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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第453页 > NTHD4102PT1G
NTHD4102P
功率MOSFET
-20 V， -4.1 A，双P沟道ChipFETt
特点
提供了Ultra低R
DS （ ON）
在ChipFET包装解决方案
微型ChipFET包装小40 ％，体积比TSOP - 6
薄型（ <1.1毫米）使其能够方便地融入极薄
环境，如便携式电子产品
简化了电路设计，因为附加升压电路的门
电压不需要
工作在标准逻辑电平栅极驱动，有利于未来
使用相同的基本拓扑结构迁移到较低的水平
无铅包装是否可用
应用
V
（ BR ） DSS
http://onsemi.com
R
DS （ ON）
典型值
64毫瓦@ -4.5 V
20 V
85毫瓦@ -2.5 V
120毫瓦@ -1.8 V
4.1 A
I
D
最大
优化电池和负载管理的应用
便携式设备，如MP3播放器，手机和PDA
充电控制电池充电器
降压和升压转换器
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
电流（注1 ）
稳定状态
t
≤
10 s
功耗
（注1 ）
脉冲漏
当前
稳定状态
t
≤
10 s
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
P
D
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
20
"8.0
2.9
2.1
4.1
1.1
2.1
I
DM
T
J
,
T
英镑
I
S
T
L
13.8
-55
150
1.1
260
A
°C
A
°C
D
1
8
D
1
7
D
2
6
D
2
5
W
单位
V
V
A
G
1
S
1
S
2
G
2
D
1
P沟道MOSFET
D
2
P沟道MOSFET
ChipFET
CASE 1206A
方式2
针
连接
1 S
1
2 G
1
3 S
2
4 G
2
1
2
3
4
记号
图
8
7
6
5
C7
M
TP = 10毫秒
工作结温和存储温度
源电流（体二极管）
无铅焊接温度的
目的（ 1/8“从案例10秒）
热电阻额定值
参数
结到环境，稳态（注1 ）
结到环境，叔
≤
10秒（注1 ）
R
qJA
符号
最大
113
60
单位
° C / W
C7 =具体设备守则
M =月守则
订购信息
设备
NTHD4102PT1
NTHD4102PT1G
包
ChipFET
ChipFET
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1.表面安装在FR4板采用1平方焊盘尺寸（铜面积为1.127平方英寸
[ 1盎司]包括痕迹）
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
出版订单号：
NTHD4102P/D
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年10月 - 第4版
NTHD4102P
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压
漏极至源极击穿电压
温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS /
T
J
I
DSS
T
J
= 25°C
T
J
= 85°C
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
20
15
1.0
5.0
"100
nA
V
毫伏/°C的
mA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
V
GS
= 0 V
V
DS
= 16 V
栅极 - 源极漏电流
基本特征
（注2 ）
栅极阈值电压
栅极阈值温度系数
漏极至源极导通电阻
I
GSS
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"8.0
V
V
GS （ TH）
V
GS （ TH ） /
T
J
R
DS （ ON）
( )
V
GS
= V
DS ，
I
D
= 250
mA
0.45
2.7
1.5
V
毫伏/°C的
V
GS
= -4.5 V，I
D
= 2.9 A
V
GS
= -2.5 V，I
D
= 2.2 A
V
DS
= -1.8 V，I
D
= 1.0 A
64
85
120
7.0
80
110
170
mW
正向跨导
收费，电容和栅极电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏极电荷
开关特性
（注3）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
漏源二极管特性
正向二极管电压
反向恢复时间
充电时间
放电时间
反向恢复电荷
g
FS
V
DS
= -10 V，I
D
= 2.9 A
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
