NTE6508
集成电路
CMOS ， 1K静态RAM （ SRAM ）
描述：
该NTE6508是一个16引脚DIP封装类型1024× 1全静态CMOS RAM捏造使用
自对准硅栅技术。同步电路设计技术被用来acheive
高性能和低功耗运行。片上提供了用于允许地址锁存器effeci-
耳鼻喉科接口与微处理器系统。该数据输出缓冲器可以被强制为高阻抗
ANCE状态在扩展内存阵列中使用。
产品特点：
D
低功耗待机： 50μW最大
D
低功耗工作：为20mW / MHz的最大
D
快速存取时间： 300ns的最大
D
数据保存： 2V敏
D
TTL兼容输入/输出
D
高输出驱动： 2 TTL负载
D
片内地址寄存器
绝对最大额定值：
（注1 ）
电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 7V
输入，输出或I / O电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND -0.3V到V
CC
+0.3V
典型的降额因子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5毫安/ MHz的增加，我
CC （ OP ）
门数。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1925年盖茨
工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 175℃
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 °至+ 150°C
焊接温度（焊接过程中，最多10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 300℃
注1.强调超过上述“绝对最大额定值” ，可能会造成永久性的损害
到设备。这是在这些或任何其它的应力只评级和装置的操作
超出本规范的业务部门所标明的条件是不是im-
合股。该器件对静电放电敏感的，用户应遵循正确的IC han-
危及周围的程序。
推荐工作条件：
工作电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 4.5V至+ 5.5V
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 °C至+ 85°C
直流电气特性：
V
CC
= 5V
±10%,
T
A
= -40 °C至+ 85°C ，除非另有说明）
参数
待机电源电流
工作电源电流
数据保持电源电流
数据保持电源电压
输入漏电流
输出漏电流
输入电压，低
输入电压，高
输出电压，低
输出电压，高
符号
I
CC （SB）
I
CC （ OP ）
I
CC （ DR ）
V
CC （ DR ）
I
I
I
OZ
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
V
I
= V
CC
或GND ，V
CC
= 5.5V
V
O
= V
CC
或GND ，V
CC
= 5.5V
V
CC
= 4.5V
V
CC
= 5.5V
I
O
= 3.2毫安，V
CC
= 4.5V
I
O
= -0.4mA ，V
CC
= 4.5V
测试条件
I
O
= 0, V
I
= V
CC
或GND ，V
CC
= 5V
E = 1MHz时，我
O
= 0, V
I
= V
CC
或GND ，
V
CC
= 5.5V ，注2
V
CC
= 2V ，我
O
= 0, V
I
= V
CC
或GND ，
E = V
CC
民
–
–
–
2.0
–1.0
–1.0
–0.3
V
CC
–2
–
2.4
典型值
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
最大
10
4
10
–
+1.0
+1.0
+0.8
V
CC
+0.3
0.4
–
单位
A
mA
A
V
A
A
V
V
V
V
注2：典型的降额1.5毫安/ MHz的增加，我
CC （ OP ）
.
