【超低噪声赝HJ FET特点超低噪声指数：0.40分贝一般在12 GHz的高相关的增益：12.5分贝一】,IC型号NE32984D,NE32984D PDF资料,NE32984D经销商,ic,电子元器件-51电子网

超低噪声

赝HJ FET

特点

超低噪声指数：

0.40分贝一般在12 GHz的

高相关的增益：

12.5分贝一般在12 GHz的

噪声系数NF （ dB）的

1.2

NE32984D

噪声系数& ASSOCIATED

增益与频率

= 2 V，I

= 10毫安

1.0

0.8

≤

0.20

= 200

低成本金属陶瓷封装

TAPE &卷轴包装选项中提供

0.6

描述

该NE32984D是一个伪形态异质结场效应管的

使用Si掺杂的AlGaAs和未掺杂之间的结

砷化铟镓创造非常高的电子迁移率。该装置

特色蘑菇状TiAl金属门的门下降

性和改善的功率处理能力。该

蘑菇门也导致了更低的噪声系数和高

相关增益。该器件采用环氧树脂密封，

金属/陶瓷封装，适用于高音量控制

苏美尔和工业应用。

NEC严格的质量保证和测试程序保证

最高的可靠性和性能。

0.4

0.2

频率f （ GHz）的

电气特性

= 25°C)

产品型号

包装外形

符号

A 1

DSS

GSO

第（章-a）的

TH（ CH-C ）

参数和条件

最佳的噪声系数，V

= 2 V，I

= 10 mA时， F = 12 GHz的

相关的增益，G

（ dB）的

NE32984D

绝对最大额定值

= 25°C)

符号

GRF

英镑

参数

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

栅电流

通道温度

储存温度

总功耗

单位

°C

评级

4.0

-3.0

DSS

100

150

-65到+150

165

噪声参数

= 2 V，I

= 10毫安

频率。

（千兆赫）

2.0

4.0

6.0

8.0

10.0

12.0

14.0

16.0

18.0

分钟。

（ dB）的

0.29

0.30

0.31

0.34

0.37

0.40

0.49

0.63

0.81

（ dB）的

20.0

18.3

16.5

15.0

13.6

12.5

12.0

11.8

11.5

MAG

0.85

0.75

0.68

0.61

0.56

0.52

0.47

0.40

0.31

选择

昂

111

137

164

-168

-139

Rn/50

0.30

0.28

0.20

0.13

0.09

0.05

0.04

0.07

注意：

1.操作超过这些参数可能导致任一

永久性损坏。

典型性能曲线

总功耗对比

环境温度

= 25°C)

漏电流与

漏源极电压

100

200

总功率耗散，P

（ mW）的

150

漏电流，我

（MA ）

= 0 V

-0.2 V

-0.4 V

100

-0.6 V

-0.8 V

100

150

200

1.5

3.0

环境温度，T

(°C)

漏源极电压，V

(V)

最大稳定增益与展望

插入增益与频率

= 2 V

= 10毫安

味精

噪声系数和相关的增益与

漏电流

= 2 V

F = 12 GH

最大稳定增益，味精（分贝）

正向插入增益， IS

21S

（ dB）的

2.0

1.5

1.0

0.5

21S

8 10

频率f （ GHz）的

漏电流，我

（MA ）

相关的增益，G

（ dB）的

噪声系数NF （ dB）的

NE32984D

典型的散射参数

= 25°C)

NE32984D

= 2 V，I

= 10毫安

频率

（千兆赫）

MAG

.984

.960

.919

.868

.816

.786

.759

.736

.689

.659

.621

.590

.554

.522

.491

.461

.452

昂

-26.4

-39.3

-52.8

-64.5

-75.5

-85.7

-95.9

-106.3

-116.2

-125.6

-135.5

-146.3

-157.9

-171.0

173.0

153.2

129.4

MAG

4.583

4.480

4.332

4.141

3.923

3.786

3.659

3.547

3.375

3.264

3.217

3.186

3.172

3.180

3.220

3.303

3.367

昂

146.9

130.6

114.3

98.8

84.4

70.8

57.1

43.1

30.1

17.5

4.9

-8.0

-21.3

-35.2

-49.9

-65.6

-83.4

MAG

.029

.041

.050

.057

.060

.064

.066

.068

.071

.074

.079

.085

.093

.104

.114

.124

.137

昂

66.4

55.9

47.9

38.5

31.2

26.0

21.7

18.2

16.0

13.2

11.4

7.3

2.0

-5.5

-12.6

-23.3

-36.4

MAG

.549

.520

.481

.447

.418

.396

.382

.374

.368

.370

.374

.391

.406

.417

.432

.445

.453

昂

-32.0

-47.8

-64.5

-81.9

-99.8

-116.7

-132.6

-147.8

-163.0

-178.3

167.4

155.0

143.2

132.1

119.7

106.3

91.0

.13

.22

.31

.45

.58

.63

.69

.75

.86

.91

.94

.92

.91

.86

.82

.78

.72

MAG

（ dB）的

22.0

20.4

19.4

18.6

18.2

17.7

17.4

17.2

16.8

16.4

16.1

15.7

15.3

14.9

14.5

14.3

13.9

注意：

1.增益计算：

MAG =

(

K ±

- 1

当K

≤

1 ， MAG是未定义的值味精使用。味精=

, K = 1 + |

| - |S

= S

- S

2 |S

MAG =最大可用增益

MSG =最大稳定增益

NE32984D

外形尺寸

（以毫米单位）

包装外形84D

1.78 ± 0.2

1.78 ± 0.2 D

0.5 ± 0.1

（所有引线）

1.0分钟± 0.2 （各导联）

1.7 MAX

+0.07

0.1

-0.03

型号代号（字母）。

当信是直立的，

栅极引线是在正确的。

订购信息

部分

数

NE32984D-S

NE32984D-T1

NE32984D-SL

供货情况

批量达1K

1K/Reel

批量达1K

领导

长

1.0 mm

1.7 mm

包

概要

84D

84D-SL

北美的独家代理FOR

射频，微波&光电半导体

美国加州东部实验室

总部 4590帕特里克·亨利·道美国加州圣克拉拉， 95054-1817 （ 408 ） 988-3500 电传34-6393 传真（ 408 ） 988-0279

24小时传真点播： 800-390-3232 （美国和加拿大）网络连接： http://WWW.CEL.COM

美国印刷再生纸 - 1/96

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