GS
Q
GD
V
GS
= 0 V ， F = 1.0 MHz时，
V
DS
= 16 V
750
100
45
7.6
8.6
pF
nC
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 16 V,
I
D
= 2.6 A
1.3
2.6
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
= 4.5 V, V
DD
= 16 V,
4.5
16
I
D
= -2.6 A，R
G
= 2.0
W
5.5
12
32
23
10
25
40
35
ns
V
SD
t
RR
ta
tb
Q
RR
V
GS
= 0 V，I
S
= 1.1 A
0.8
20
1.2
40
V
ns
V
GS
= 0 V ，二
S
/ DT = 100 A / MS ，
I
S
= 1.0 A
15
5
0.01
mC
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2%
3.开关特性是独立的工作结点温度
http://onsemi.com
2
NTHD4102P
典型性能曲线
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
10
I
D,
漏电流（安培）
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
1
2
3
4
5
6
1.8 V
1.6 V
1.4 V
7
8
V
GS
= -10 V至-2.8 V
T
J
= 25°C
I
D,
漏电流（安培）
2.4 V
9
8
7
6
5
4
3
125°C
2
1
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
4
25°C
T
J
= 55°C
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图1.区域特征
R
DS （ON ） ，
漏极至源极电阻（ W）
0.2
R
DS （ON ） ，
漏极 - 源极
电阻（标准化）
0.18
0.16
0.14
0.12
0.1
0.08
0.06
0.04
0.02
0
2
4
3
5
I
D,
漏电流（安培）
6
0.5
50
25
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 2.5 V
1.5
图2.传输特性
V
GS
= 4.5 V
1.3
1.1
0.9
0.7
0
25
50
75
100
125
150
T
J
，结温（ ° C）
图3.导通电阻与漏电流和
栅极电压
10000
V
GS
= 0 V
I
DSS
，漏电（ NA）
1000
T
J
= 125°C
T
J
= 100°C
图4.导通电阻变化与
温度
100
10
1
0.1
2
3
4
T
J
= 25°C
5
6
7
8
V
DS ，
漏 - 源电压（伏）
图5.漏 - 源极漏电流
与电压
http://onsemi.com
3
NTHD4102P
典型性能曲线
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
1.2
V
GS ，
栅 - 源电压（伏）
1000
900
C，电容（pF ）
800
700
600
500
400
300
200
100
0
0
2
4
6
8
V
GS
V
DS
栅极 - 源极或漏极至源极电压（伏）
C
RSS
10
12
14
16
C
OSS
18
20
C
国际空间站
T
J
= 25°C
5
QT
4
3
Q1
2
Q2
1
0
0
1
I
D
= 2.7 A
T
J
= 25°C
5
6
2
3
4
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
7
8
图6.电容变化
图7.栅极 - 源极和漏极 - 源
电压和总栅极电荷
1000
I
S
，源电流（安培）
V
DD
= 10 V
I
D
= 1.0 A
V
GS
= 4.5 V
T， TIME （ NS ）
100
5
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
4
3
10
t
D（关闭）
t
f
t
r
t
D（上）
2
1
0
0.4
1
1
10
R
G
，栅极电阻（欧姆）
100
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
图8.电阻开关时间变化
与栅极电阻
100
-I D，漏极电流（ AMPS ）
图9.二极管的正向电压与电流
10
10
ms
100
ms
1毫秒
10毫秒
1
V
GS
= 8 V
单脉冲
T
C
= 25°C
0.1
R
DS （ ON）
极限
热限制
套餐限制
dc
0.01
0.1
10
1
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
100
图10.最大额定正向偏置
安全工作区
http://onsemi.com
4
NTHD4102P
包装尺寸
ChipFET ]
