NTHC5513
功率MOSFET
20 V ， 3.9 A / -3.0 A，
补充ChipFETt
特点
互补的N沟道和P沟道MOSFET
小尺寸，小40 ％，比TSOP -6封装
无管脚SMD封装，提供互补对
ChipFET包装提供了类似于大热特性
大包
低R
DS （ ON）
在ChipFET包装的高效性能
薄型（ < 1.10毫米）允许放置在极薄
环境，如便携式电子产品
无铅包装是否可用
应用
http://onsemi.com
V
（ BR ） DSS
N沟道
20 V
P- CHANNEL
20 V
R
DS （ ON）
典型值
60毫瓦@ 4.5 V
80毫瓦@ 2.5 V
130毫瓦@ -4.5 V
200毫瓦@ -2.5 V
S2
I
D
最大
3.9 A
3.0 A
D1
负载开关应用需要电平转换
的DC-DC转换电路
驾驶小型无刷直流电机
专为便携式，电池电源管理应用
供电产品
G1
G2
S1
N沟道MOSFET
D2
P沟道MOSFET
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
电流（注1 ）
N沟道
稳定
状态
t
v
5
P- CH
稳定
状态
t
v
5
漏电流脉冲
（注1 ）
功耗
（注1 ）
N沟道
P- CH
稳定
状态
t
v
5
工作结存储
温度
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“案件从10秒）
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
t = 10
ms
t = 10
ms
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
T
J
,
T
英镑
T
L
P
D
I
DM
I
D
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
20
±12
2.9
2.1
3.9
2.2
1.6
3.0
12
9.0
1.1
2.1
-55
150
260
°C
W
A
A
单位
V
V
A
ChipFET
CASE 1206A
方式2
针
连接
D
1
D
1
D
2
D
2
8
7
6
5
1
2
3
4
记号
图
1
2
3
4
C1
M
8
7
6
5
S
1
G
1
S
2
G
2
C1 =具体设备守则
M =月守则
订购信息
°C
设备
NTHC5513T1
NTHC5513T1G
包
ChipFET
ChipFET
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1.表面安装在FR4板采用1平方焊盘尺寸（铜面积为1.127平方英寸
[ 1盎司]包括痕迹） 。
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
出版订单号：
NTHC5513/D
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年10月 - 第4版
NTHC5513
热电阻额定值
参数
结到环境（注1 ）
稳定状态
t
v
5
T
A
= 25°C
符号
R
qJA
最大
110
60
单位
° C / W
2.表面安装在FR4板采用1平方焊盘尺寸（铜面积为1.127平方英寸[ 1盎司]包括痕迹） 。
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
开关特性
（注3）
漏极至源极击穿电压
V
（ BR ） DSS
( )
N
P
零栅极电压漏极电流
I
DSS
N
P
N
P
栅极 - 源极漏电流
基本特征
（注3）
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
( )
N
P
漏极至源极导通电阻
R
DS
（上）
N
P
N
P
正向跨导
g
FS
N
P
收费和电容
输入电容
C
国际空间站
N
P
输出电容
C
OSS
N
P
反向传输电容
C
RSS
N
P
总栅极电荷
Q
G（ TOT ）
(
)
N
P
栅 - 源栅极电荷
Q
GS
N
P
栅 - 漏“米勒”充电
Q
GD
N
P
3.脉冲测试：脉冲宽度
v
250
女士，
占空比
v
2%.
F = 1 MHz的V
GS
= 0 V
兆赫，
V
DS
= 10 V
V
DS
= 10 V
V
DS
= 10 V
V
DS
= 10 V
V
DS
= 10 V
V
DS
= 10 V
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 10 V，I
D
= 2.9 A
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= -10 V，I
D
= 2.2 A
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 10 V，I
D
= 2.9 A
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= -10 V，I
D
= 2.2 A
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 10 V，I
D
= 2.9 A
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= -10 V，I
D
= 2.2 A
180
185
80
95
25
30
2.6
3.0
0.6
0.5
0.7
0.9
4.0
6.0
nC
pF
V
GS
= V
DS
I
D
= 250
mA
I
D
= 250
mA
0.6
0.6
0.058
0.130
0.077
0.200
6.0
6.0
1.2
1.2
0.080
0.155
0.115
0.240
S
W
V
I
GSS
V
GS
= 0 V
I
D
= 250
mA
I
D
= 250
mA
20
20
1.0
1.0
5
5
±100
nA
mA
V
符号
N / P
测试条件
民
典型值
最大
单位
V
GS
= 0 V, V
DS
= 16 V
V
GS
= 0 V, V
DS
= 16 V
V
GS
= 0 V, V
DS
= 16 V ，T
J
= 85
°C
V
GS
= 0 V, V
DS
= -16 V，T
J
= 85
°C
V
DS
= 0 V, V
GS
=
±12
V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 2.9 A
V
GS
= -4.5 V，I
D
= 2.2 A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 2.3 A
V
GS
= -2.5 V，I
D
= 1.7 A
V
DS
= 10 V，I
D
= 2.9A
V
DS
= ±10 V，I
D
= 2.2 A
http://onsemi.com
2
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