NVTFS5826NL
功率MOSFET
特点
60 V ， 24毫瓦， 20 A单N通道
小尺寸（ 3.3× 3.3毫米）的紧凑型设计
低R
DS （ ON）
为最大限度地减少传导损耗
低电容，以最大限度地减少驱动器损耗
NV前缀为汽车和其他需要的应用
AEC - Q101标准的网站和变更控制
这些无铅器件
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流
租金
YJ- MB
（注1 ，
2, 3, 4)
功耗
R
YJ- MB
（注1 ，2，3 ）
连续漏电流
租金
qJA
（注1 &
3, 4)
功耗
R
qJA
（注1,3）
漏电流脉冲
T
mb
= 25°C
稳定
状态
T
mb
= 100°C
T
mb
= 25°C
T
mb
= 100°C
T
A
= 25°C
稳定
状态
T
A
= 100°C
T
A
= 25°C
T
A
= 100°C
T
A
= 25 ° C，T
p
= 10
ms
I
DM
T
J
, T
英镑
I
S
E
AS
P
D
I
D
P
D
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
60
±20
20
14
22
11
7.6
5.4
3.2
1.6
127
55
to
+175
18
20
A
°C
A
mJ
W
1
http://onsemi.com
V
（ BR ） DSS
60 V
单位
V
V
A
G (4)
S (1, 2, 3)
N沟道
D (5
8)
R
DS （ ON）
最大
24毫瓦@ 10 V
32毫瓦@ 4.5 V
I
D
最大
20 A
W
A
标记图
1
WDFN8
(m8FL)
CASE 511AB
5826
A
Y
WW
G
S
S
S
G
5826
AYWWG
G
D
D
D
D
工作结温和存储温度
源电流（体二极管）
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源（T
J
= 25 ° C，V
DD
= 24 V, V
GS
= 10 V,
I
L（ PK）
= 20 A，L = 0.1 mH的，R
G
= 25
W)
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
=具体设备守则
=大会地点
=年
=工作周
= Pb-Free包装
T
L
260
°C
（注：微球可在任一位置）
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
订购信息
设备
NVTFS5826NLTAG
包
WDFN8
（无铅）
WDFN8
（无铅）
航运
1500 /磁带&
REEL
5000 /磁带&
REEL
热阻最大额定值
（注1 ）
参数
结到安装板（上）
稳定
状态（注2和3）
结到环境
稳态（注3 ）
符号
R
YJ- MB
R
qJA
价值
6.8
47
单位
° C / W
NVTFS5826NLTWG
1.整个应用程序环境的影响示出的热阻值，
它们不是常数，并且仅用于特定条件指出有效的。
2. PSI（ Y）用于每个JESD51-12要求包在其中
大致的热量低于100％流动到单个壳体表面。
3.表面安装在FR4板上用650毫米的
2
， 2盎司Cu焊盘。
4.连续额定直流电流。对于脉冲的最大电流，只要1
第二较高，但依赖于脉冲宽度和占空比。
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2011
2011年1月
第0版
1
出版订单号：
NVTFS5826NL/D
NVTFS5826NL
功率MOSFET
特点
60 V ， 24毫瓦， 20 A单N通道
小尺寸（ 3.3× 3.3毫米）的紧凑型设计
低R
DS （ ON）
为最大限度地减少传导损耗
低电容，以最大限度地减少驱动器损耗
NV前缀为汽车和其他需要的应用
AEC - Q101标准的网站和变更控制
这些无铅器件
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流
租金
YJ- MB
（注1 ，
2, 3, 4)
功耗
R
YJ- MB
（注1 ，2，3 ）
连续漏电流
租金
qJA
（注1 &
3, 4)
功耗
R
qJA
（注1,3）
漏电流脉冲
T
mb
= 25°C
稳定
状态
T
mb
= 100°C
T
mb
= 25°C
T
mb
= 100°C
T
A
= 25°C
稳定
状态
T
A
= 100°C
T
A
= 25°C
T
A
= 100°C
T
A
= 25 ° C，T
p
= 10
ms
I
DM
T
J
, T
英镑
I
S
E
AS
P
D
I
D
P
D
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
60
±20
20
14
22
11
7.6
5.4
3.2
1.6
127
55
to
+175
18
20
A
°C
A
mJ
W
1
http://onsemi.com
V
（ BR ） DSS
60 V
单位
V
V
A
G (4)
S (1, 2, 3)
N沟道
D (5
8)
R
DS （ ON）
最大
24毫瓦@ 10 V
32毫瓦@ 4.5 V
I
D
最大
20 A
W
A
标记图
1
WDFN8
(m8FL)
CASE 511AB
5826
A
Y
WW
G
S
S
S
G
5826
AYWWG
G
D
D
D
D
工作结温和存储温度
源电流（体二极管）
