通用
提单上的X波段砷化镓MESFET
特点
高功率增益:
7分贝典型值在12千兆赫
高输出功率:
15 dBm的典型值在12千兆赫
L
G
= 0.8
m,
W
G
= 330
m
低相位噪声:
为-110dBc / Hz的典型值在100千赫在f = 12 GHz的偏移
低成本塑料封装
2
NE721S01
外形尺寸
(以毫米单位)
包装外形S01
2.0
±
0.2
0
2.
1
J
3
0.65典型。
1.9
±
0.2
1.6
4
描述
该NE721S01是一种低成本0.8
m
凹门砷化镓
MESFET ,同时适用于放大器和振荡器的应用
系统蒸发散。较大的浇口几何形状,使该器件非常适用于第二
和低噪声的第三阶段中的1-12放大器工作
GHz的频率范围内。该NE721S01是用纤维制作的
导致振荡出色的相位噪声外延工艺
器的应用程序多达14千兆赫。 NEC公司最新的高性能/
低成本的塑料封装技术使NE721S01
适用于GPS, TVRO ,星展银行,珠三角等商业
应用程序。
1.源
2.漏
3.源
4.门
0.125
±
0.05
最大0.4
4.0
±
0.2
产品型号
代号(字母) 。
当信
直立,门导
是正确的。
订购信息
产品型号
NE721S01-T1
NE721S01
NE721S01-T1B
数量
1K/Reel
批量达4K
4K/Reel
包
S01
S01
S01
领导
长
1.0 mm
1.0 mm
1.0 mm
电气特性
(T
A
= 25°C)
产品型号
包装外形
符号
PN
G
S
P
1dB
I
DSS
V
P
g
m
I
GSO
R
TH
参数和条件
相位噪声在V
DS
= 3 V,I
D
= 30 mA时, F = 12千兆赫, 100千赫偏移
功率增益在V
DS
= 3 V,I
D
= 30 mA时, F = 12 GHz的
输出功率为1 dB增益压缩点, F = 12 GHz的
V
DS
= 3 V,I
DS
= 30毫安
饱和漏极电流在V
DS
= 3 V, V
GS
= 0
夹断电压在V
DS
= 3 V,I
D
= 100
A
跨在V
DS
= 3 V,I
D
= 10毫安
门源泄漏电流在V
GS
= -5 V
热阻
单位
dBc的/赫兹
dB
DBM
mA
V
mS
A
° C / W
30
-4.0
20
民
NE721S01
S01
典型值
-110
7.0
15.0
60
-2.0
40
1.0
10
300
100
-0.5
最大
美国加州东部实验室
1.5 MAX
2.0
±
0.2
0.5 TYP 。
±
0.
2
NE721S01
NE721S01非线性模型
概要
CGD_PKG
0.001pF
LDX
漏
LGX
门
RGX 0.71nH
0.06欧姆
CGS_PKG
0.055pF
LSX
0.1nH
RSX
0.06欧姆
CDS_PKG
0.06PF
Q1
0.58nH
RDX
0.06欧姆
来源
FET非线性模型参数
(1)
参数
VTO
VTOSC
ALPHA
Beta版
伽玛
GAMMADC
Q
DELTA
VBI
IS
N
RIS
RID
头
CDS
RDB
CBS
消费品安全条例
CGDO
DELTA1
DELTA2
FC
VBR
Q1
-1.699
0
2.5
0.0254
0.09
0.09
1.95
1.1
0.8
1e-14
1.2
0
0
6e-12
0.18e-12
5000
1e-10
0.7e-12
0.055e-12
1.2
1
0.5
无限
参数
RG
RD
RS
RGMET
KF
AF
TNOM
XTI
EG
VTOTC
BETATCE
FFE
Q1
7
6
4
0
1.36e-10
1.74
27
3
1.43
0
0
1
单位
参数
时间
电容
电感
阻力
电压
当前
单位
秒
法拉
亨利
欧
伏
安培
型号齐全
频率: 0.1 GHz至18 GHz
偏见:
V
DS
= 2 V到4V时,我
D
= 20 mA至40毫安
发布日期:
7/97
( 1 )系列IV天秤座TOM模型
注意:
这种非线性模型采用最新的可用数据。看到我们的设计参数图书馆
www.cel.com
对于这个数据。
北美的独家代理FOR
射频,微波&光电半导体
美国加州东部实验室
总部 4590帕特里克·亨利·道美国加州圣克拉拉, 95054-1817 ( 408 ) 988-3500 电传34-6393 传真( 408 ) 988-0279
24小时传真点播: 800-390-3232 (美国和加拿大) 网络连接: http://WWW.CEL.COM
美国印刷再生纸-9/98
数据可能会有更改,恕不另行通知
通用
提单上的X波段砷化镓MESFET
特点
高功率增益:
7分贝典型值在12千兆赫
高输出功率:
15 dBm的典型值在12千兆赫
L
G
= 0.8
m,
W
G
= 330
m
低相位噪声:
为-110dBc / Hz的典型值在100千赫在f = 12 GHz的偏移
低成本塑料封装
2
NE721S01
外形尺寸
(以毫米单位)
包装外形S01
2.0
±
0.2
0
2.
