超低噪声
赝HJ FET
特点
超低噪声指数:
0.6分贝一般在12 GHz的
高相关的增益:
11分贝一般在12 GHz的
噪声系数NF ( dB)的
1.4
1.2
G
A
1
0.8
0.6
0.4
0.2
NE32484A
噪声系数& ASSOCIATED
增益与频率
V
DS
= 2 V,I
DS
= 10毫安
24
21
L
G
= 0.25
m,
W
G
= 200
m
低成本金属/陶瓷封装
TAPE &卷轴包装选项中提供
18
15
NF
描述
该NE32484A是一个伪形态异质结场效应管的
使用Si掺杂的AlGaAs和未掺杂之间的结
砷化铟镓创造非常高的电子迁移率。该装置
特色蘑菇状TiAl金属门的门下降
性和改善的功率处理能力。该
蘑菇门也导致了更低的噪声系数和高
相关增益。该器件采用环氧树脂密封,
金属/陶瓷封装,用于高体积
消费者和工业应用。
NEC严格的质量保证和测试程序AS-i
确保最高的可靠性和性能。
12
9
6
3
0
1
10
20
30
频率f ( GHz)的
电气特性
(T
A
= 25°C)
产品型号
包装外形
符号
NF
选择
1
G
A
1
P
1dB
参数和条件
噪声系数,V
DS
= 2.0 V,I
D
= 10毫安,
F = 12 GHz的
相关的增益,V
DS
= 2.0 V,I
D
= 10 mA时, F = 12 GHz的
输出功率为1 dB增益压缩点, F = 12 GHz的
V
DS
= 2.0 V,I
DS
= 10毫安
V
DS
= 2.0 V,I
DS
= 20毫安
增益P
1dB
中,f = 12 GHz的
V
DS
= 2.0 V,I
DS
= 10毫安
V
DS
= 2.0 V,I
DS
= 20毫安
饱和漏极电流,V
DS
= 2.0 V, V
GS
= 0 V
夹断电压,V
DS
= 2.0 V,I
DS
- 0.1毫安
跨导,V
DS
= 2.0 V,I
D
= 10毫安
门源漏电流,V
GS
= -3.0 V,I
D
= 0毫安
热电阻(通道到环境)
热电阻(通道到外壳)
单位
dB
dB
DBM
DBM
dB
dB
mA
V
mS
A
° C / W
° C / W
15
-2.0
45
10.0
民
NE32484A
84AS
典型值
0.6
11.0
8.5
11.0
10.0
10.5
40
-0.8
60
0.5
750
350
10.0
70
-0.2
最大
0.7
G
1dB
I
DSS
V
P
g
m
I
GSO
R
第(章-a)的
R
TH( CH-C )
注意:
的噪声系数和相关的增益1的典型值获得的那些,当从大量材料50%的设备分别单独
在与输入单独调谐,得到最小值的电路测量的。最高值是在生产线上建立的标准
作为"go -无go"筛选调谐为"generic"类型,但不为每个试样。
美国加州东部实验室
相关的增益,G
A
( dB)的
NE32484A
外形尺寸
(T
A
= 25C)
NE32484AS
包装外形84AS
(以毫米单位)
1.78
±
0.2
订购信息
部分
数
NE32484AS
NE32484A-T1
数量
散到1K的
1K/Reel
包
84AS
84AS
注意:
长期使用含铅( 1.7分) 84A封装后在批量请求
数量多达1000个。如需订购指定NE32484A -SL 。
S
1.78
±
0.2
D
T
S
G
0.5
±
0.1
(所有引线
)
1.0
±0.2
(所有引线)
1.7 MAX
+0.07
0.1 -0.03
型号代号(字母) 。
当信是直立的,
栅极引线是在正确的。
北美的独家代理FOR
射频,微波&光电半导体
美国加州东部实验室
总部 4590帕特里克·亨利·道美国加州圣克拉拉, 95054-1817 ( 408 ) 988-3500 电传34-6393 传真( 408 ) 988-0279
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11/98
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