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源（T
J
= 25 ° C，V
DD
= 24 V, V
GS
= 10 V,
I
L（ PK）
= 20 A，L = 0.1 mH的，R
G
= 25
W)
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
=具体设备守则
=大会地点
=年
=工作周
= Pb-Free包装
T
L
260
°C
（注：微球可在任一位置）
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
订购信息
设备
NVTFS5826NLTAG
包
WDFN8
（无铅）
WDFN8
（无铅）
航运
1500 /磁带&
REEL
5000 /磁带&
REEL
热阻最大额定值
（注1 ）
参数
结到安装板（上）
稳定
状态（注2和3）
结到环境
稳态（注3 ）
符号
R
YJ- MB
R
qJA
价值
6.8
47
单位
° C / W
NVTFS5826NLTWG
1.整个应用程序环境的影响示出的热阻值，
它们不是常数，并且仅用于特定条件指出有效的。
2. PSI（ Y）用于每个JESD51-12要求包在其中
大致的热量低于100％流动到单个壳体表面。
3.表面安装在FR4板上用650毫米的
2
， 2盎司Cu焊盘。
4.连续额定直流电流。对于脉冲的最大电流，只要1
第二较高，但依赖于脉冲宽度和占空比。
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2011
2011年1月
第0版
1
出版订单号：
NVTFS5826NL/D
NVTFS5826NL
功率MOSFET
特点
60 V ， 24毫瓦， 20 A单N通道
小尺寸（ 3.3× 3.3毫米）的紧凑型设计
低R
DS （ ON）
为最大限度地减少传导损耗
低电容，以最大限度地减少驱动器损耗
NV前缀为汽车和其他需要的应用
AEC - Q101标准的网站和变更控制
这些无铅器件
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流
租金
YJ- MB
（注1 ，
2, 3, 4)
功耗
R
YJ- MB
（注1 ，2，3 ）
连续漏电流
租金
qJA
（注1 &
3, 4)
功耗
R
qJA
（注1,3）
漏电流脉冲
T
mb
= 25°C
稳定
状态
T
mb
= 100°C
T
mb
= 25°C
T
mb
= 100°C
T
A
= 25°C
稳定
状态
T
A
= 100°C
T
A
= 25°C
T
A
= 100°C
T
A
= 25 ° C，T
p
= 10
ms
I
DM
T
J
, T
英镑
I
S
E
AS
P
D
I
D
P
D
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
60
±20
20
14
22
11
7.6
5.4
3.2
1.6
127
55
to
+175
18
20
A
°C
A
mJ
W
1
http://onsemi.com
V
（ BR ） DSS
60 V
单位
V
V
A
G (4)
S (1, 2, 3)
N沟道
D (5
8)
R
DS （ ON）
最大
24毫瓦@ 10 V
32毫瓦@ 4.5 V
I
D
最大
20 A
W
A
标记图
1
WDFN8
(m8FL)
CASE 511AB
5826
A
Y
WW
G
S
S
S
G
5826
AYWWG
G
D
D
D
D
工作结温和存储温度
源电流（体二极管）
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源（T
J
= 25 ° C，V
DD
= 24 V, V
GS
= 10 V,
I
L（ PK）
= 20 A，L = 0.1 mH的，R
G
= 25
W)
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
=具体设备守则
=大会地点
=年
=工作周
= Pb-Free包装
T
L
260
°C
（注：微球可在任一位置）
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
订购信息
设备
NVTFS5826NLTAG
包
WDFN8
（无铅）
WDFN8
（无铅）
航运
1500 /磁带&
REEL
5000 /磁带&
REEL
热阻最大额定值
（注1 ）
参数
结到安装板（上）
稳定
状态（注2和3）
结到环境
稳态（注3 ）
符号
R
YJ- MB
R
qJA
价值
6.8
47
单位
° C / W
NVTFS5826NLTWG
1.整个应用程序环境的影响示出的热阻值，
它们不是常数，并且仅用于特定条件指出有效的。
2. PSI（ Y）用于每个JESD51-12要求包在其中
大致的热量低于100％流动到单个壳体表面。
3.表面安装在FR4板上用650毫米的
2
， 2盎司Cu焊盘。
4.连续额定直流电流。对于脉冲的最大电流，只要1
第二较高，但依赖于脉冲宽度和占空比。
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2011
2011年1月
第0版
1
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NVTFS5826NL/D
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