NTE1693
集成电路
电话脉冲拨号器( CMOS)的
描述:
该NTE1693是CMOS LSI脉冲拨号器在一个16引脚DIP型封装,重拨于一体
陶瓷谐振器作为频率基准。
产品特点:
D
做比:三十九分之三十三%可通过引脚选择。
D
脉冲输出“ 1 ”真
D
静音输出“ 0 ”真
D
17位重拨带*或#输入
D
使用陶瓷振荡器作为频率参考
D
直拨电话线操作
D
使用2 -OF- 7无论是标准矩阵键盘,或通过单个触点键盘
D
静音信号所产生的脉冲信号
绝对最大额定值:
电源电压(注1 ) ,V
DD
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 + 6.2V
最大引脚电压
V
IN1
(注2 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V
V
IN2
(注3) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 0.3V
最大功率耗散(T
A
= + 25°C ) ,磷
D
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 500mW的
工作温度范围,T
OPR
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -30°至+ 60℃的
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 °至+ 150°C
注意事项1.参照GND
注2:最大适用电压或任一引脚相对于GND
注3.在任何引脚上的最大适用电压相对于V
DD
推荐工作条件:
电源电压,V
DD
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.5至6.0V
直流电气特性:
(T
A
= -30°至+ 60℃,除非另有规定)
参数
关键接触电阻
键盘电容
输入电压
符号
R
KI
C
KI
K
1H
K
IRU
K
税务局
I
M
I
P
V
REF
I
MR
I
OP
I
LKG
V
DD
= 2.5V, V
OUT
= 0.5V ,注5
V
DD
= 2.5V, V
OUT
= 0.5V ,注6
I
供应
= 150μA ,注7
在空载状态下,所有输出
在空载状态下,所有输出
V
DD
= 6.0V, V
OUT
= 6.0V ,注5,注6
2 -OF- 7的输入模式,注4
测试条件
民
–
–
0.8V
DD
GND
键拉电阻
关键的下拉电阻
静音灌电流
脉冲输出灌电流
V
DD
–V
RFF
价值
记忆保持电流
工作电流
MUTE(静音) ,脉冲漏
V
DD
= 6.0V, V
IN
= 4.8V
–
–
500
1.0
1.5
–
–
–
典型值
–
–
–
–
4
100
–
–
2.5
0.7
100
0.001
最大
1
30
V
DD
0.2V
DD
–
–
–
–
3.5
–
150
1
单位
k
pF
V
V
k
k
A
mA
V
A
A
A
记
记
记
记
4.
5.
6.
7.
适用于按键输入引脚( ROW1 - ROW4 COL1 - COL3 )
适用于MUTE输出引脚。
适用于脉冲输出引脚
适用于V
REF
引脚。
AC电气特性:
参数
振荡器频率
键盘去抖时间
时间有效的密钥输入
振荡器起振时间
脉率
休息时间
符号
f
OSC
t
DB
t
KD
t
ON
P
R
t
B
t
IDP
9脚连接到V +
9脚绑V-
间数暂停
注9
注8
测试条件
民
–
–
40
–
–
–
–
–
典型值
480
10
–
6
10
61
67
800
最大
–
–
–
–
–
–
–
–
单位
千赫
ms
ms
ms
PPS
ms
ms
ms
注8,典型值是准确的,标称480kHz频率基准(除振荡器
启动时间)
注9,陶瓷谐振器应具有以下等效值:v
& LT ;
20Ω , RA
≥
70kΩ ,C
O
≤
500pF.