电容：
(T
A
= + 25°C ，除非另有规定）
参数
输入电容
输出电容
符号
C
I
C
O
测试条件
F = 1MHz时，所有的测量都REF-
所引用，到设备GND
民
–
–
典型值
–
–
最大
6
10
单位
pF
pF
AC电气特性：
V
CC
= 5V
±10%,
T
A
= -40 °C至+ 85°C ，除非另有说明）
参数
芯片使能存取时间
地址访问时间
芯片使能输出使能时间
写使能输出禁止时间
芯片使能输出禁止时间
芯片使能脉冲宽度负
芯片使能脉冲宽度正
地址建立时间
地址保持时间
数据建立时间
数据保持时间
芯片使能写脉冲建立时间
芯片使能写脉冲保持时间
写使能脉冲宽度
读或写周期时间
符号
TELQV
tAVQV
TELQX
TWLQZ
TEHQZ
tELEH
tEHEL
塔维尔
tELAX
测试条件
注3 ，注5
注3 ，注5 ， &注6
注4 ，注5
注4 ，注5
注4 ，注5
注3 ，注5
注3 ，注5
注3 ，注5
注3 ，注5
民
–
–
5
–
–
300
100
0
50
110
0
130
130
130
350
典型值
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
最大
300
300
160
160
160
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
TDVWH注3 ，注5
TWHDX注3 ，注5
TWLEH
TELWH
TELEL
注3 ，注5
注3 ，注5
注3 ，注5
TWLWH注3 ，注5
注3.输入脉冲电平： 0.8V至V
CC
-2V ;输入上升和下降时间： 5ns的（最大） ;输入和输出
时序参考电平： 1.5V ;输出负载： 1 TTL门当量，C
L
= 50pF的（分） - 对C
L
大于50pF的，存取时间是由每pF的0.15ns降额。
注4：经测试，在最初的设计和后主要的设计变化。
注5 V
CC
= 4.5V和5.5V 。
注6. TAVQV = TELQV +塔维尔。
读周期真值表：
输入
时间基准
–1
0
1
2
3
4
5
H
L
L
E
H
W
X
H
H
H
H
X
H
A
X
V
X
X
X
X
V
D
X
X
X
X
X
X
X
输出
Q
Z
Z
X
V
V
Z
Z
功能
内存被禁用
周期开始时，地址被锁存
输出使
输出有效
阅读有成就
准备进入下一个周期（同-1 ）
周期结束，下一个周期开始（同为0 ）
在NTE6508读周期，地址信息被锁存到片内寄存器在下降
的E边缘（T = 0）。最小地址建立时间和保持时间的要求必须得到满足。所需的后
保持时间，该地址可能会改变状态，而不会影响设备的运行。在时间（T = 1）
数据输出变为启用状态;然而，该数据是无效的，直到在时间（T = 2）。则W必须
保持高电平的读出周期。后的输出数据已经被读出， E可以返回高（T = 3）。这
将禁用芯片和输出缓冲器强制到一个高阻抗状态。后所需的高é
时间（ TEHEL ）的RAM是准备进行下一个存储器周期（T = 4）。
写周期真值表：
输入
时间基准
–1
0
1
2
3
4
5
H
L
L
H
X
X
E
H
W
X
X
A
X
V
X
X
X
X
V
D
X
X
X
V
X
X
X
输出
Q
Z
Z
Z
Z
Z
Z
Z
功能
内存被禁用
周期开始时，地址被锁存
写周期开始
数据被写入
写完成
准备进入下一个周期（同-1 ）
周期结束，下一个周期开始（同为0 ）
写周期是由E的下降沿而锁存该地址信息到上发起
片内寄存器。该周期的写部分被定义为E和W以低同时进行。
W可以提供的循环中去低随时随地的写使能脉冲建立时间（ TWLEH ）是
会见。周期的写入部分由E或W.数据建立的第一个上升沿终止
和保持时间必须参考该终止信号。
如果要执行的一系列连续的写周期，将W线可以保持低电平，直到所有期望的
位置已被写入。当使用这种方法时，数据的建立时间和保持时间必须参考
到大肠杆菌的上升沿通过定位在W脉冲在电子低的时间内的不同时间（ TELEH ）
各种类型的写入周期可被执行。
如果E为低的时间（ TELEH ）大于在W脉冲（ TWLWH ）加上一个输出使能时间（ TELQX ）
被执行的组合读写周期。数据可以被修改的时间不确定数目能很好地协同
荷兰国际集团的任何写周期（ TELEH ） 。的数据输入和数据输出引脚可以连接在一起与使用
常见的I / O数据总线结构。当使用这种方法在RAM允许一个最小的一个输出的
禁用时间（ TWLQZ ）后W变为低电平施加输入数据到总线之前。这将确保
输出缓冲器都没有活性。
QQ：2880707522 复制
