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NTE218
硅PNP晶体管
音频输出功率
描述:
的NTE218是非常适合用作驱动,开关和中功率放大器的应用程序。该装置
产品特点:
产品特点:
D
低饱和电压 - 0.6V
CE
(SAT) @我
C
= 1A
D
高增益特性 - ^ h
FE
@ I
C
= 250毫安: 30-100
D
出色的安全区域限制
绝对最大额定值:
集电极 - 发射极电压,V
首席执行官
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V
集电极 - 基极电压,V
CB
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V
发射极 - 基极电压,V
EB
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7V
集电极电流,I
C
连续的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4A
山顶(注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10A
基极电流,我
B
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.A
器件总功耗(T
C
= + 25°C ) ,磷
D
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25W
减免上述25 ℃。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.143W / ℃,
工作结温范围,T
J
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 °到+ 200℃
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 °到+ 200℃
注1脉冲测试:脉冲宽度
300μS ,占空比
2.0%.
电气特性:
(T
C
= + 25 ° C除非另有sepcified )
参数
开关特性
Colector发射极耐受电压
发射Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
V
CEO ( SUS )
I
C
= 100mA时我
B
= 0 , 1注
I
EBO
I
CEX
I
首席执行官
I
CBO
V
EB
= 7V
V
CE
= 80V, V
BE (OFF)的
= 1.5V
V
CE
= 60V, V
BE (OFF)的
= 1.5V ,T
C
= +150°C
V
CE
= 60V ,我
B
= 0
V
CB
= 80V ,我
E
= 0
80
1
0.5
100
1.0
1.0
100
V
mA
A
mA
mA
A
符号
测试条件
典型值
最大
单位
电气特性(续) :
(T
C
= + 25 ° C除非另有sepcified )
参数
基本特征
(注1 )
直流电流增益
h
FE
V
CE
= 1V ,我
C
= 100毫安
V
CE
= 1V ,我
C
= 250毫安
V
CE
= 1V ,我
C
= 500毫安
V
CE
= 1V ,我
C
= 1A
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
暂态特性
电流增益带宽积
公共基础输出电容
小信号电流增益
f
T
C
ob
h
fe
V
CE
= 1V ,我
C
= 250毫安, F = 1MHz的
V
CE
= 10V ,我
C
= 0中,f = 100kHz的
V
CE
= 10V ,我
C
= 50mA时F = 1kHz时
3
25
100
兆赫
pF
V
CE ( SAT )
V
BE
I
C
= 1A ,我
B
= 125毫安
V
CE
= 1V ,我
C
= 250毫安
40
30
20
10
100
0.6
1.0
V
V
符号
测试条件
典型值
最大
单位
注1脉冲测试:脉冲宽度
300μS ,占空比
2.0%.
.485 (12.3)
迪亚
.062 (1.57)
.295 (7.5)
.031 ( 0.78 )直径
.360
(9.14)
BASE
.960 (24.3)
.580 (14.7)
0.147 ( 3.75 )直径
( 2处)
.200
(5.08)
0.145 ( 3.7 ) R最大
集电极/箱
辐射源
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全新原装 货期两周
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联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
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联系人:销售部
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