低噪音
提单上的Ku波段的GaAs MESFET
特点
低噪声系数:
1.8分贝一般在12 GHz的
高相关的增益:
7.5分贝一般在12 GHz的
L
G
= 0.3
m,
W
G
= 280
m
低成本的塑料包装
TAPE &卷轴包装选项中提供
噪声系数NF ( dB)的
4
3.5
Ga
3
2.5
2
1.5
1
NF
0.5
0
1
NE76038
噪声系数& ASSOCIATED
增益与频率
V
DS
= 3 V,I
DS
= 10毫安
24
21
18
15
12
9
6
3
0
10
20
描述
NE76038是一种高性能砷化镓金属
半导体场效应晶体管装在一个塑料
封装。它的低噪声系数,使该器件适合
对于在低噪声放大器的第二或第三阶段使用
14 GHz频率范围内 - 在1操作。该装置是
使用离子注入,以提高RF和DC制成
性能,可靠性和一致性。这些设备为特色的
TURE凹陷0.3微米的门和三外延技
术。
NEC严格的质量保证和测试程序恩
确保最高的可靠性和性能。
频率f ( GHz)的
电气特性
(T
A
= 25°C)
产品型号
包装外形
符号
NF
选择
1
参数和条件
最佳的噪声系数在V
DS
= 3 V,I
DS
= 10毫安
F = 4 GHz的
F = 12 GHz的
在V相关的增益
DS
= 3 V,I
DS
= 10毫安
F = 4 GHz的
F = 12 GHz的
饱和漏极电流在V
DS
= 3 V, V
GS
= 0 V
夹断电压在V
DS
= 3 V,I
DS
- 0.1毫安
跨在V
DS
= 3 V,I
DS
= 10毫安
门源漏电流在V
GS
= -3 V
单位
民
NE76038
38
典型值
最大
dB
dB
dB
dB
mA
V
mS
A
12.0
15
-3.0
30
0.8
1.8
13.0
7.5
30
-0.8
40
1.2
G
A
I
DSS
V
P
g
m
I
GSO
50
-0.5
70
10
注意:
是那些当从大量材料的装置的50%,在一个电路中分别测量得到的噪声系数1的典型值
与输入单独调谐,以获得的最小值。最大值是建立在生产线上作为"go -无go"标准
筛分试验用调谐为"generic"类型但不为每个试样的夹具。
美国加州东部实验室
相关的增益,G
A
( dB)的