NTHD4502N
功率MOSFET
30 V ， 3.9 A，双N沟道ChipFETt
特点
平面技术设备提供低R
DS （ ON）
和快速开关速度
无铅ChipFET包装有小40 ％，体积比TSOP - 6 。
理想器件的应用电路板空间非常珍贵。
ChipFET包装具有优异的耐热能力。非常适合
应用传热是必需的。
无铅包装是否可用
应用
http://onsemi.com
V
（ BR ） DSS
30 V
110毫瓦@ 4.5 V
R
DS （ ON）
典型值
80毫瓦@ 10 V
3.9 A
I
D
最大
DC-DC降压或升压转换器
低端开关
优化的电池和低侧开关中的应用
计算机和便携式设备
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
电流（注1 ）
稳定
状态
t
≤
5s
功耗
（注1 ）
稳定
状态
t
≤
5s
连续漏极
电流（注2 ）
功耗
（注2 ）
漏电流脉冲
ESD能力
（注3）
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
P
D
T
A
= 25°C
25 C
2.1
T
A
= 25°C
稳定
y
状态
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
P
D
I
DM
ESD
HBM
T
J
,
T
英镑
I
S
T
L
I
D
2.2
1.6
0.64
12
125
-55
150
2.5
260
W
A
V
°C
A
°C
A
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
30
±20
2.9
2.1
3.9
1.13
W
单位
V
V
A
D
1
, D
2
G
1
, G
2
S
1
, S
2
N沟道MOSFET
ChipFET
CASE 1206A
方式2
针
连接
D
1
8
D
1
7
D
2
6
D
2
5
1 S
1
2 G
1
3 S
2
4 G
2
1
2
3
4
记号
图
8
7
6
5
C5
M
t
p
= 10
ms
C = 100 pF的，
R
S
= 1500
W
工作结温和存储温度
源电流（体二极管）
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
C5 =具体设备守则
M =月守则
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1.表面安装在FR4板采用1平方焊盘尺寸（铜面积为1.127平方英寸
[ 1盎司]包括痕迹） 。
2.表面安装在FR4电路板使用推荐的最小焊盘尺寸
（铜面积=在平0.214 ） 。
3. ESD额定值信息： HBM 0级。
订购信息
设备
NTHD4502NT1
NTHD4502NT1G
包
ChipFET
ChipFET
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年10月 - 第4版
出版订单号：
NTHD4502N/D
NTHD4502N
热电阻额定值
参数
结 - 环境 - 稳态（注4 ）
结 - 环境 - 吨
≤
5秒（注4 ）
结 - 环境 - 稳态（注5 ）
符号
R
qJA
R
qJA
R
qJA
最大
110
60
195
单位
° C / W
4.表面安装在FR4板采用1平方焊盘尺寸（铜面积为1.127平方英寸[ 1盎司]包括痕迹） 。
5.表面使用最小推荐焊盘尺寸（铜面积为0.214平方英寸）安装在FR4板。
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
开关特性
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
I
DSS
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
V
GS
= 0 V, V
DS
= 24 V
V
GS
= 0 V, V
DS
= 24 V ，T
J
= 125°C
栅极 - 源极漏电流
基本特征
（注6 ）
栅极阈值电压
漏极 - 源极导通电阻
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
( )
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
mA
V
GS
= 10 V，I
D
= 2.9 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 2.2 A
正向跨导
收费和电容
输入电容
输出电容
反向传输电容
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏极电荷
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏极电荷
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
G（ TH ）
Q
GS
Q
GD
Q
G（ TOT ）
Q
G（ TH ）
Q
GS
Q
GD
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 24 V,
I
D
= 2.9 A
V
GS
= 10 V, V
DS
= 15 V,
I
D
= 2.9 A
V
GS
= 0 V ， F = 1.0 MHz时，
V
DS
= 24 V
V
GS
= 0 V ， F = 1.0 MHz时，
V
DS
= 15 V
140
53
16
135
42
13
3.6
0.3
0.6
0.7
1.9
0.3
0.6
0.9
nC
250
75
25
7.0
nC
pF
pF
g
FS
V
DS
= 15 V，I
D
= 2.9 A
1.0
1.65
78
105
3.8
3.0
85
140
S
V
mW
I
GSS
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
30
36
1.0
10
"100
nA
V
mA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
6.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
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2
NTHD4502N
典型性能曲线
10
V
GS
= 10 ， 6 ， 5 ， 4.5 & 4.2V的RESP 。
I
D,
漏电流（安培）
8
4V
I
D,
漏电流（安培）
3.8 V
3.6 V
6
3.4 V
4
T
J
= 25°C
2
0
0
1
2
3
4
5
3.2 V
3V
2.8 V
2.6 V
6
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
5
4
3
2
1
0
1
25°C
T
J
= 55°C
3
2
4
5
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
6
100°C
6
V
DS
≥
10 V
图1.区域特征
R
DS （ON ） ，
漏极至源极电阻（ W）
R
DS （ON ） ，
漏极至源极电阻（ W）
0.3
0.25
0.2
0.15
0.1
0.05
0
2
3
8
9
4
5
6
7
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
10
I
D
= 2.9 A
T
J
= 25°C
0.12
图2.传输特性
T
J
= 25°C
0.11
V
GS
= 4.5 V
0.10
0.09
V
GS
= 10 V
0.08
0.07
2
3
4
5
6
I
D,
漏电流（安培）
图3.导通电阻与栅极 - 源
电压
1.8
R
DS （ON ） ，
漏极 - 源极
电阻（标准化）
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
50
0.1
25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
= 2.9 A
V
GS
= 10 V
I
DSS
，漏电（ NA）
100
1000
图4.导通电阻与漏电流和
栅极电压
V
GS
= 0 V
T
J
= 150°C
10
T
J
= 100°C
1
5
10
15
20
25
30
T
J
，结温（ ° C）
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图5.导通电阻变化与
温度
图6.漏 - 源极漏电流
与电压
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4
QQ：2880707522 复制
