NTD6416AN
N沟道功率MOSFET
100 V， 17 A， 81毫瓦
特点
低R
DS （ ON）
高电流能力
100％的雪崩测试
这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
http://onsemi.com
I
D
最大
（注1 ）
17 A
V
（ BR ） DSS
100 V
R
DS （ ON）
最大
81毫瓦@ 10 V
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续
连续漏极
当前
功耗
漏电流脉冲
稳定
状态
稳定
状态
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
T
C
= 25°C
P
D
I
DM
T
J
, T
英镑
I
S
E
AS
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
100
$20
17
11
71
62
55
to
+175
17
43
W
单位
V
V
A
N沟道
D
G
A
°C
A
mJ
1 2
4
1
3
S
4
t
p
= 10
ms
工作和存储温度范围
源电流（体二极管）
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源（V
DD
= 50伏，V
GS
= 10 VDC ，
I
L（ PK）
= 17 A，L = 0.3 mH的，R
G
= 25
W)
无铅焊接温度的
目的， 1/8“案件从10秒
T
L
260
°C
热电阻额定值
参数
结至外壳（漏）稳态
结到环境（注1 ）
符号
R
QJC
R
qJA
最大
2.1
40
单位
° C / W
DPAK
CASE 369AA
方式2
3
IPAK
CASE 369D
方式2
2
YWW
64
16ANG
1
门
2
漏
3
来源
YWW
64
16ANG
1
门
2
漏
3
来源
出版订单号：
NTD6416AN/D
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.表面安装用1平方英寸焊盘尺寸FR4板，
（铜面积1.127平方[ 2盎司]包括痕迹） 。
标记图
＆放大器;引脚分配
4漏
4漏
6416AN
Y
WW
G
=器件代码
=年
=工作周
= Pb-Free包装
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第5页上。
半导体元件工业有限责任公司， 2009年
2009年11月
第0版
1
NTD6416AN
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
开关特性
漏极至源极击穿电压
漏极至源极击穿电压
温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
基本特征
（注3）
栅极阈值电压
负阈值温度
系数
漏极 - 源极导通电阻
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏极电荷
高原电压
栅极电阻
开关特性
（注4 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
正向二极管电压
反向恢复时间
充电时间
放电时间
反向恢复电荷
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
rr
t
a
t
b
Q
RR
V
GS
= 0 V ，二
S
/ DT = 100 A / MS ，
I
S
= 17 A
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
V
GS
= 10 V, V
DD
= 80 V,
I
D
= 17 A，R
G
= 6.1
W
9.2
22
24
20
0.85
0.7
56
41
15
135
nC
ns
1.2
V
ns
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
/T
J
R
DS （ ON）
政府飞行服务队
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
G（ TH ）
Q
GS
Q
GD
V
GP
R
G
V
GS
= 10 V, V
DS
= 80 V，I
D
= 17 A
V
GS
= 0 V ， F = 1.0兆赫，V
DS
= 25 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 17 A
V
DS
= 5 V，I
D
= 10 A
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
mA
2.0
7.7
73
12
620
110
50
20
1.0
3.6
10
5.8
2.4
V
W
nC
81
4.0
V
毫伏/°C的
mW
S
pF
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
I
DSS
I
GSS
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 100 V
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
100
112
1.0
100
"100
nA
V
毫伏/°C的
mA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
收费，电容和栅极电阻
漏源二极管特性
V
GS
= 0 V，I
S
= 17 A
2.表面安装在FR4板采用1平方焊盘尺寸（铜面积为1.127平方英寸[ 1盎司]包括痕迹） 。
3.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2%.
4.开关的特点是独立的工作结点温度。
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2
NTD6416AN
典型特征
10
1
R（ T） （ ° C / W）
D = 0.5
0.2
0.1
0.1 0.05
0.02
0.01
0.01
单脉冲
0.001
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
T，脉冲时间（s ）
0.1
1
10
图13.热响应
订购信息
设备
NTD6416ANT4G
NTD6416AN1G
包
DPAK
（无铅）
IPAK
（无铅）
航运
2500 /磁带&卷轴
75单位/铁
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
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5
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