CASE 1206A -03
问题E
A
8
7
6
5
M
K
5
6
3
7
2
8
1
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米。
3.模具浇口毛刺不得超过0.13 MM
每边。
4.引线框架成型体偏移
水平和垂直不得超过
0.08 MM.
5.尺寸A和B独有的模具浇口
毛刺。
6.无毛边允许在顶部和
底部引线的表面。
7. 1206A - 01和1206A -02过时。 NEW
标准1206A -03 。
暗淡
A
B
C
D
G
J
K
L
M
S
MILLIMETERS
民
最大
2.95
3.10
1.55
1.70
1.00
1.10
0.25
0.35
0.65 BSC
0.10
0.20
0.28
0.42
0.55 BSC
5
°
喃
1.80
2.00
英寸
民
最大
0.116
0.122
0.061
0.067
0.039
0.043
0.010
0.014
0.025 BSC
0.004
0.008
0.011
0.017
0.022 BSC
5
°
喃
0.072
0.080
S
1
2
3
4
B
4
L
G
D
J
方式2 ：
PIN 1 。
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
源1
门1
源2
门2
排水2
排水2
排水1
排水1
C
0.05 (0.002)
焊接足迹*
2.032
0.08
0.457
0.018
0.635
0.025
0.635
0.025
1.092
0.043
2.032
0.08
0.178
0.007
0.457
0.018
0.711
0.028
0.66
0.026
尺度20:1
mm
英寸
0.66
0.026
0.254
0.010
尺度20:1
mm
英寸
BASIC
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
方式2
http://onsemi.com
5
NTHD4102P
功率MOSFET
-20 V， -4.1 A，双P沟道ChipFETt
特点
提供了Ultra低R
DS （ ON）
在ChipFET包装解决方案
微型ChipFET包装小40 ％，体积比TSOP - 6
薄型（ <1.1毫米）使其能够方便地融入极薄
环境，如便携式电子产品
简化了电路设计，因为附加升压电路的门
电压不需要
工作在标准逻辑电平栅极驱动，有利于未来
使用相同的基本拓扑结构迁移到较低的水平
无铅包装是否可用
应用
http://onsemi.com
V
（ BR ） DSS
R
DS （ ON）
典型值
64毫瓦@ -4.5 V
20 V
85毫瓦@ -2.5 V
120毫瓦@ -1.8 V
S
1
S
2
4.1 A
I
D
最大
优化电池和负载管理的应用
便携式设备，如MP3播放器，手机和PDA
充电控制电池充电器
降压和升压转换器
G
1
G
2
D
1
D
2
P沟道MOSFET
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
电流（注1 ）
稳定状态
t
≤
10 s
功耗
（注1 ）
脉冲漏
当前
稳定状态
t
≤
10 s
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
P
D
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
20
"8.0
2.9
2.1
4.1
1.1
2.1
I
DM
T
J
,
T
英镑
I
S
T
L
13.8
-55
150
1.1
260
A
°C
A
°C
W
单位
V
V
A
P沟道MOSFET
ChipFET
CASE 1206A
方式2
针
连接
D
1
8
D
1
7
D
2
6
D
2
5
1 S
1
2 G
1
3 S
2
4 G
2
1
2
3
4
记号
图
8
7
6
5
C7 M
G
TP = 10毫秒
工作结温和存储温度
源电流（体二极管）
无铅焊接温度的
目的（ 1/8“从案例10秒）
C7 =具体设备守则
M =月守则
G
= Pb-Free包装
热电阻额定值
参数
结到环境，稳态（注1 ）
结到环境，叔
≤
10秒（注1 ）
R
qJA
符号
最大
113
60
单位
° C / W
订购信息
设备
NTHD4102PT1
NTHD4102PT1G
包
ChipFET
ChipFET
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1.表面安装在FR4板采用1平方焊盘尺寸（铜面积为1.127平方英寸
[ 1盎司]包括痕迹）
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
出版订单号：
NTHD4102P/D
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年11月 - 修订版5
NTHD4102P
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压
漏极至源极击穿电压
温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS /
T
J
I
DSS
T
J
= 25°C
T
J
= 85°C
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
20
15
1.0
5.0
"100
nA
V
毫伏/°C的
mA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
V
GS
= 0 V
V
DS
= 16 V
栅极 - 源极漏电流
基本特征
（注2 ）
栅极阈值电压
栅极阈值温度系数
漏极至源极导通电阻
I
GSS
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"8.0
V
V
GS （ TH）
V
GS （ TH ） /
T
J
R
DS （ ON）
V
GS
= V
DS ，
I
D
= 250
mA
0.45
2.7
1.5
V
毫伏/°C的
V
GS
= -4.5 V，I
D
= 2.9 A
V
GS
= -2.5 V，I
D
= 2.2 A
V
DS
= -1.8 V，I
D
= 1.0 A
64
85
120
7.0
80
110
170
mW
正向跨导
收费，电容和栅极电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏极电荷
开关特性
（注3）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
漏源二极管特性
正向二极管电压
反向恢复时间
充电时间
放电时间
反向恢复电荷
g
FS
V
DS
= -10 V，I
D
= 2.9 A
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
GS
Q
GD
V
GS
= 0 V ， F = 1.0 MHz时，
V
DS
= 16 V
750
100
45
7.6
8.6
pF
nC
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 16 V,