1
J
3
0.65典型。
1.9
±
0.2
1.6
4
描述
该NE721S01是一种低成本0.8
m
凹门砷化镓
MESFET ,同时适用于放大器和振荡器的应用
系统蒸发散。较大的浇口几何形状,使该器件非常适用于第二
和低噪声的第三阶段中的1-12放大器工作
GHz的频率范围内。该NE721S01是用纤维制作的
导致振荡出色的相位噪声外延工艺
器的应用程序多达14千兆赫。 NEC公司最新的高性能/
低成本的塑料封装技术使NE721S01
适用于GPS, TVRO ,星展银行,珠三角等商业
应用程序。
1.源
2.漏
3.源
4.门
0.125
±
0.05
最大0.4
4.0
±
0.2
产品型号
代号(字母) 。
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直立,门导
是正确的。
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产品型号
NE721S01-T1
NE721S01
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数量
1K/Reel
批量达4K
4K/Reel
包
S01
S01
S01
领导
长
1.0 mm
1.0 mm
1.0 mm
电气特性
(T
A
= 25°C)
产品型号
包装外形
符号
PN
G
S
P
1dB
I
DSS
V
P
g
m
I
GSO
R
TH
参数和条件
相位噪声在V
DS
= 3 V,I
D
= 30 mA时, F = 12千兆赫, 100千赫偏移
功率增益在V
DS
= 3 V,I
D
= 30 mA时, F = 12 GHz的
输出功率为1 dB增益压缩点, F = 12 GHz的
V
DS
= 3 V,I
DS
= 30毫安
饱和漏极电流在V
DS
= 3 V, V
GS
= 0
夹断电压在V
DS
= 3 V,I
D
= 100
A
跨在V
DS
= 3 V,I
D
= 10毫安
门源泄漏电流在V
GS
= -5 V
热阻
单位
dBc的/赫兹
dB
DBM
mA
V
mS
A
° C / W
30
-4.0
20
民
NE721S01
S01
典型值
-110
7.0
15.0
60
-2.0
40
1.0
10
300
100
-0.5
最大
美国加州东部实验室
1.5 MAX
2.0
±
0.2
0.5 TYP 。
±
0.
2
NE721S01
NE721S01非线性模型
概要
CGD_PKG
0.001pF
LDX
漏
LGX
门
RGX 0.71nH
0.06欧姆
CGS_PKG
0.055pF
LSX
0.1nH
RSX
0.06欧姆
CDS_PKG
0.06PF
Q1
0.58nH
RDX
0.06欧姆
来源
FET非线性模型参数
(1)
参数
VTO
VTOSC
ALPHA
Beta版
伽玛
GAMMADC
Q
DELTA
VBI
IS
N
RIS
RID
头
CDS
RDB
CBS
消费品安全条例
CGDO
DELTA1
DELTA2
FC
VBR
Q1
-1.699
0
2.5
0.0254
0.09
0.09
1.95
1.1
0.8
1e-14
1.2
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0.18e-12
5000
1e-10
0.7e-12
0.055e-12
1.2
1
0.5
无限
参数
RG
RD
RS
RGMET
KF
AF
TNOM
XTI
EG
VTOTC
BETATCE
FFE
Q1
7
6
4
0
1.36e-10
1.74
27
3
1.43
0
0
1
单位
参数
时间
电容
电感
阻力
电压
当前
单位
秒
法拉
亨利
欧
伏
安培
型号齐全
频率: 0.1 GHz至18 GHz
偏见:
V
DS
= 2 V到4V时,我
D
= 20 mA至40毫安
发布日期:
7/97
( 1 )系列IV天秤座TOM模型
注意:
这种非线性模型采用最新的可用数据。看到我们的设计参数图书馆
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对于这个数据。
北美的独家代理FOR
射频,微波&光电半导体
美国加州东部实验室
总部 4590帕特里克·亨利·道美国加州圣克拉拉, 95054-1817 ( 408 ) 988-3500 电传34-6393 传真( 408 ) 988-0279
24小时传真点播: 800-390-3232 (美国和加拿大) 网络连接: http://WWW.CEL.COM
美国印刷再生纸-9/98
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