NTD5806N
功率MOSFET
特点
40 V ， 33 A单N沟道， DPAK / IPAK
低R
DS （ ON）
高电流能力
较高的雪崩能量
这些无铅器件
http://onsemi.com
V
（ BR ） DSS
40 V
R
DS （ ON）
最大
26毫瓦@ 4.5 V
19毫瓦@ 10 V
D
I
D
最大
33 A
应用
CCFL背光源
直流电机控制
电源二次侧同步整流
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续
栅极 - 源极电压
不重复（T
p
＆ LT ; 10
女士）
连续漏极
电流（R
QJC
)
（注1 ）
功耗
(R
QJC
） （注1 ）
漏电流脉冲
T
C
= 25°C
稳定
状态
T
C
= 100°C
T
C
= 25°C
P
D
I
DM
T
J
, T
英镑
I
S
E
AS
符号
V
DSS
V
GS
V
GS
I
D
价值
40
"20
"30
33
23
40
67
55
to
175
33
39
W
A
°C
A
mJ
单位
V
V
V
A
G
S
N沟道MOSFET
4
4
1 2
t
p
= 10
ms
3
1
工作结温和存储温度
源电流（体二极管）
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源（V
DD
= 50 V, V
GS
= 10 V ，R
G
= 25
W,
I
L（ PK）
= 28 A，L = 0.1 mH为V
DS
= 40 V)
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
DPAK
CASE 369C
（表面贴装）
方式2
3
IPAK
CASE 369D
（直引线
DPAK ）
2
T
L
260
°C
标记DIAGRAMS
＆放大器;引脚分配
4
漏
YWW
58
06NG
4
漏
YWW
58
06NG
1 2 3
门漏源
=年
=工作周
=器件代码
= Pb-Free包装
出版订单号：
NTD5806N/D
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
热阻最大额定值
参数
结至外壳（漏）
结到环境
稳态（注1 ）
符号
R
QJC
R
qJA
价值
3.7
57.5
单位
° C / W
2
1 3漏
门源
1.表面安装上使用1平方垫尺寸FR4板
（铜面积=在平[ 1盎司]包括痕迹1.127 。
Y
WW
5806N
G
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第5页上。
半导体元件工业有限责任公司， 2010
2010年2月
第3版
1
NTD5806N
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
开关特性
漏极至源极击穿电压
漏极至源极击穿电压
温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS
= 10 V，I
D
= 15 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 10 A
收费，电容和栅极电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏极电荷
开关特性
（注3）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
RR
ta
tb
Q
RR
V
GS
= 0 V ， DIS / DT = 100 A / MS ，
I
S
= 30 A
T
J
= 25°C
T
J
= 150°C
V
GS
= 10 V, V
DD
= 20 V,
I
D
= 30 A，R
G
= 2.5
W
V
GS
= 4.5 V, V
DD
= 20 V,
I
D
= 30 A，R
G
= 2.5
W
10.6
93.7
14.2
4.3
8.0
49
19.8
2.6
ns
ns
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
G（ TH ）
Q
GS
Q
GD
V
GS
= 10 V, V
DS
= 20 V,
I
D
= 30 A
V
GS
= 0 V ， F = 1.0 MHz时，
V
DS
= 25 V
860
130
100
17
0.95
3.4
4.5
38
nC
pF
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 40 V
T
J
= 25°C
T
J
= 150°C
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
40
45.5
29.5
1.0
100
±100
nA
V
毫伏/°C的
mA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
栅极 - 源极漏电流
基本特征
（注2 ）
栅极阈值电压
负阈值温度
系数
漏极至源极导通电阻
V
DS
= 0 V, V
GS
=
±20
V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
mA
1.4
5.8
12.7
17.8
2.5
V
毫伏/°C的
19
26
mW
漏源二极管特性
正向二极管电压
V
GS
= 0 V,
I
S
= 10 A
0.86
0.69
18.8
11.8
7.0
10.9
nC
ns
1.2
V
反向恢复时间
充电时间
放电时间
反向恢复电荷
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2%.
3.开关特性是独立的工作结点温度。
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2
NTD5806N
典型特征
70
60
I
D
，漏电流（ A）
50
40
30
20
10
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5 V
70
60
I
D
，漏电流（ A）
50
40
30
20
10
0
T
J
= 100°C
T
J
= 25°C
T
J
=
55°C
2
3
4
5
6
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
V
DS
≥
10 V
10 V
T
J
= 25°C
4.5 V
V
GS
= 7, 6, 5.8, 5.5, 5.2, 5 V
4.0 V
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.区域特征
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
0.021
0.019
0.017
0.015
0.013
0.011
I
D
= 15 A
T
J
= 25°C
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
0.05
图2.传输特性
T
J
= 25°C
0.04
0.03
0.02
0.01
0
10
V
GS
= 10 V
V
GS
= 4.5 V
4
5
6
7
8
9
10
20
30
40
50
60
70
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
I
D
，漏电流（ A）
R
DS （ ON）
，漏源电阻（标准化）
图3.导通电阻与漏电流
2.0
1.9 I = 30 A
D
1.8 V = 10 V
GS
1.7
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
50 25
0
10,000
图4.导通电阻与漏电流和
栅极电压
V
GS
= 0 V
I
DSS
，漏电（ NA）
T
J
= 150°C
1000
100
T
J
= 100°C
25
50
75
100
125
150
175
10
2
12
22
32
42
T
J
，结温（ ° C）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图5.导通电阻变化与
温度
图6.漏 - 源极漏电流
与电压
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3
NTD5806N
订购信息
订单号
NTD5806NG
NTD5806NT4G
包
IPAK （直铅DPAK ）
（无铅）
DPAK
（无铅）
航运
75单位/铁
2500 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
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5
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