I
D
= 2.6 A
1.3
2.6
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
= 4.5 V, V
DD
= 16 V,
I
D
= -2.6 A，R
G
= 2.0
W
5.5
12
32
23
10
25
40
35
ns
V
SD
t
RR
ta
tb
Q
RR
V
GS
= 0 V，I
S
= 1.1 A
0.8
20
1.2
40
V
ns
V
GS
= 0 V ，二
S
/ DT = 100 A / MS ，
I
S
= 1.0 A
15
5
0.01
mC
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2%
3.开关特性是独立的工作结点温度
http://onsemi.com
2
NTHD4102P
典型性能曲线
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
10
I
D,
漏电流（安培）
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
1
2
3
4
5
6
1.8 V
1.6 V
1.4 V
7
8
V
GS
= -10 V至-2.8 V
T
J
= 25°C
I
D,
漏电流（安培）
2.4 V
9
8
7
6
5
4
3
125°C
2
1
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
4
25°C
T
J
= 55°C
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图1.区域特征
R
DS （ON ） ，
漏极至源极电阻（ W）
0.2
R
DS （ON ） ，
漏极 - 源极
电阻（标准化）
0.18
0.16
0.14
0.12
0.1
0.08
0.06
0.04
0.02
0
2
5
I
D,
漏电流（安培）
3
4
6
0.5
50
25
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 2.5 V
1.5
图2.传输特性
V
GS
= 4.5 V
1.3
1.1
0.9
0.7
0
25
50
75
100
125
150
T
J
，结温（ ° C）
图3.导通电阻与漏电流和
栅极电压
10000
V
GS
= 0 V
I
DSS
，漏电（ NA）
1000
T
J
= 125°C
T
J
= 100°C
100
图4.导通电阻变化与
温度
10
1
0.1
2
3
4
T
J
= 25°C
5
6
7
8
V
DS ，
漏 - 源电压（伏）
图5.漏 - 源极漏电流
与电压
http://onsemi.com
3
NTHD4102P
典型性能曲线
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
1.2
V
GS ，
栅 - 源电压（伏）
1000
900
C，电容（pF ）
800
700
600
500
400
300
200
100
0
0
2
4
6
8
V
GS
V
DS
栅极 - 源极或漏极至源极电压（伏）
C
RSS
10
12
14
16
C
OSS
18
20
C
国际空间站
T
J
= 25°C
5
QT
4
3
Q1
2
Q2
1
0
0
1
I
D
= 2.7 A
T
J
= 25°C
4
2
3
5
6
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
7
8
图6.电容变化
图7.栅极 - 源极和漏极 - 源
电压和总栅极电荷
1000
I
S
，源电流（安培）
V
DD
= 10 V
I
D
= 1.0 A
V
GS
= 4.5 V
T， TIME （ NS ）
100
5
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
4
3
10
t
D（关闭）
t
f
t
r
t
D（上）
2
1
0
0.4
1
1
10
R
G
，栅极电阻（欧姆）
100
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
图8.电阻开关时间变化
与栅极电阻
100
-I D，漏极电流（ AMPS ）
图9.二极管的正向电压与电流
10
10
ms
100
ms
1毫秒
10毫秒
1
V
GS
= 8 V
单脉冲
T
C
= 25°C
0.1
R
DS （ ON）
极限
热限制
套餐限制
dc
0.01
0.1
1
10
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
100
图10.最大额定正向偏置
安全工作区
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4
NTHD4102P
包装尺寸
ChipFET ]
CASE 1206A -03
ISSUE摹
D
8
7
6
5
q
L
5
6
3
7
2
8
1
H
E
1
2
3
4
E
4
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米。
3.模具浇口毛刺不得超过0.13mm的每一面。
4.引线框架成型体偏移水平
和垂直不得超过0.08的MM。
5.尺寸A和B ，不包括模具浇口毛刺。
6.无毛边允许在顶部和底部的铅
表面。
暗淡
A
b
c
D
E
e
e1
L
H
E
q
MILLIMETERS
喃
最大
1.05
1.10
0.30
0.35
0.15
0.20
3.05
3.10
1.65
1.70
0.65 BSC
0.55 BSC
0.28
0.35
0.42
1.80
1.90
2.00
5 ° NOM
民
1.00
0.25
0.10
2.95
1.55
英寸
喃
0.041
0.012
0.006
0.120
0.065
0.025 BSC
0.022 BSC
0.011
0.014
0.071
0.075
5 ° NOM
民
0.039
0.010
0.004
0.116
0.061
最大
0.043
0.014
0.008
0.122
0.067
e1
e
b
c
方式2 ：
PIN 1 。
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
源1
门1
源2
门2
排水2
排水2
排水1
排水1
A
0.05 (0.002)
0.017
0.079
焊接足迹*
2.032
0.08
0.457
0.018
0.635
0.025
0.635
0.025
1.092
0.043
2.032
0.08
0.178
0.007
0.457
0.018
0.711
0.028
0.66
0.026
尺度20:1
mm
英寸
0.66
0.026
0.254
0.010
尺度20:1
mm
英寸
BASIC
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
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方式2
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