NTE2090
集成电路
7沟道晶体管阵列
描述：
该NTE2090是集成电路采用16引脚DIP封装类型由六个NPN低饱和
理性的驱动程序。所有客房提供不可或缺的钳位二极管，用于切换感性负载和防护
二极管用于防止负输入电压。
产品特点：
D
低饱和输出：
V
CE （ SAT ）
= 0.6V最大@ I
OUT
= 120毫安
D
额定输出功率：
20V/150mA
D
输出钳位二极管
D
CMOS和PMOS Compatable输入
D
输入保护二极管
绝对最大额定值：
(T
A
= + 25°C ，除非另有规定）
电源电压，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至+ 20V
输出端耐受电压，V
CE （ SUS）
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V到V
CC
+0.5V
输出电流，I
OUT
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150毫安
输入电压V
IN
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -37V至+ 20V
输入电流I
IN
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5毫安
钳位二极管的反向电压，V
R
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20V
钳位二极管的正向电流，I
F
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 120毫安
GND引脚电流，I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 800毫安
功耗，P
D
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1W
工作温度范围，T
OPR
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 °C至+ 85°C
存储温度范围，T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 °至+ 150°C
推荐工作条件：
(T
A
= -40 °C至+ 85°C ，除非另有说明）
参数
电源电压
输出电流
输入电压
钳位二极管的反向电压
钳位二极管的正向电压
功耗
符号
V
CC
I
OUT
T
PW
=为25ms ，D
F
= 10％ 7电路
V
IN
V
R
I
F
P
D
测试条件
民
4.75
0
0
–35
–
–
–
典型值
–
–
–
–
–
–
–
最大
18
120
100
V
CC
18
120
0.36
单位
V
mA
mA
V
V
mA
W
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