24+
SOT-89
23000￥/片,原装现货假一赔十，可含长期供货！
深圳市银芯龙科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1184826453 复制

电话：13510131896
联系人：欧阳
地址：龙岗区布吉街道粤宝花园3栋514
NESG250134-T1-AZ
NEC
20+
3000
SOT-89
全新原装房间现货
深圳市品惠科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：153461020 复制

电话：0755-23996734
联系人：李先生
地址：深圳市福田区华航社区中航路4号都会100大厦A座11C
NESG250134-T1-AZ
RENESAS
20+
150000
原装现货假一赔十★品惠特价热卖
深圳市鑫远鹏科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2885741998 复制 点击这里给我发消息 QQ：2885742022 复制
电话：15112667855
联系人：谌小姐
地址：深圳市龙岗区横岗街道六约社区深峰路3号4E
NESG250134-T1-AZ
RENESAS/瑞萨
150000
全新原装15818663367
深圳市芯泽盛世科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881147140 复制

电话：0755-89697985
联系人：李
地址：深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
NESG250134-T1-AZ
CEL
24+
10000
3-PowerMiniMold
原厂一级代理，原装现货
深圳市诺洋电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881501653 复制

电话：0755-83223003
联系人：朱
地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316
NESG250134-T1-AZ
NEC
24+
27200
SOT89
全新原装现货，原厂代理。
深圳市正信鑫科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1686616797 复制 点击这里给我发消息 QQ：2440138151 复制
电话：0755-22655674/15099917285
联系人：小邹
地址：深圳市福田区上步工业区201栋西座228室
NESG250134-T1-AZ
ＣＥＬ
22+
3549
原厂封装
原装正品★真实库存★价格优势★欢迎洽谈
深圳市芯福林电子科技有限公司
QQ：
电话：0755-82574045
联系人：张女士
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
NESG250134-T1-AZ
NEC
21+22+
27000
SOT89
原装正品
深圳市芯福林电子科技有限公司
QQ：
电话：0755-82574045
联系人：张女士
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
NESG250134-T1-AZ
NEC
0715+
16553
原装正品，支持实单
深圳市大唐盛世半导体有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2885681663 复制 点击这里给我发消息 QQ：2885628592 复制 点击这里给我发消息 QQ：2885665079 复制

电话：13008842056
联系人：张先生
地址：广东省深圳市福田区华强北上步工业区501栋406
NESG250134-T1-AZ
RENESAS
2014
1400
原厂封装
现货优势期货
查询更多NESG250134-T1-AZ供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！